ĐIỆN TRỞ VÀO:

1.1.8.2 .DỊNG ĐIỆN TẠO BỞI CỦA ELECTRONS VÀ LỔ TRỐNG

5.5.2. ĐIỆN TRỞ VÀO:

Điện trở vào khi nhìn từ cực phát xác định theo quan hệ sau:

e e e in in(emitter) e in e r V R .I V R R I I I     (5.59)

Trong trường hợp RE  r 'e ta cĩ Rin(emitter)  r 'e,

5.5.3. ĐIỆN TRỞ RA:

Khi nhìn vào cực thu điện trở ac ra r 'c đấu song song với RC . Theo các nội dung đẽ khảo sát trong mạch khuếch đại cực phát chung CE ta cĩ r 'c>> RC . Tĩm lại ta cĩ:

out C

R  R (5.60)

THÍ DỤ 5.9:

Cho mạch khuếch đại cực nên chung (CB) như trong hình

H5.37, với transistor cĩ  DC 250. Xác định:

a./ Điện trở vào. b./ Độ lợi áp. c./ Độ lợi cơng suất

GIẢI:

Đầu tiên xác định điểm phân

cực tỉnh của transistor, ta cĩ: 1 2 TH 1 2 R .R 56 12 R 9,882k R R 56 12        2 cc TH 1 2 R .V 12 10 V 1,7647 V R R 56 12       TH BE   B TH DC E V V 1,7647 V 0,7 V I 0,00408 mA R 1 R 9,882 k 250 1 1 k               Dịng cực thu: IC  DC B.I  250 0,00408 1,02 mA  Dịng cực phát: IE  IB IC 0,00408 1,02 1,024mA  Áp VCE : VCE  VCC R .IE E  12 1 1,02 10,98 V   HÌNH H5.37

STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010 Điện trở AC tại cực phát: e E 25 mV 25 mV r ' 24,414 I 1,024mA    

Điện trở ac tương đương tại cực phát được xác định theo quan hệ:

e E e e E r ' R 0,024414 1 R 0,0238 k 23,8 r ' R 0,024414 1          

Theo (5.59) ta cĩ điện trở vào khi nhìn từ cực phát xác định theo quan hệ:

in(emitter) e

R R  23,8

Điện trở ac tương đương tại cực thu khi cĩ xét đến ảnh hưởng của điện trở tải được xác

định theo quan hệ (5.55) : C L ctd C L R R 2,2 10 R 1,803 k R R 2,2 10         Độ lợi áp: ctd V e R 1803 A 75,76 R 23,8   

STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010

BÀI TẬP

BÀI TẬP 5.1

a./ Vẽ mạch DC và AC tương đương cho mạch

khuếch đại trong hình H5.38.

b./ Xác định các giá trị : Rin(base) ; Rin(Tot) ; AV . c./ Nối tụ bypass tại điện trở RE tính lại các thơng số yêu cầu trong câu b.

d./ Nối thêm điện trở trên ngõ ra tính lại thơng số yêu cầu trong câu c.

BÀI TẬP 5.2

Cho mạch khuếch đại

trong hình H5.39.

a./ Xác định các thơng số của

điểm làm việc tỉnh DC.

b./ Xác định các thơng số ac của mạch khuếch đại: Rin(base) ;

Rin(Tot) ; AV ; Ai ; AP.

c./ Giả sử nguốn áp xoay chiều

cấp vào mạch khuếch đại cĩ

nội trở là 600Ω , áp hiệu dụng

lả 12µV. Xác định độ lợi áp

tồn phần của mạch .

BÀI TẬP 5.3

Cho mạch khuếch đại trong hình

H5.40 cĩ thể điều chỉnh thay đổi độ lợi bằng

biến trở 100Ω tại cực phát.

a./ Tìm độ lợi áp cực đại và cực tiểu của

mạch khuếch đại.

b./ Nếu lắp thêm điện trở tải 600Ω trên ngõ ra, xác định lại độ lợi áp cực tại và cực tiểu. c./ Tìm độ lợi áp tồn phần cực đại nếu điện

trở tải là 1 kΩ và nguồn áp vào cĩ nội trở là 300Ω.

