Sau thời gian t1 khi đĩ UGS giảm về mức miller nên IG và ID khơng đổi cịn điện áp UDS tăng nhanh từ giá trị UDSon về giá trị điện áp nguồn US Bắt đầu từ

- Khơng giống như Transitor thường được giới thiệu ở phần trên, chúng được điều

Sau thời gian t1 khi đĩ UGS giảm về mức miller nên IG và ID khơng đổi cịn điện áp UDS tăng nhanh từ giá trị UDSon về giá trị điện áp nguồn US Bắt đầu từ

điện áp UDS tăng nhanh từ giá trị UDSon về giá trị điện áp nguồn US. Bắt đầu từ thời điểm t2 khi đĩ UGS nhỏ hơn mức miller nên dịng điện IG và ID giảm dầnvề giá trị khơng tại thời điểm t4.

e> Các thơng số của mosfet

- ID : dịng điện làm việc lien tục qua cực máng - IDM: Dịng điện cực đại qua cực máng

- VDS : Điện áp làm việc cực đại trên cực máng và cực gốc - RDS: Điện trở kênh dẫn khi làm việc ở điều kiện định mức - VGS: Điện áp điều khiển

1.2.6 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) a>Cấu trúc và ký hiệu: a>Cấu trúc và ký hiệu:

- IGBT là phần tử kết hợp khả năng đĩng cắt nhanh của MOSFET với khả năng chịu tải của transistor thường BJT. Do vậy IGBT cũng là phần tử được điều khiển bằng điện áp, do đĩ cơng suất điều khiển rất nhỏ, dạng tín hiệu thường là các xung điện áp 15V.

- Cấu trúc của IGBT cũng đưa ra ba cực Emitor, colector, và cực điều khiển G . Nhưng IGBT khác với MOSFET ở chỗ giữa E & C là cấu trúc bán dẫn p-n-p chứ khơng phải n-n. Cĩ thể coi IGBT giống như một transistor được điều khiển bởi một MOSFET. b> c> P Emitor n n p n n p G Colector a> n P Emitor n n p n n p G Colector n i2 i2 i1 C E G C E G

Hình 1.31 a> Cấu trúc IGBT, b> Cấu trúc IGBT tương đương một tranzitor với một MOSFET, c> Ký hiệu IGBT

b>Nguyên lý làm việc:

-Phân cực cho IGBT sao cho UCE > 0, sau đĩ cấp vào cực G một điện áp điều khiển UGE > 0 với một giá trị đủ lớn. Khi đĩ hình thành một kênh dẫn với các hạt là điện tử giống như MOSFET. Các hạt điện tử di chuyển về phía cực C, vượt qua lớp tiếp giáp p-n tạo nên dịng colector.

-Thời gian đĩng cắt của IGBT nhanh hơn transistor thường, trễ khi mở khoảng 0,15s , trễ khi khĩa khoảng 1s. Cơng suất điều khiển IGBT rất nhỏ thường mở dưới dạng điện áp điều khiển là 15V cịn dịng điện cỡ nA. Để mở thường cấp tín hiệu +15V, để khĩa thường cấp tín hiệu là -15V.

c> Các thơng số của IGBT