I- MỤC ĐÍCH BÀI HỌC:
MOSFET CƠNG SUẤT
TIẾN HÀNH THÍ NGHIỆM
1. Nối các cổng POWER INPUT của board mạch đến nguồn cấp 15V. Đừng mở
nguồn cấp tại lúc này.
Hình 4.14 Hình 4.15
2. Nối mạch như hình 4.14.
3. Mở nguồn cấp. Điều chỉnh máy phát sĩng vuơng, tần số 20 kHz, biên độ +10/- 10V. Nối tín hiệu vừa tạo được đến ngõ vào khối Driver.
4. Chỉnh dao động ký để quan sát áp cổng nguồn VGS và áp VDS trong quá trình mở
MOSFET (hình 4.14). 5. Vẽ dạng sĩng quan sát được:
6. Chỉnh dao động ký để bạn cĩ quan sát dịng ID (đo áp trên điện trở R2) trong quá trình MOSFET mở. Vẽ dạng sĩng quan sát được:
7. Tham khảo hình phía trước, ước lượng thời gian trễ mở td(on) của MOSFET.
td(on) =……….. nsec
8. Trong khối mạch DRIVER, chuyển jumper để mà tín hiệu chuyển mạch đi qua từ lưỡng cực đến đơn cực rồi đến lưỡng cực. Lập lại thao tác này trong khi quan sát
dao động ký.
9. Bạn quan sát dấu hiệu thay đổi tín hiệu mở khi chuyển mạch được điều khiển với
tín hiệu lưỡng cực tốt hơn với tín hiệu đơn cực?
IGBT
TIẾN HÀNH THÍ NGHIỆM
1. Nối các cổng POWER INPUT của board mạch đến nguồn cấp 15V. Đừng mở
nguồn cấp tại lúc này.
Hình 4.18 Hình 4.19
2. Nối mạch như hình 4.18.
3. Mở nguồn cấp. Điều chỉnh máy phát sĩng vuơng, tần số 20 kHz, biên độ +10/- 10V. Nối tín hiệu vừa tạo được đến ngõ vào khối Driver.
4. Chỉnh dao động ký để quan sát áp VGE và áp VCE trong quá trình IGBT mở.
5. Vẽ dạng sĩng quan sát được:
6. Trong khối mạch DRIVER, chuyển jumper để mà tín hiệu chuyển mạch đi qua từ đơn cực đến lưỡng cực rồi đến đơn cực. Lặp lại thao tác này trong khi quan sát
7. Bạn quan sát dấu hiệu thay đổi tín hiệu mở khi chuyển mạch được điều khiển với
tín hiệu lưỡng cực tốt hơn với tín hiệu đơn cực?
OĐúng OSai
8. Bảo đảm rằng mạch lái được thiết lập để cung cấp tín hiệu chuyển mạch đơn cực.
9. Chỉnh dao động ký để quan sát VGE và VCE trong quá trình IGBT ngắt. Vẽ tín hiệu quan sát được:
10. Tham khảo hình bước 5, ước lượng thời gian đi lên tr của quá trình IGBT mở. tr = ………nsec
11. Dùng chức năng volt kế dc của đồng hồ đo vạn năng, đo áp collector-emitter VCE(on) trong quá trình IGBT dẫn. VCE(on)=……….. V
Kết Luận:
____________________________________________________________________ ____________________________________________________________________ ____________________________________________________________________