HÌNH H5.38

HÌNH H5.39

STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010

BÀI TẬP 5.4

Cho mạch khuếch đại CC trong hình

H5.41. a./ Xác định chính xác độ lợi áp của

mạch.

b./ Tìm điện trở vào tồn phần của mạch . Điện áp DC của mạch là bao nhiệu ? c./ Khi nối thêm điện trở tải RL trên ngõ ra thơng qua tụ điện. Nếu độ lợi áp giảm đến giá trị 0,9 thì điện trở tải cĩ giá trị là bao nhiêu?

BÀI TẬP 5.5

Cho mạch khuếch đại

dùng cặp transistor Darlington trong hình H5.42.

a./ Xác định các điểm làm việc tỉnh DC của cặp transistor Darlington.

b./ Điện trở vào tồn phần. c./ Xác định độ lợi dịng tồn

phần của mạch khuếch đại.

BÀI TẬP 5.5

Cho mạch khuếch đại dùng cặp transistor Darlington trong hình H5.43. Tìm Rin(emitter) ; AV ;

Ai ; AP lúc mạch khuếch đại khơng tải.

Bất lợi của mạch khuếch đại CB là gì so với các loại khuếch đại CE và CC HÌNH H5.41

HÌNH H5.42

STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010

TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1]. LÊ PHI YẾN – LƯU PHÚ – NGUYỄN NHƯ ANH

KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ

Nhà xuất bản Đại Học Quốc Gia Tp Hồ Chí Minh - 2005

[2]. JIMMIE J. CATHEY

THEORY AND PROBLEMS OF ELECTRONICS DEVICE AND CIRCUITS Schaum’s Outline Series - McGRAW-HILL 2002

[3]. TONY R. KUPHALDT

LESSONS IN ELECTRIC CIRCUIT- VOL 3 - SEMICONDUCTOR

Design Science License – 2006

[4]. STEVEN T. KARRIS

ELECTRONIC DEVICE AND AMPLIFIER CIRCUITS WITH MATLAB APPLICATIONS Orchard Publications 2005

STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010

PHỤ LỤC 1

  PHƯƠNG PHÁP ĐỌC ĐIỆN TRỞ  VẠCH MÀU 

PL1.1. VẬT LIỆU CHẾ TẠO ĐIỆN TRỞ :

Khi chế tạo các mạch điện tử, người ta thường dùng nhiều phần tử điện trở. Kích thước của

điện trở dùng trong mạch điện tử bé nhất khoảng vài milimet cho đến lớn nhất khoảng vài cm. Vật

liệu chế tạo nên điện trở rất đa dạng; phổ biến nhất gồm 3 loại như sau: Than (các điện trở cơng suất bé < 1W).

Oxid kim loại (các điện trở cơng suất bé cĩ độ chính xác cao).

Kim loại cĩ điện trở suất lớn (các điện trở cơng suất lớn hơn 2W). Loại này thường được sử dụng trong các thiết bị gia nhiệt, trong các mạch khởi động động cơ dùng điện trở để hạn chế dịng điện khởi động.

PL1.2. KÝ HIỆU, ĐƠN VỊ ĐO VÀ CÁC DẠNG THƯỜNG GẶP :

Ký hiệu: Ký hiệu chuẩn mỗi bên cĩ 3 đỉnh nhọn.

Đơn vị đo tiêu chuẩn là :  , ngồi ra thường dùng k (103) và M (106).

Loại 4 vịng màu, 1/2W Loại 5 vịng màu, 1/2W Loại 4 vịng màu, 1W

Điện trở loại dán lên mạch in Điện trở mảng

Điện trở cơng suất

Điện trở cơng suất lớn dùng trong các mạch cơng suất

STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010

PL1.3. CƠNG SUẤT DANH ĐỊNH HAY CƠNG SUẤT ĐỊNH MỨC CỦA ĐIỆN TRỞ :

Mỗi điện trở được chế tạo với một cơng suất tối đa cho phép gọi là cơng suất danh định, ký hiệu Pdđ. Khi dùng điện trở trong mạch điện thì phải tính tốn sao cho cơng suất tiêu thụ thực

sự trên R luơn nhỏ hơn cơng suất danh định trong mọi truờng hợp.

Trong đa số trường hợp kích thước điện trở phụ thuộc vào cơng suất danh định và

được xác định bằng cách đọc thơng số ghi trên điện trở (thường chỉ cĩ đối với các điện trở

cơng suất lớn hơn 1W) hoặc xem kích thước điện trở.

