Hiện tượng bóng che và các thuật ngữ đặc biệt

Một phần của tài liệu Tối ưu công suất hệ thống tấm bin năng lượng mặt trời khi có hiện tượng bóng che (Trang 42)

3.3. Thuật toán P&O trong điều kiện dãy PV bị bóng che một phần

3.3.1 Hiện tượng bóng che và các thuật ngữ đặc biệt

Mơ hình này sử dụng một thuật ngữ đặc biệt để mơ tả dãy bị bóng che một phần, như mơ tả trong hình 2.18. Các thuật ngữ này giúp đơn giản hóa các mơ hình bị bóng che phức tạp của dãy PV lớn, từ đây, nghiên cứu đặc tính của dãy PV lớn bị bóng chẹ

Hình 3.8: Thuật ngữ sử dụng cho những phần tử của dãy PV bị bóng che một phần; (a) PV module, (b) tập hợp nối tiếp với 2 tập hợp con, (c) nhóm, (d) dãy với 3 nhóm

Một module PV [Hình 3.8 (a)] được coi là bị bóng che nếu ba hoặc nhiều hơn các cell của nó nhận được sự chiếu nắng thấp hơn so với bình thường.

- Kết nối nối tiếp các module PV, mà nhận được cùng cường độ bức xạ, thì hình thành một “tập hợp con” ("subassembly") [Hình 3.8 (b)].

- Kết nối nối tiếp những tập hợp con, với mỗi tập hợp con có cường độ bức xạ khác nhau, thì tạo thành một “tập hợp nối tiếp” (“series assembly”).

- Một "nhóm" (“group”) hình thành từ một số tập hợp nối tiếp tương tự (có đặc tính P- V giống nhau) được kết nối song song với nhau[Hình 3.8 (c)].

- Nhiều nhóm được kết nối song song, với nhau thì tạo thành một “dãy PV” (“PV array”) [Hình 3.8(d)].

Một ví dụ đơn giản của dãy PV bị bóng che, được thể hiện trong hình 3.8(d), chỉ có ba nhóm riêng biệt.

Hình 3.9 cho thấy các đường cong tương ứng với dãy P -V nàỵ Các đường cong P- V C1, C2, và C3 là của một “tập hợp nối tiếp”("Series assembly") của nhóm 1, nhóm 2 và nhóm 3, được thể hiện trong hình 3.9(a). Hình 3.9(b) cho thấy các đường cong P-V D1, D2 và D3 là của tồn bộ các nhóm 1, nhóm 2 và nhóm 3, thu được bằng cách cộng gộp các đường cong C1, C2, và C3 trên trục dòng điện. Quan sát thấy được rằng các đỉnh công suất PS1, PS2, PS3 xảy ra tại V1 = 65V, V2 = 114V, V3 = 163V

Hình. 3.9: (a) C1, C2 và C3 tương ứng với các đường cong P-V cho tâp hợp nối tiếp

của nhóm 1, 2, 3. (b) D1, D2, D3 tương ứng với các đường cong P-V cho các nhóm 1, 2, 3. (c) kết quả cuả đường cong P-V cho toàn bộ dãỵ

Điều quan trọng cần lưu ý là kể từ bốn module khơng có bị bóng che trong mỗi tập hợp nối tiếp của nhóm 1, đỉnh cơng suất PS1 xảy ra gần ở điện áp V1 = 4 × 16,3 = 65V, trong đó 16,3V là 80% điện áp hở mạch của module (VOC_module) xem xét.

Một lý luận tương tự có thể được áp dụng cho PS2 và PS3, xảy ra gần V2 (= 7 x 16,3 = 114V) và V3 (= 10 × 16,3 = 163V).

Vị trí của các đỉnh PS1, PS2, PS3 điều chỉnh vị trí của các đỉnh PG1 đến PG3 [Hình 3.4 (b)] và từ đây, cũng dẫn đến điều chỉnh vị trí các đỉnh PAmax1 đến PAmax3 trên đường cong P-V của tồn bộ dãy [Hình 3.9(c)]. Do đó, các đỉnh PAmax1, PAmax2, và PAmax3 xảy ra gần như ở điện áp V1, V2, và V3, tương ứng.

