- Dòng điện định mức Iđm(A): dòngđiện hiệu dụng cho phép đi qua triac trong một thời gian dài khi triac mở.
- Điện áp ngược cực đại Ungmax(V): điện áp ngược cực đại cho phép đặt vào triac trong một thời gian dài khi triac khoá.
- Điện áp rơi trên TriacU(V): điện áp rơi trên Triac khi Triac mở với dòng qua Triac bằng dòng điện định mức.
1.2.7. Diode đệm
Diode đệm (còn gọi là Diode phóng điện, Diode hoàn năng lượng) là Diode mắc song song ngược với một phụ tải điện một chiều có tính chất cảm kháng (hình1.32). Diode đệm D0 có hai nhiệm vụ:
- Khi phụ tải làm việc, Diode đệm D0 chịu điện áp ngược và ở trạng thái khố. Dịng điện tải được cấp từ nguồn một chiều (hình 1.32a). Khi ngắt nguồn (U= 0), do s.đ.đ tự cảm của của cảm kháng phụ tải lúc ngắt mạch, dòng cảm ứng trong phụ tải khép kín qua Diode D0 (hình 1.32b). Nếu khơng có Diode D0, điện cảm ứng lớn sẽ đặt lên các phần tử nguồn và có thể phá hỏng chúng, đánh thủng cách điện và nguy hiểm cho người.
- Đảm bảo dòng điện liên tục cho tải.
RL L + U>0 I a, + U=0 I b, Do R L
Hình 1.32 Diode đệm nối vào mạch có tính chất cảm kháng để tránh sự giảm về khơng đột ngột của dịng điện
Bình thường, dịng điện phụ tải có tính chất cảm kháng do nguồn cung cấp. Khi dòng điện phụ tải giảm (đột ngột) hoặc bị ngắt rồi lại có, trong phụ tải sẽ xuất hiện điện áp cảm ứng qúa độ rất lớn, dẫn đến các nguy hiểm đã nêu cho thiết bị và nguồn. Diode D0 sẽ cho dòng cảm ứng khép kín qua nó và duy trì dịng tải. Dịng cảm ứng phóng qua D0 có độ lớn tuỳ thuộc năng lượng điện từ tích luỹ trong cuộn dây phụ tải tức là tuỳ thuộc trị số độ tự cảm L nhỏ hay lớn. Cường độ dịng điện phóng giảm theo hàm mũ với hằng số thời gian: = L/R. Nếu >> T (T- chu kỳ điện áp hình sin) thì cường độ dịng điện qua tải coi như không đổi.
1.2.8. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transitor)
a. Cấu trúc và ký hiệu:
- IGBT là phần tử kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET với khả năng chịu tải của Transistor thường. IGBT cũng là phần tử được điều khiển bằng điện áp, do đó cơng suất điều khiển rất nhỏ, dạng tín hiệu thường là các xung điện áp 15V.
- Cấu trúc của IGBT cũng đưa ra ba cực Emitor, Colector và cực điều khiển. Nhưng IGBT khác với MOSFET ở chỗ giữa E & C là cấu trúc bán dẫn P-N-P chứ khơng phải N-N. Có thể coi IGBT giống như một Transtor được điều khiển bởi một MOSFET.
b) c) P Emitor n n p n n p G Colector a) n P Emitor n n p n n p G Colector n i2 i2 i1 C E G C E G Hình 1.33
a. Cấu trúc IGBT; b. Cấu trúc IGBT tương đương một Tranzitor với một MOSFET; c. Ký hiệu IGBT