Điện trở loại hàn xuyên lớp bé nhất hiện nay cĩ cơng suất danh định 1/8 W ; 1/4 W và 1/2W. Các điện trở cĩ cơng suất từ 1W trở lên cĩ đường kính tiết diện ngang bé nhất khoảng 4mm.

PL1.4. XÁC ĐỊNH GIÁ TRỊ R VÀ DUNG SAI BẰNG LUẬT MÀU VÀ LUẬT SỐ :

Các điện trở cĩ cơng suất bé hơn 1W thường cĩ giá trị điện trở cho bởi các vịng màu hoặc các số ghi trên thân điện trở.

Đối với các điện trở cĩ giá trị cho bởi vịng màu, cĩ hai dạng phổ biến là loại 4 vịng màu và loại 5 vịng màu. Các điện trở dán (loại dán trên mạch in – khơng cĩ chân để xuyên qua mạch in) cĩ giá trị cho bởi quy ước số ghi trên thân.

Cách xác định như sau:

HPL1.2: Giá trị điện trở được xác định theo quy ước màu và quy ước số.

HPL1.3: Bảng tiêu chuẩn giá trị của các vịng màu và vịng sai số.

Khi xác định R, cần phải xác định vịng sai số trước dựa vào 2 đặc điểm sau:  Vịng sai số nằm riêng rẽ, cách xa các vịng khác.  Vịng sai số cĩ một số màu nhất định. Điện trở 4 hay 5 vịng màu Vịng 1 Vịng 2 Vịng 3 Vịng 4 Vịng 5 Số thứ 1 Số thứ 2 Số thứ 3 Số mủ Sai số ĐEN 0 0 0 100 ± 1 % NÂU 1 1 1 101 ± 2 % ĐỎ 2 2 2 102 CAM 3 3 3 103 VÀNG 4 4 4 104 LỤC (XANH LÁ) 5 5 5 105 ± 0,5 % LAM (XANH DƯƠNG) 6 6 6 10 6 ± 0,25 % TÍM 7 7 7 107 ± 0,1 % XÁM 8 8 8 ± 0,05 % TRẮNG 9 9 9 VÀNG KIM 0,1 ± 5 % BẠC 0,01 ± 10 %

STU – KHOA CƠ KHÍ – TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ – BIÊN SOẠN: NGUYỄN THẾ KIỆT – 2010

Sau khi xác định được vịng sai số, đặt vịng này nằm ở vị trì cuối cùng bên phải và đọc từ trái qua phải.

Sau khi xác định được vịng sai số, đặt vịng này nằm ở vị trí cuối cùng bên phải và đọc từ trái qua phải.

Với loại điện trở 4 vịng màu thì:

R = AB.10C  sai số

A là số thứ nhất, B là số thứ hai . C là số mũ.

Với loại 5 vịng màu thì:

R = ABC.10D  sai số A là số thứ nhất. B là số thứ hai. C là số thứ ba. D là số mũ. THÍ DỤ:

R cĩ 4 vịng màu : Đỏ, tím, nâu, vàng nhũ thì giá trị là : 27.101  5% = 270  5%.

R cĩ 5 vịng màu : Vàng, tím, đen, đỏ, nâu thì giá trị là : 470.102  1% = 47000  1%

R cĩ ghi số 682K thì giá trị là : 68.102  10%

BẢNG GIÁ TRỊ THƯƠNG MẠI (GIÁ TRỊ CĨ SẢN XUẤT):

Bảng 1.1 : Bảng giá trị thương mại của điện trở.

< 1 1  10 10  100 100  1k 1k 10k 10k 100k 100k 1M  1M 1 10 100 1k 10k 100k 1M 12 120 1.2k 12k 120k 1.2M 1.5 15 150 1.5k 15k 150k 1.5M 18 180 1.8k 18k 180k 1.8M 2.2 22 220 2.2k 22k 220k 2.2M 24 240 2.4k 24k 240k 2.4M 27 270 2.7k 27k 270k 2.7M 0.33 3.3 33 330 3.3k 33k 330k 3.3M 3.9 39 390 3.9k 39k 390k 3.9M 0.47 4.7 47 470 4.7k 47k 470k 4.7M 51 510 5.1k 51k 510k 5.1M 5.6 56 560 5.6k 56k 560k 5.6M 6.2 62 620 6.2k 62k 620k 6.2M 68 680 6.8k 68k 680k 6.8M 8.2 82 820 8.2k 82k 820k 8.2M