Hình. 3.10: (a)Bảng tóm tắt trường hợp phức tạp, bao gồm 5 nhóm, 10 x 90

modules.(b) mơ hình. (c)Đường cong đặc tính I–V của dãỵ (d) Đường cong đặc tính P–V của dãỵ

Một kết quả quan trọng của quan sát này là các đỉnh công suất dãy được dịch cách nhau bằng một bội số nguyên của 80% VOC_module (n × 0,8 × VOC_module), trong đó "n" là một số nguyên. Khi sự khác biệt số nguyên tối thiểu trong số lượng các module bị bóng che giữa các tập hợp nối tiếp của hai nhóm là một, thì sự dịch chuyển tối thiểu có thể giữa hai đỉnh liên tiếp là 0,8 × VOC_modulẹ

Một số quan sát quan trọng về các đường cong của dãy PV khi bị bóng che một phần, được liệt kê như sau:

1) Các đường cong I-V dưới điều kiện một phần bị bóng che có nhiều nấc, trong khi

2) Các đỉnh trên đường cong P-V xảy ra gần như bội số của 80% VOC_module . 3) Sự dịch chuyển tối thiểu giữa các đỉnh kế tiếp gần 80% VOC_modulẹ

4) Nghiên cứu mở rộng của các đường cong P-V, cũng như là dữ liệu thực tế, đã cho

thấy rằng khi đường cong P-V đi qua từ hai bên (đi từ trái sang phải hoặc từ phải sang trái), thì độ lớn của các đỉnh cơng suất tăng lên. Sau khi đạt được đỉnh GP, độ lớn của những đỉnh tiếp theo (nếu chúng hiện diện) sẽ liên tục giảm.

Hình 3.11: Sơ đồ thuật tốn MPPT với dãy PV bị bóng che

Giải thích sơ đồ thuật tốn:

Hình 3.11 cho thấy sơ đồ của thuật toán được đề xuất để theo dõi điểm GP dưới điều kiện một phần bị bóng chẹ Việc thi hành thuật tốn ln bắt đầu với giá trị điện áp tham chiếu (Vref) cài đặt bằng 85% của VOC (khối 1) như thể hiện trong "Chương trình chính".

Cho đến khi xảy ra bất kỳ xáo trộn (hoặc bộ đếm thời gian ngắt), nó vẫn duy trì hoạt động tại điểm GP bằng cách tiếp tục thực hiện phương pháp P & O (khối 2 và 3). Khi bất kỳ xáo trộn đột ngột (như bị bóng che một phần) hoặc bộ đếm thời gian ngắt, "Chương trình chính" xác định các yêu cầu để theo dõi các điểm GP (khối 4-6) và gọi "chương trình con theo dõi điểm GP" (khối 7a). "Chương trình con theo dõi điểm GP" theo dõi điểm GP mới, và sau đó tiếp tục đi qua điều khiển "Chương trình chính”, duy trì các hoạt động tại điểm GP mới nàỵ

"Chương trình con theo dõi điểm GP" cũng được gọi định kỳ tại một khoảng thời gian 25s khi bộ đếm thời gian tạo ra một lệnh ngắt (khối 7b).

Để hiểu các thuật toán, giả định rằng một điểm GP đã đạt được khi một sự thay đổi chiếu nắng đột ngột dịch chuyển điểm hoạt động đến các vùng lân cận của một trong các đỉnh local (ví dụ, điểm D [Hình. 2.20(d)]). Đỉnh local này(điểm D) được theo dõi bởi phương pháp P&O (khối 2). Cho dù MPP có đạt hay khơng, nó cũng được kiểm tra bằng cách xác định các dấu hiệu của công suất trong hai nhiễu loạn tiếp theo (khối 3).

Khi đỉnh local đầu tiên (điểm D) được theo dõi, thuật toán lưu trữ các thông tin dịng về cơng suất ra và điện áp ra của dãy PV như Pmax_last và Vm_last, tương ứng. Thuật toán sau đó cài đặt bit cờ (flag = 1) để kiểm tra điểm GP ở phía bên trái của điểm D (khối 4). Sự thay đổi đột ngột trong mức độ chiếu nắng (ΔG) hoặc bóng mờ dẫn đến sự biến đổi công suất (= ΔP). Nếu ΔP là lớn hơn một sự thay đổi công suất cụ thể nhất định (= ΔPcrit), thì sau đó việc theo dõi điểm GP bắt đầu (khối 5 và 6). ΔPcrit có thể được thay đổi tùy thuộc vào hệ thống PV ở trên và mơi trường của nó.

