Quan sát hình 1.11 ta có thể thấy sự tương tác của hai lớp FM được ngăn cách bởi một lớp phi từ trung gian. Một trong hai lớp FM (được gọi là lớp ―ghim‖ trong hình) có hướng từ độ ―đóng băng‖ bởi sự liên kết với một lớp AFM [10,15,18,19].
1.7. Mục tiêu của luận văn.
Để nghiên cứu tính chất từ của cấu trúc spin van, 3 loại màng mỏng sau đây đã được chế tạo:
- Màng đơn lớp: Si/SiO2/Ta/NiFe/Ta. - Màng 2 lớp: Si/SiO2/Ta/NiFe/IrMn/Ta.
- Màng đa lớp: Si/ SiO2/Ta/NiFe/Cu/NiFe/IrMn/Ta.
Trong quá trình chế tạo, một từ trường có độ lớn 150 Oe và song song với mặt phẳng màng đã được đặt vào.
AFM FM bị ghim
NM FM tự do
Để chế tạo các màng này ta có thể sử dụng phương pháp bốc bay nhiệt, phún xạ catốt,… Tuy nhiên, do phương pháp phún xạ catốt có những ưu điểm hơn hẳn so với phương pháp bốc bay nhiệt như độ dày của màng chế tạo được điều khiển chính xác hơn và khả năng bám dính của màng trên đế tốt hơn. Do đó, em đã sử dụng phương pháp phún xạ catốt để chế tạo các vật liệu nêu trên. Mẫu sau khi chế tạo được tiến hành đo hiển vi điện tử quét (SEM), nhiễu xạ tia X (XRD) và từ kế mẫu rung (VSM) để biết được tính chất và cấu trúc của chúng.
Chƣơng 2: CÁC PHƢƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM 2.1. Chế tạo màng mỏng bằng phƣơng pháp phún xạ. 2.1. Chế tạo màng mỏng bằng phƣơng pháp phún xạ.
2.2.1. Cơ chế phún xạ.
Theo quan điểm vật lý, phún xạ là một q trình hồn tồn khác với sự bốc bay. Quá trình phún xạ thường được so sánh với q trình xảy ra trong trị chơi bi a: khi đẩy một quả bi chủ về phía các quả bi a đang xếp gần với nhau, các quả bi a này sẽ bị tán xạ theo tất cả các hướng, kể cả hướng trở lại phía người chơi. Hình 2.1 biểu diễn các quá trình cơ bản của của cơ chế phún xạ [1].