Các điện trở trên thực tế chỉ được chế tạo với những giá trị theo bảng 1.1. Khi thiết kế mạch thường ta chỉ chọn được những giá trị gần với giá trị tính tốn nhất mà khơng chọn chính xác được giá trị theo tính tốn. Việc chọn gần đúng này nhằm mục đích tìm được một điện trở trên thị trường cĩ sẳn để lắp vào mạch. Vì chọn gần đúng nên trong một số trường hợp cần phải tính tốn lại theo giá trị chọn để cĩ độ chính xác. Ngồi ra cĩ thể dùng nhiều điện trở mắc nối tiếp, song song hoặc hỗn hợp để cĩ một giá trị điện trở mong

muốn. Ví dụ ta cần một điện trở 2k nhưng trên thị trường chỉ cĩ các điện trở loại 1k; 1,2k; 1,8k;

2,2k. Trong trường hợp này cĩ thể mắc nối tiếp 2 điện trở loại 1k để cĩ điện trở tương đương 2k. Một ví dụ khác là cĩ thể ghép song song 2 điện trở loại 2,2k để cĩ điện trở tương đương 1,1k. Trong trường hợp ghép nhiều điện trở như vậy mạch sẽ rắc rối thì cĩ thể dùng biến trở để chỉnh định.

HPL1.4: Bảng tĩm tắt qui tắc đọc giá trị điện trở Bằng các vịng màu và vịng sai số

CHƯƠNG 01 DIODE VÀ CÁC MẠCH ỨNG DỤNG 1.1.TỔNG QUAN VỀ CHẤT BÁN DẪN: ................................................................................................. 1 1.1.1.TĨM TẮT VỀ CẤU TRÚC NGUYÊN TỬ ............................................................................... 1 1.1.2.CHẤT DẪN ĐIỆN, CHẤT CÁCH ĐIỆN VÀ CHẤT BÁN DẪN: .................................................. 2 1.1.2.1.CHẤT DẪN ĐIỆN (CONDUCTOR) ........................................................................... 2 1.1.2.2.CHẤT CÁCH ĐIỆN (INSULATOR) ........................................................................... 2 1.1.2.3.CHẤT BÁN ĐIỆN (SEMICONDUCTOR) ................................................................... 2

1.1.3.DÃY NĂNG LƯỢNG (ENERGY BANDS): ............................................................................. 2

1.1.4. SO SÁNH CẤU TRÚC NGUYÊN TỬ CỦA CHẤT DẪN ĐIỆN VÀ CHẤT BÁN DẪN: .................. 3

1.1.5. SO SÁNH CẤU TRÚC NGUYÊN TỬ CỦA CHẤT BÁN DẪN SILICON VÀ GERMANIUM: ......... 4

1.1.6. NỐI CỘNG HĨA TRỊ (COVALENT BONDS): ....................................................................... 4

1.1.8. TÍNH DẪN ĐIỆN TRONG VẬT LIỆU BÁN DẪN: .................................................................... 4

1.1.8.1.TÍNH DẪN CỦA ELECTRONS VÀ LỔ TRỐNG: ......................................................... 5

1.1.8.2.DỊNG ĐIỆN TẠO BỞI CỦA ELECTRONS VÀ LỔ TRỐNG ........................................ 5

1.1.9. BÁN DẪN LOẠI N VÀ BÁN DẪN LOẠI P: ............................................................................. 6

1.1.9.1.BÁN DẪN LOẠI N: .................................................................................................. 7

1.1.9.2.BÁN DẪN LOẠI P: .................................................................................................. 7

1.2.DIODE: .......................................................................................................................................... 8

1.2.1. ĐỊNH NGHĨA VÀ CẤU TẠO: ........................................................................................................... 8

1.2.2. VÙNG NGHÈO (DEPLETION REGION): ...................................................................................... 8

1.2.3. ĐIỆN THẾ RÀO CẢN (BARRIER POTENTIAL): ........................................................................... 9

1.2.4. GIẢN ĐỔ NĂNG LƯỢNG TẠI MỐI NỐI PN VÀ VÙNG NGHÈO ................................................... 9

1.2.5. PHÂN CỰC DIODE: ..................................................................................................................... 10