Nếu bất kỳ điều kiện theo dõi điểm GP nói trên xảy ra, "chương trình con theo dõi điểm GP" bắt đầu, quét đường cong P-V cho các đỉnh khác. Điều này được thực hiện bằng cách áp dụng một hiễu loạn ΔVlarge lớn, nên là ít hơn so với việc di chuyển tối thiểu có thể giữa hai đỉnh liên tiếp (quan sát 4, khối 8), để đảm bảo rằng khơng có đỉnh nào bị mất trong suốt q trình theo dõi, ΔVlarge có thể được xem xét như là 60% - 70% VOC_modulẹ

Nhiễu loạn ban đầu thì về phía bên trái (đối với điểm C), được chỉ định bởi "flag = 1" (khối 10). Nếu điều kiện chiếu nắng không đồng bộ (khối 9) và nếu bất kỳ các giới hạn (khối 11 và 12) chưa đạt đến , thì độ dốc của dP / dV được đo tại điểm hoạt động mới (khối 14).

Nếu độ dốc là dương, rối loạn này được tiếp tục trong cùng một hướng (khối 15 và 16) cho đến khi đạt được "Vmin", điện áp thấp nhất bên dưới nơi mà điểm GP gần như khơng có khả năng xảy ra (khối 12). Tuy nhiên, nếu độ dốc dP / dV là âm, nó cho thấy rằng có một đỉnh (điểm C) trong vùng lân cận, và từ đây, kỹ thuật MPP thông thường được áp dụng để theo dõi điểm này (điểm C, khối 17). Nếu công suất tương ứng với đỉnh này ít hơn trước, thì các điểm hoạt động ban đầu (tức là, trước điểm quan sát lớn nhất trong quá trình theo dõi, điểm D) được khôi phục, và xáo trộn hiện tại được áp dụng theo hướng khác (khối 18, 20, và 21). Sự chuyển động bên phải là được chỉ định bởi "flag = -1" (khối 21).

Nếu công suất ở đỉnh mới lớn hơn so với trước đó, thì Pmax_last và Vm_last được cập nhật (khối 19), điểm này được coi như là ứng cử viên có khả năng cho điểm GP, và rối loạn ở phía bên trái đường cong P-V vẫn được tiếp tục cho đến khi đạt được một điểm nhỏ hơn hoặc Vmin (khối 12).

Bây giờ, sự xáo trộn được áp dụng đối với phía bên phải, và một quá trình tương tự được tiến hành (khối 13). Độ dốc dP / dV được đo sau mỗi xáo trộn lớn, và nếu nó là dương, thì nó cho thấy một đỉnh local trong vùng lân cận. Điểm này được theo dõi, và nếu độ lớn của nó lớn hơn Pmax_last, thì rối loạn này được tiếp tục ở bên phảị Tuy nhiên, trong suốt quá trình này, nếu bất kỳ điểm nhỏ hơn nào (điểm E) được quan sát, thì hoạt động sẽ được khôi phục tại (điểm B) nơi mà nó đã được lưu trữ như MPP trong suốt quá trình theo dõi nàỵ

Sự hoạt động thậm chí cịn được phục hồi tại điểm B, nếu đạt được Vmax, trong đó Vmax là bằng 85% của VOC_module (khối 11).

Thuật toán vẫn tiếp tục theo dõi đỉnh nếu chỉ có một đỉnh tồn tại trên đường cong P-V, như là trường hợp trong sự chiếu nắng đồng nhất, các thuật tốn có thể qt tồn bộ phạm vị Để tránh điều này, sau khi áp dụng của mỗi xáo trộn lớn (ΔVlarge), sự dao động cơng suất sẽ được đọ Do đó, trong trường hợp này, nếu các dao động lớn hơn so với một sự thay đổi cơng suất nhất định có thể chấp nhận được (ΔPtol: 4% -5% công suất dãy), bộ điều khiển ngay lập tức khôi phục các hoạt động để đến GP (khối 9).

