Plasma là một dạng thứ 4 của vật chất chứa các hạt trung hòa và tích điện bao gồm một vài hay tất cả các hạt sau : electron, ion dương, ion âm, nguyên tử, phân tử. Xét trung bình, thì điện tích của khối plasma là trung hòa do nếu có điện tích nào đó không cân bằng thì dẫn đến sự hình thành điện trường mà điện trường này có xu hướng làm triệt tiêu sự không cân bằng. Tổng điện tích dương và điện tích âm trong khối plasma là cân bằng nhau.
Hình 2-1: Mô hình lắng đọng hơi hóa học của buồng điện cực song song[19]
Hệ plasma trong phòng thí nghiệm được tạo bởi hai điện cực song song là phổ biến. Hai điện cực được nối một với nguồn xoay chiều hoặc một chiều, một nối với đất. Trong buồng phản ứng, ta chia thành hai phần, phần plasma là nơi tạo ra các hạt phản ứng, và vùng đệm (không có plasma) là vùng chuyển các hạt phản ứng từ vùng plasma đến nới cần phủ màng. (như Hình 2-1). Trong vùng chứa plasma giá trị của điện trường bé thường là bằng 0, phía ngoài điện trường mạnh[19].
Phương pháp lắng đọng hơi hóa học tăng cường plasma (PECVD) được sử dụng phổ biến cho việc tạo màng cách điện Silicon Nitride và Silicon dioxide. Ưu điểm của PECVD là hoạt động ở nhiệt độ thấp hơn so với hệ lắng đọng hơi hóa học thông thường (CVD). Chẳng hạn, để phủ màng Silicon nitride bằng hệ nhiệt CVD thì yêu cầu nhiệt độ 0 0
700 900 C, trong khi với hệ PECVD thì nhiệt độ đó chỉ vào khoảng 250-3000C [19]. Do việc sử dụng sóng điện từ cho vào môi trường của hệ CVD, và sự thay thế việc kích thích các hạt phản ứng bằng nhiệt bởi kích thích bằng điện thông qua các điện tử. Ngoài ra hệ PECVD còn được phát triển để phủ các loại màng polycrystal silicon, epitaxial Silicon, epitaxial gallium asenide …