+ JFET (Junction Field Effect Transitor): là transitor trường được điều khiển
bằng tiếp xúc P-N (hay còn gọi là transitor trường cổng nối).
+ IGFET (Insulated Gatr Field Effect Transitor): là transitor trường có cổng
cách điện, thơng thường cổng cách điện đó là lớp oxit nên cịn gọi là Mosfet (Metal Oxit Semiconductor Field Effect Transitor). Trong loại này có thêm 2 loại nữa là Mosfet có kênh sẳn (DE – Mosfet) và Mosfet kênh cảm ứng (E – Mosfet), mỗi loại chia làm loại kênh N và kênh P.
Hình 46: Phân loại transitor trường
2) Đặc điểm của điễm của transitor trường FET so với transitor thường BJT BJT
2.1. Ưu điểm và nhược điễm
Ưu điểm
- FET là loại linh kiện một loại hạt dẫn (unipolar device). - FET có trở kháng vào rất cao.
- Nhiễu trong FET ít hơn nhiều so với Transistor lưỡng cực.
- FET không bù điện áp tại dịng ID = 0, do đó nó là linh kiện chuyển mạch tuyệt vời.
- Có độ ổn định về nhiệt cao. - Tần số làm việc cao.
- Kích thước của FET nhỏ hơn của BJT nên có nhiều ưu điểm trong IC. Nhược điểm: Nhược điểm chính của FET là hệ số khuếch đại điện áp thấp
hơn nhiều so với BJT
2.2. So sánh giống và khác nhau Giống nhau: Giống nhau: - Sử dụng làm bộ khuyếch đại. - Làm thiết bị đóng ngắt bán dẫn. - Thích ứng với các mạch có trở kháng. Khác nhau:
- BJT phân cực bằng dòng, FET phân cực bằng áp.
- BJT có hệ số khuyếch đại cao hơn, cịn FET có trở kháng vào lớn. - FET ít khi nhạy cảm với nhiệt độ, nên thường sử dụng trong các ic tích hợp.
- Trạng thái ngắt của FET tốt hơn BJT.
3) Giới thiệu về JFET3.1. Cấu tạo 3.1. Cấu tạo