- Điện áp ngược cho phép lớn nhất Ung,max.
b. Khả năng chịu tả
1.2.13. ETO (EMITTER TURN OFF THYRISTOR)
Giống như MTO, ETO được phát triển trên cơ sở kết hợp các cơng nghệ của GTO và MOSFET. ETO được phát minh bởi trung tâm Điện tử cơng suất Virgina hợp tác với hãng SPCO. Ký hiệu ETO và mạch tương đương của nĩ được vẽ trên hình 1.44 T1 turn off K turn on n-MOSFET p-MOSFET T2 turn on A
Hình 1.44: Ký hiệu và sơ đồ tương đương của ETO
Linh kiện MOSFET T1 mắc nối tiếp với GTO và linh kiện MOSFET T2 mắc nối tắt giữa cổng kích của GTO và linh kiện MOSFET T1. Thực tế T1 bao gồm một số n-MOSFET và T2 bao gồm một số p-MOSFET, chúng được thiết kế bao quanh GTO để giảm tối đa cảm kháng giữa các linh kiện MOSFET và cổng Cathode của GTO.
ETO cĩ hai cổng điều khiển: một cổng của riêng GTO được sử dụng để đĩng nĩ và cổng thứ hai là cổng kích vào cổng MOSFET nối tiếp để ngắt ETO.
Khi áp đặt một điện thế để kích ngắt ETO lên cổng P-MOSFET, n-MOSFET bị tắt và nĩ đẩy tồn bộ dịng điện đang dẫn qua mạch cathode (lớp emitter n của transistor n-p-n trong cấu tạo GTO) sang mạch cổng kích của ETO với sự hỗ trợ của MOSFET T2. Do đĩ quá trình tái sinh trong linh kiện kết thúc làm linh kiện bị ngắt.
Điểm thuận lợi do cấu trúc chứa MOSFET nối tiếp mang lại là nĩ tạo điều kiện để chuyển dịng điện từ cathode sang mạch cổng thực hiện hồn tồn và nhanh chĩng, cho phép ngắt đồng thời tất cả các cathode trong cấu hình linh kiện. Điểm khơng thuận lợi là linh kiện nối tiếp này phải dẫn tồn bộ dịng điện qua Cathode của GTO vì thế làm tăng thêm độ sụt áp và tổn hao. Tuy nhiên, các MOSFET này cĩ điện áp thấp khi dẫn (0,3-0,5V) nên các hệ quả trên khơng quan trọng.
ETO về cơ bản gồm GTO cĩ trang bị thêm linh kiện phụ dạng MOSFET, nĩ giúp ngắt GTO nhanh, vì vậy giảm đáng kể tổn hao mạch cổng. Với đặc điểm như
vậy chi phí mạch điều khiển và mạch bảo vệ giảm đáng kể, đồng thời nâng cao khả năng cơng suất của GTO.