3.3.2 Kết quả thuật tốn P&O dưới điều kiện dãy PV bị bóng che một phần

Một dãy PV(10 x 90 module) có 5 nhóm. Các module đều ở nhiệt độ 25oC, điện áp hở mạch VOC = 21.06 (V), dịng ngắn mạch ISC = 3.8 (A).

Bảng tóm tắt minh họa

Nhóm số 1

- Số tập hợp con trong tập hợp nối tiếp là 2, trong đó có 3 module khơng bị bóng che(cường độ bức xạ G = 1), 7 module bị che(cường độ bức xạ G = 0.1).

- Số tập hợp nối tiếp trong nhóm là 20.

Nhóm số 2

- Số tập hợp con trong tập hợp nối tiếp là 2, trong đó có 5 module khơng bị bóng che, 5 module bị bóng chẹ

- Số tập hợp nối tiếp trong nhóm là 20.

Nhóm số 3

- Số tập hợp con trong tập hợp nối tiếp là 2, trong đó có 6 module khơng bị bóng che, 4 module bị bóng chẹ

- Số tập hợp nối tiếp trong nhóm là 15.

Nhóm số 4

- Số tập hợp con trong tập hợp nối tiếp là 2, trong đó có 8 module khơng bị bóng che, 2 module bị bóng chẹ

Nhóm số 5

- Số tập hợp con trong tập hợp nối tiếp là 1, trong đó có 10 module khơng bị bóng chẹ - Số tập hợp nối tiếp trong nhóm là 20.

3.3.2.1 Kết quả Matlab mô phỏng các đường đặc tính V-I và P-I dưới điều kiện dãy PV bị bóng che một phần

Hình 3.12: Những đường cong đặc tính I – V và P – V của 2 tập hợp con trong nhóm

1, nhóm 2

Giải thích hình 3.12(a)

- Đường cong đặc tính I – V:đường màu xanh dương là của 3 module khơng bị bóng che (cường độ bức xạ G = 1), lúc này ta có thể xem nó là một module mới có ISC = 3.8 (A), VOC = 21.06 x 3 ≈ 63 (V), đường màu xanh lá cây là của 7 module bị bóng che(cường độ bức xạ G = 0.1), lúc này ta có thể xem nó là một module mới có ISC =

(3.8 x 0.1)/1 = 0.38(A), VOC ≈ 130 (V) với 

         . . .ln 1 V OC S SC I I q T k n .

- Đường cong đặc tính P – V:đường màu xanh dương là của 3 module khơng bị bóng che,P =V.I với giá trị V, I lấy từ đường đặc tính I – V tương ứng, đường màu xanh lá cây là của 7 module bị bóng chẹ

Hình 3.12(b): Tương tự hình 3.12(a)

Hình 3.13: Những đường cong đặc tính I – V và P – V của 2 tập hợp con trong nhóm

3, nhóm 4

Giải thích hình 3.13(a)

- Đường cong đặc tính I – V:đường màu xanh dương là của 6 module khơng bị bóng che ISC = 3.8(A), VOC = 21.06 x 6 ≈ 126(V), đường màu xanh lá cây là của 4 module bị bóng che ISC = (3.8 x 0.1)/1 = 0.38(A), VOC ≈ 74(V).

- Đường cong đặc tính P – V:đường màu xanh dương là của 6 module khơng bị bóng che, đường màu xanh lá cây là của 4 module bị bóng chẹ

Giải thích hình 3.13(b)

- Đường cong đặc tính I – V:đường màu xanh dương là của 8 module khơng bị bóng che ISC = 3.8(A), VOC = 21.06 x 8 ≈ 168(V), đường màu xanh lá cây là của 2 module bị bóng che ISC = (3.8 x 0.1)/1 = 0.38(A), VOC ≈ 37(V).

- Đường cong đặc tính P – V:đường màu xanh dương là của 8 module khơng bị bóng che, đường màu xanh lá cây là của 2 module bị bóng chẹ

Hình 3.14: (a),Đường I – V và P – V của tập hợp con nhóm 5. (b) Đường đặc tính I

– V và P – V của một tập hợp nối tiếp trong mỗi nhóm từ 1 đến 5.

