CHƯƠNG IV : PHƯƠNG HƯỚNG VÀ CÁC GIẢI PHÁP CÔNG NGHỆ
4.3. Các phương án thực hiện:
Theo u cầu ban đầu mơ hình cần có cơ cấu tịnh tiến để điều khiển vận tốc xử lý phôi và cơ cấu thay đổi khoảng cách xử lý hoặc tăng độ hấp thụ của hai bề mặt kim loại. Ta có các phương án thực hiện như sau:
Điều chỉnh tần số
Nguồn plasma Buồng xử lý plasma
Điều chỉnh điện áp Điều chỉnh khoảng cách 2 điện
cực
Khí xúc tác (Ar, Helium...)
Điều chỉnh lưu lượng khí bơm vào 5 – 10 lít/phút.
Bình khí
Chương 4: Phương hướng và các giải pháp cơng nghệ
4.3.1. Phương án 1:
Hình 4.1. Cơ cấu băng tải.
Chọn cơ cấu tịnh tiến là băng tải.
Nguyên lý hoạt động: Chi tiết xử lý được đặt trên băng tải được chuyển động tịnh tiến để xử lý bề mặt của phơi. Chi tiết xử lý được tích điện tích âm.
Chọn cơ cấu điều khiển khoảng cách xử lý là khí nén.
Nguyên lý hoạt động: Cụm trên (ống cách điện, ống khí) tích điện tích dương được điều khiển khoảng cách thơng qua van điều chỉnh áp suất khí.
Ưu điểm:
-Độ cứng vững cao. Nhược điểm:
-Chi phí cao, hệ thống chịu nhiệt không tốt. -Độ phẳng của băng tải không đảm bảo.
Chương 4: Phương hướng và các giải pháp cơng nghệ
4.3.2. Phương án 2:
Hình 4.2. Cơ cấu trượt
Chọn cơ cấu tịnh tiến là cơ cấu trượt.
Nguyên lý hoạt động: Khi đĩa trịn quay thì thanh trượt sẽ tịnh tiến bằng bán kính của đĩa trịn. Chi tiết xử lý được đặt trên thanh trượt thông qua miếng đỡ và được tích điện tích âm.
Chọn cơ cấu điều khiển khoảng cách xử lý là thủy lực.
Nguyên lý hoạt động: Cụm trên (ống cách điện, ống khí) tích điện tích dương được điều khiển khoảng cách thơng qua van điều chỉnh lưu lượng dầu.
Ưu điểm:
- Hệ thống đơn giản. Nhược điểm:
-Độ cứng vững không cao. -Điều khiển phức tạp.
Chương 4: Phương hướng và các giải pháp công nghệ