1.2.5.1.PHÂN CỰC THUẬN: ............................................................................................ 10

1.2.5.2.PHÂN CỰC NGHỊCH: ........................................................................................... 11

1.2.6. ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE CỦA DIODE: ....................................................................... 12

1.2.6.1.ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE KHI PHÂN CỰC THUẬN (FORWARD BIAS): .............. 12

1.2.6.2.ĐIỆN TRỞ ĐỘNG (DYNAMIC RESISTANCE): ....................................................... 13

1.2.6.3.ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE KHI PHÂN CỰC NGHỊCH (REVERSE BIAS): ............. 14

1.2.6.4. ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE CỦA DIODE: .......................................................... 14

1.2.6.5. PHƯƠNG TRÌNH ĐẶC TUYẾN VOLT AMPERE CỦA DIODE THEO SCHOCKLEY: 15 1.3.CÁC MƠ HÌNH CỦA DIODE: ........................................................................................................ 16

1.3.1.MƠ HÌNH DIODE LÝ TƯỜNG: .......................................................................................... 16

1.3.2.MƠ HÌNH THỰC NGHIỆM CỦA DIODE: ............................................................................ 17

1.3.3.MƠ HÌNH HỒN CHỈNH CỦA DIODE: ............................................................................... 18

1.4.CHỈNH LƯU BÁN KỲ (HALF-WAVE RECTIFIERS): ..................................................................... 20

1.4.1.BỘ NGUỒN DC CƠ BẢN: ................................................................................................. 20

1.4.2.MẠCH CHỈNH LƯU BÁN KỲ: ............................................................................................ 21

1.4.3.GIÁ TRỊ TRUNG BÌNH CỦA ÁP CHỈNH LƯU BÁN KỲ: ........................................................ 21

1.4.5.ẢNH HƯỞNG CỦA ĐIỆN THẾ RÀO CẢN LÊN TÍN HIỆU RA CỦA MẠCH CHỈNH LƯU: ........ 22

1.4.6.ĐIỆN ÁP NGƯỢC ĐỈNH TRÊN DIODE (PIV - PEAK INVERSE VOLTAGE): ......................... 24

1.4.7.CHỈNH LƯU BÁN KỲ PHỐI HỢP VỚI BIẾN ÁP CÁCH LY GIẢM ÁP:.................................... 24

1.5.CHỈNH LƯU TỒN KỲ (FULL- WAVE RECTIFIERS) : .................................................................. 25

1.5.1.TỔNG QUAN: .................................................................................................................. 25

1.5.2.CHỈNH LƯU TỒN KỲ DÙNG 2 DIODE VÀ MÁY BIẾN ÁP CĨ ĐIỂM GIỮA: ......................... 26

1.6.2. ÁP TỨC THỜI TRÊN TẢI KHI CHỈNH LƯU TỒN KỲ CĨ MẠCH LỌC TỤ : .......................... 32

1.6.3. HỆ SỐ NHẤP NHƠ ĐIỆN ÁP TRÊN TẢI : ........................................................................... 34

1.7.DIODE ZENER: ........................................................................................................................... 39

1.7.1.TỔNG QUAN: ............................................................................................................................... 39

1.7.2.MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG CỦA DIODE ZENER: ......................................................................... 40

1.7.3.CÁC ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ LÊN DIODE ZENER: ........................................................ 42

1.7.3.1.HỆ SỐ NHIỆT (TEMPERATURE COEFFICIENT): ................................................... 42

1.7.3.2.CƠNG SUẤT TIÊU TÁN (POWER DISSIPATION): .................................................. 42

1.7.4.CÁC ÁP DỤNG CỦA DIODE ZENER: ................................................................................. 43

1.7.4.1.DÙNG DIODE ZENER ĐIỀU HỊA ÁP NGÕ RA KHI ÁP NGÕ VÀO THAY ĐỔI: .......... 43

1.7.4.2.DÙNG DIODE ZENER ĐIỀU HỊA ÁP NGÕ RA KHI TẢI THAY ĐỔI: ......................... 45

1.7.4.3.MẠCH GIỚI HẠN DÙNG DIODE ZENER – MẠCH XÉN: .......................................... 47

1.8.LED (LIGHT-EMITTING DIODE): ................................................................................................... 48

1.8.1.NGUYÊN TẮC HOẠT ĐỘNG VÀ CẤU TẠO: ........................................................................ 48

1.8.2.THƠNG SỐ VÀ ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA LED: ............................................................... 50

1.8.3. CÁC ỨNG DỤNG CỦA LED: ............................................................................................. 52

1.8.3.1.LED 7 ĐOẠN (7 SEGMENTS LED): ........................................................................ 52

1.8.3.2.LED CĨ CƯỜNG ĐỘ SÁNG LỚN (HIGH INTENSITY) LED CỰC SÁNG (ULTRA BRIGHT): …………………………………………………........ 53

CHƯƠNG 2 TRANSISTOR – CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC 2.1.TỔNG QUAN VỀ TRANSISTORS: ................................................................................................. 51

2.1.1.CẤU TRÚC CỦA TRANSISTORs: ...................................................................................... 51

2.1.2.NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA TRANSISTORs: ............................................................... 51

2.1.3.CÁC THÀNH PHẦN DỊNG ĐIỆN QUA TRANSISTORS:…………………………………………. 52

2.1.4.CÁC THƠNG SỐ VÀ ĐẶC TUYẾN CỦA TRANSISTORS: .................................................... 54

2.1.4.1.HỆ SỐ DC VÀ HỆ SỐ DC : ................................................................................. 54

2.1.4.2.GIẢI TÍCH ÁP VÀ DỊNG TRONG MẠCH PHÂN CỰC TRANSISTOR: ....................... 54

2.1.4.3.ĐẶC TUYẾN CỰC THU CỦA TRANSISTOR: .......................................................... 55

2.1.4.4.VÙNG NGƯNG DẪN (CUT OFF): ........................................................................... 57

2.1.4.5.VÙNG BÀO HỊA (CUT OFF): ................................................................................ 57

2.1.4.6.ĐƯỜNG TẢI DC (DC LOAD LINE): ........................................................................ 58

2.1.4.7.ẢNH HƯỞNG NHIỆT ĐỘ LÊN HỆ SỐ KHUẾCH ĐẠI DỊNG DC: ............................ 59

2.1.4.8.CƠNG SUẤT CỰC ĐẠI CỦA TRANSISTOR: ........................................................... 59

2.1.4.9.SỰ THAY ĐỔI CƠNG SUẤT CỰC ĐẠI THEO NHIỆT ĐỘ: ........................................ 60

2.2.CÁC CHẾ ĐỘ LÀM VIỆC CỦA TRANSISTOR: ............................................................................... 61

2.2.1.CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI: ..................................................................................................... 61

2.2.1.1.CÁC ĐẠI LƯỢNG DC VÀ AC: ................................................................................ 61

2.2.1.2.KHẢO SÁT MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR: .......................................... 61

2.2.2.CHẾ ĐỘ ĐĨNG NGẮT: ..................................................................................................... 63

2.2.2.1.ĐIỀU KIỆN ĐẠT TRẠNG THÁI NGƯNG DẪN: ........................................................ 63

2.2.2.2.ĐIỀU KIỆN ĐẠT TRẠNG THÁI BẢO HỊA: ............................................................. 63

2.3.HÌNH DẠNG VÀ VỊ TRÍ CHÂN RA CỦA TRANSISTOR: .................................................................. 65

2.4.CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC TRANSISTOR: ......................................................................... 67

2.4.1. ĐIỂM LÀM VIỆC DC: ........................................................................................................ 67

2.4.1.1. PHÂN CỰC DC: ................................................................................................... 67

2.4.1.5. SỰ SÁI DẠNG (DISTORSION) : ........................................................................... 71

2.4.2. PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP: .................................................................................. 72

2.4.2.1. ĐIỆN TRỞ NHẬP TẠI CỰC NỀN : ................................................................................. 73

2.4.2.2. GIẢI TÍCH MẠCH PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP : ................................................ 73

2.4.2.3. GIẢI TÍCH MẠCH PHÂN CỰC DÙNG MẠCH THÉVENIN TƯƠNG ĐƯƠNG : ............. 75

2.4.2.4. KHẢO SÁT TÍNH ỔN ĐỊNH CỦA MẠCH PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP : ............ 76

2.4.2.5. GIẢI TÍCH MẠCH PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP CHO TRANSISTOR PNP : ...... 77

2.4.3.PHÂN CỰC CỰC NỀN (BASE BIAS): ................................................................................ 80

2.4.4.PHÂN CỰC CỰC PHÁT ( EMITTER BIAS): ........................................................................ 81