Giải thích hình 3.14 (a) tương tự hình 3.12, hình 3.13 Giải thích hình 3.14 (b)

- Đường cong đặc tính I – V:Đường màu xanh dương là của một tập hợp nối tiếp nhóm 1, nó được hình thành bằng cách cộng 2 đường cong đặc tính I – V của 2 tập hợp con nhóm 1, ISC = 3.8(A), VOC = 63 + 130 = 193(V), tương tự, đường xanh lá cây của nhóm 2, VOC = 105 + 93 = 198(V), đường đỏ của nhóm 3, VOC = 126 + 74 = 200(V), đường xanh ngọc của nhóm 4, VOC = 168 + 37 = 205(V), đường hồng của nhóm 5, VOC = 211(V).

- Đường cong đặc tính P – V: Đường màu xanh dương là của một tập hợp nối tiếp nhóm 1, PS1 =V.I với giá trị V, I lấy từ đường đặc tính I – V tương ứng, tương tự,

đường xanh lá cây của nhóm 2, đường đỏ là của nhóm 3, đường màu xanh ngọc là của nhóm 4, đường màu hồng là của nhóm 5.

Hình 3.15: (a) Những đường đặc tính I – V và P – V của mỗi nhóm từ 1đến 5.

(b) Đường cong đặc tính I – V và P – V của một dãy PV

Giải thích hình 3.15 (a)

- Đường cong đặc tính I – V:Đường xanh dương của nhóm 1, nó hình thành bằng cách nhân đường đặc tính I – V của một tập hợp nối tiếp nhóm 1 với 20 (nhóm 1 có 20 tập hợp nối tiếp), ISC = 3.8 x 20 = 76(A), tương tự, đường xanh lá cây của nhóm 2, ISC = 3.8 x 20 = 76(A), đường đỏ của nhóm 3, ISC = 3.8 x 15 = 57 (A), đường xanh ngọc của nhóm 4, ISC = 3.8 x 15 = 57(A), đường hồng nhóm 5, ISC = 3.8 x 20 = 76(A), VOC = 211(V).

- Đường cong đặc tính P – V: đường xanh dương của nhóm 1, PG1 = V.I với giá trị V, I lấy từ đường đặc tính I – V tương ứng, tương tự cho các đường cịn lạị

Giải thích hình 3.15 (b)

- Đường cong đặc tính I – V: Hình thành bằng cách cộng 5 đường cong đặc tính từ nhóm 1 đến nhóm 5, ISC = 76 + 76 + 57 + 57 + 76 = 342(A), VOC = 211(V).

*Nhận xét:

Hình 3.16: Đường cong đặc tính P – V của dãy trong hình 3.15b

Hình 3.16 quan sát thấy đỉnh công suất PA1 xảy ra gần ở điện áp V1 = 3 × 16,8 ≈ 50.4V. Trong đó 3 là số module khơng bị bóng che trong một tập hợp nối tiếp của nhóm 1, 16,8V là 80% VOC_module xem xét. Tương tự cho PA2, PA3, PA4 và PA5, xảy ra gần V2 = 5 x 16,8 ≈ 84V, V3 = 6 x 16,8 ≈ 101V, V4 = 8 x 16,8 ≈ 134V và V5 = 10 × 16,8 = 168V.

* Kết luận quan trọng:

1) Các đỉnh trên đường cong P-V xảy ra gần như bội số của 80% VOC_module . 2) Khoảng cách tối thiểu giữa các đỉnh kế tiếp gần 80% VOC_module .

3) Nghiên cứu mở rộng của các đường cong P-V, cũng như là dữ liệu thực tế, đã cho

thấy rằng : Trên đường cong P – V, ta quan sát về bên trái hoặc về bên phải của đỉnh GP (đỉnh có cơng suất lớn nhất), thì độ lớn của các đỉnh cơng suất tiếp theo (tính từ đỉnh GP) sẽ liên tục giảm.

3.3.2.2 Kết quả Matlab mơ phỏng dị được đỉnh GP (đỉnh có cơng suất lớn nhất) dưới điều kiện dãy PV bị bóng che một phần dưới điều kiện dãy PV bị bóng che một phần

Hình 3.17: Kết quả mơ phỏng thuật tốn P&O dưới điều kiện dãy PV bị bóng che một

phần

Giải thích tổng quan thuật tốn P&O dưới điều kiện dãy PV bị bóng che một

Một phần của tài liệu Tối ưu công suất hệ thống tấm bin năng lượng mặt trời khi có hiện tượng bóng che (Trang 42)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(59 trang)