*/ Tiên đề :
- Mối nối BE phân cực thuận - Mối nối BC phân cực nghịch
Transistor dẫn điện.
1. Nguyên lý vận chuyển của transistor lọai NPN:
Để phân cực transistor lọai NPN ta mắc như sau: VB > VE ; VB < VC
→ Như vậy thì sẽ thỏa tiên đề do đĩ transistor dẫn điện như sau :
Chất bán dẫn lọai P và N của cực B và cực E được phân cực thuận (VB > VE ) nên dẫn điện, điện tử từ vùng bán dẫn lọai N của cực E sẽ khếch tán sang vùng bán dẫn lọai P củc B để tái hợp với lỗ trống , Khi đĩ cực B nhận thêm điện tử nên cĩ điện tích âm. Cực B nối vào điện thế dương của nguồn VEE nên sẽ hút một số điện tử trong vùng bán dẫn lọai P tạo thành dịng điện IB. Cực C nối vào nguồn điện thế dương của nguồn VCC cao hơn nên hút hầu hết điện tử trong vùng bán dẫn lọai P sang vùng bán dẫn lọai N của cực C tạo thành dịng điện IC. Cực E nối vào điện thế âm của nguồn VEE nên khi vùng bán dẫn lọai N mất điện tử sẽ hút điện tử từ nguồn âm lên để thế chổ tạo thành dịng điện IE .
Như vậy dịng điện qua các cực của transistor là : IB → Chạy vào cực B IC → Chạy ra cực C P N N B C E Phân cực
thuận Phân cực nghịch VEE IB VCC
IC IE
P
N N
Hình 2.25 Nguyên lý làm việc transistor loại NPN Tên D718 Hình 2.24 Hình dáng của transistor B E C E B Dạng sị (họat động ở cơng suất lớn) C181 5 C B E
IE → Chạy ra cực E
Áp dụng định luật Kiêcchơp I cho điểm nút B ta cĩ :
Do dịng điện IB rất nhỏ (khỏang vài A) nên ta cĩ thể bỏ qua
Do đĩ :
2. Nguyên lý vậnchuyển của transistor lọai PNP:
Để phân cực transistor lọai PNP ta mắc như sau: VB < VE ; VB > VC
→ Như vậy thì sẽ thỏa tiền đề do đĩ transistor dẫn điện như sau:
Chất bán dẫn lọai P và N của cực B và cực E được phân cực thuận (VB < VE) nên dẫn điện .Lổ trống từ vùng bán dẫn lọai P của cực E sẽ khuếch tán sang vùng bán dẫn lọai N củc B để tái hợp với điện tử, Khi đĩ cực B cĩ thêm lổ trống nên cĩ điện tích
dương. Cực B nối vào điện thế âm của nguồn VEE nên sẽ hút một số lổ trống trong vùng
bán dẫn lọai N xuống tạo thành dịng điện IB. Cực C nối vào nguồn điện thế âm của nguồn VCC cao hơn nên hút hầu hết lổ trống trong vùng bán dẫn lọai N sang vùng bán dẫn lọai P của cực C tạo thành dịng điện IC. Cực E nối vào điện thế dương của nguồn VEE nên khi vùng bán dẫn lọai P mất lổ trống sẽ hút lổ trống từ nguồn dương lên để thế chổ tạo thành dịng điện IE .
Như vậy dịng điện qua các cực của transistor là : IB → Chạy ra cực B
IC → Chạy vào cực C IE → Chạy vào cực E Tương tự ta cũng cĩ: