5.2.3 So sánh độ phản xạ tính toán các loại màng
Ta sẽ sử dụng với độ dày từng màng với các trường hợp lưu ý sau : Bảng 5: Qui ước kí hiệu bề dày màng so sánh Bề dày ¼ sóng 600nm Bề dày tối ưu ARC
trường hợp một màng Chiết suất Độ lớn Kí hiệu Độ lớn Kí hiệu
Silicon
dioxide 102.8807 nm qw 80 nm. opt 1.4580
Silicon
nitride 75.4907 nm 110 nm 1.9870
Đồ thị Hình 5-9 mô tả hệ số phản xạ theo các bước sóng khác nhau với bề dày màng SiO và SiN như qui ước như Bảng 5.
Với mẫu tính toán 2layer_opt là mẫu tối ưu hóa chống phản xạ bề dày hai màng, 2layer_trans_opt là hoán đổi độ lớn bề dày hai màng đó. Chỉ số sau cùng ở phần ghi chú cho đồ thị là giá trị hệ số phản xạ
Hình 5-9: Trường hợp chiếu vuông góc. Hệ số phản xạ ứng với các bề dày khác nhau của hai
200 400 600 800 1000 1200 0 10 20 30 40 50 60 70 80 R e fl e ct io n (% ) Wavelenght (nm) 2layer_opt|SiN: 64.00,SiO:84.00|R=6,95% SiOoptSiNqw |SiN:75.49,SiO:110.00|R=7,94% SiOqwSiNopt |SiN:80.00,SiO: 102.88|R=7,95% SiOqwSiNqw |SiN:75.49,SiO:102.88|R=8,0% 2layer_trans_opt |SiN:84.00,SiO:64.00|R=8,56% SiOoptSiNopt |SiN:80.00.SiO:110.00|R=8,20% He so phan xa tinh toan mang hai lop
Mẫu SiOqwSiNqw tức xét trường hợp màng SiO bề dày ¼ sóng 600nm phủ trên màng SiN bề dày ¼ sóng 600nm , và SiOqwSiNopt tức màng SiO bề dày ¼ sóng 600nm trên màng SiN bề dày trường hợp một màng tối ưu. Ta nhận thấy vùng đáy các mẫu đều nhỏ hơn so với mẫu tối ưu bề dày ARC 2layer_opt. Khi khảo sát tương ứng bề dày trong thực nghiệm, ta chỉ có thể tạo những mẫu bề dày gần với bề dày mong muốn và có phổ phản xạ đồng dạng với mô phỏng và gần khớp (Hình 5-5, Hình 5-6). Tuy nhiên sự phản xạ của các mẫu có bề dày gần nhau là không khác biệt theo như thực nghiệm (Hình 5-5, Hình 5-6) cũng như tính toán (Hình 5-9) cho thấy vị trí tương đối của dữ liệu trong đồ thị phản xạ của các mẫu tính toán với nhau, tương tự như mẫu thực nghiệm với nhau khi ta xét cùng giá trị bề dày các màng. Do đó, sự dịch chuyển của đáy phổ phản xạ của mô phỏng và thực nghiệm là cùng chiều, nên có thể sử dụng dữ liệu ở Hình 5-7 để định hướng tìm vị trí cực tiểu phản xạ thực từ khu vực bề dày cho cực tiểu phản xạ (Hình 5-2 mô phỏng) bằng cách trước tiên chọn chiều tiến cho vùng màu (đại diện cho bước sóng tại vị trí đáy phổ phản xạ), sau đó chọn chiều thay đổi cho d1(SiO) và d2(SiN) theo chiều tiến vùng màu đã chọn. Như mẫu M1 và M2 có bề dày tương ứng vùng có màu vàng (đáy tại vị trí quanh bước sóng 800nm ), tăng d1 và d2 thì đáy phổ tiến về phía bước sóng lớn (màu đỏ).
Việc giới hạn khoảng bước sóng khảo sát trong Code 9 ta sẽ có bề dày tối ưu khác nhau, do ta tối ưu chống phản xạ ứng với phổ AM 1.5 Global không có đồng đều về mật độ năng lượng của các bước sóng tới. Hệ số phản xạ tương ứng bề dày xác định hiễn nhiên là không đổi khi ta thay đổi khoảng bước sóng quan tâm.
Kết luận và hướng phát triển
Tối ưu hóa chống phản xạ tại bề mặt của tế bào quang điện một lớp tiếp xúc p-n được xem xét với phổ mật độ năng lượng phổ mặt trời nghiêng góc chiếu bề dày gấp 1,5 lần so với phương thẳng đứng (Global tilt AM 1.5) là sự cực tiểu hóa số photon có thể hấp thụ và chuyển hóa thành dòng quang điện phản xạ lại ứng với trường hợp chiếu vuông góc. Sử dụng hai vật liệu silicon nitride và silicon oxide được tạo từ máy PECVD để tạo màng điện môi chống phản xạ. Ta có thể nhận được nhiều chiết suất của màng ứng với các điều kiện phủ màng khác nhau. Việc tính toán tối ưu hóa được xác định cho mẫu vật liệu silicon nitride và silicon dioxide như đã nêu ở mục 5.1.
Phương pháp ma trận truyền được sử dụng để dự đoán khoảng bề dày cần đạt được trong thực nghiệm cho màng chống phản xạ đơn lớp cũng như đa lớp. Với trường hợp màng đơn lớp sử dụng màng silicon nitride bề dày tối ưu chống phản xạ với trường hợp chiếu vuông góc là 80 nm độ phản xạ là 9%, màng đơn lớp chống phản xạ là silicon dioxide là 110 nm với độ phản xạ là 15%. Với trường hợp sử dụng màng chống phản xạ hai lớp, theo như sự tương tác của sóng ánh sáng tại mặt phân cách nêu ở mục 3.2.4 thì silicon dioxide được phủ bên trên màng silicon nitride, bề dày tối ưu được chọn là d_SiO: 84 nm, d_SiN: 64 nm, tỉ lệ số photon phản xạ lại 6.95%. Qua khảo sát với các mẫu hai lớp bề dày khác (mục 5.2) thì nhận thấy phương pháp ma trận truyền này cho kết quả phù hợp với thực nghiệm màng hai lớp tại hình dạng phổ hệ số phản xạ, sự tương đối giữa phổ hệ số phản xạ tính toán và phổ thực nghiệm là tương đồng, đặc biệt quan tâm là đáy của phổ phản ánh sự cực tiểu phản xạ tác dụng ở khoảng bước sóng nào thì tính toán và thực nghiệm gần nhau (trong đo đạc bề dày có sai số).
Phương pháp ma trận truyền này ta có thể vận dụng cho các chiết suất màng silicon nitride và silicon dioxide tạo từ máy PECVD ứng với các chiết suất khác nhau với các góc khác nhau với số lần ánh sáng đập vào lớp tiếp giáp nhiều hơn 1 (trong trường hợp pin năng lượng mặt trời đơn tinh thể có xử lý tạo nhám bề mặt bằng các kim tự tháp phân bố ngẫu nhiên) và có thể sử dụng cho màng nhiều lớp hơn như màng có chiết suất tăng theo độ sâu có thể phủ được từ máy PECVD.
TÀI LIỆU THAM KHẢO
TÀI LIỆU TIẾNG VIỆT
[1] Đinh Sĩ Hiền ( 2007), Linh kiện bán dẫn, ĐHQG TP. Hồ Chí Minh, Việt Nam.
[2] Phùng Hồ, Phan Quốc Phổ ( 2007), Giáo trình Vật lý Bán dẫn, NXB Khoa học và kỹ thuật, Hà Nội, Việt Nam.
[3] Brébec JM ( 2006), Quang học sóng, NXB Giáo Dục, Việt Nam.
[4] Hoàng Lan, Phạm Văn Đổng ( 2004), Giáo trình Điện động lực học, Đại học Sư Phạm TP Hồ Chí Minh, Việt Nam.
TÀI LIỆU TIẾNG ANH
[5] Alayo MI et al.( 2002),"On the nitrogen and oxygen in corporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiON films,"
Elsevier, no. (402), pp. 154-164.
[6] Bates R, Roelkens G ( 2010), Fotonica Photonics, Department of Information Technology (INTEC)- Universiteit GENT, Belgium.
[7] Boogaard A ( 2011), Plasma enhace chemical deposition of Silicon dioxide, University of Twente, Neitherland.
[8] Emery K. Reference Solar Spectral Irradiance. [Internet]. 2002 Available from: http://rredc.nrel.gov/solar/spectra/am1.5/.
[9] Fujiwara H ( 2007), Spectrocopic Ellipsometry Principles and applications, John Wiley & Son.
[10] Goetzberger A, Knobloch J, Voss B ( 1998), Crystalline Silicon Solar cells, John Wiley & Son, England.
[11] Lê Chí Hiệp ( 2009), Solar energy and solar photovoltaics in Viet Nam, Berlin.
[12] Holger Neuhaus D and Munzer A ( 2007),"Review Article Industrial Silicon Wafer Solar Cells," Hindawi Publishing Corporation, no. (24521), pp. 1-15. [13] Honsberg C, Bowden S. PVCDROM. [Internet]. Available from:
http://www.pveducation.org/.
[14] Hussein MG et al. ( 2007),"Optimization of plasma enhanced chemical vapour deposition silicon oxynitride layer for intergrated optics application,"
ScienceDirect, no. (517), pp. 3779-3786.
[15] Iacona F et al. ( 2001),"Structural properties of SiO film sprepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition," Pergamon, pp. 43-46. [16] Kerr MJ et al. ( 2001),"Surface Passivation of Silicon Solar Cells Using
Plasma Silicon Nitride Films and Thermal Silicon Oxide/Plasma Silicon Nitride Stacks," IOP Sience, vol. 16, no. (3), pp. 483-493.
[17] Stenzel O ( 2005), The Physics of Thin film optical spectra, Springer, Berlin. [18] Jef Poortmans, Vladimir Arkhipov ( 2006), Thin film solar cell fabrication,
characterization and application, John Wiley & Son, UK.
[19] M. Rossnagel S, J. Cuomo J, D.WestWood W, editors ( 1990), Hand book of Plasma Processing Technology, Noyes Publication, USA.
[20] SCI ( 2006), Filmtek operation manual, SCI.
[21] Sernelius B. TFYY67, Electrodynamics. [Internet]. Available from:
http://www.ifm.liu.se/courses/TFYY67/.
[22] Wright DN et al. ( 2005),"Double layer antireflective coatings for Silicon Solar cells," IEEE, pp. 1237-1240.
[23] Zeghbroeck BV. Principles of Semiconductor Devices. [Internet]. 2011 Available from:
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter4/ch4_8.htm#4_8_2. [7] Hiền ĐS, ( 2007), Linh kiện bán dẫn, ĐHQG TP. Hồ Chí Minh, Việt Nam.
[4] Phùng H, Phan Quốc P, ( 2007), Giáo trình Vật lý Bán dẫn, NXB Khoa học và kỹ thuật, Hà Nội, Việt Nam.
[11] Brébec JM, ( 2006), Quang học sóng, NXB Giáo Dục, Việt Nam.
[10] Lan H, Đổng PV, ( 2004), Giáo trình Điện động lực học, Đại học Sư Phạm TP Hồ Chí Minh, Việt Nam.
[20] Alayo MI et al., ( 2002),"On the nitrogen and oxygen in corporation in plasma- enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiON films," Elsevier, no. (402), pp. 154-164.
[12] Bates R, Roelkens G, ( 2010), Fotonica Photonics, Department of Information Technology (INTEC)- Universiteit GENT, Belgium.
[15] Boogaard A, ( 2011), Plasma enhace chemical deposition of Silicon dioxide, University of Twente, Neitherland.
[23] Emery K. Reference Solar Spectral Irradiance. [Internet]. 2002 Available from:
http://rredc.nrel.gov/solar/spectra/am1.5/.
[3] Fujiwara H, ( 2007), Spectrocopic Ellipsometry Principles and applications, John Wiley & Son.
[5] Goetzberger A, Knobloch J, Voss B, ( 1998), Crystalline Silicon Solar cells, John Wiley & Son, England.
[1] Hiệp LC, ( 2009), Solar energy and solar photovoltaics in Viet Nam, Berlin. [2] Holger Neuhaus D and Munzer A, ( 2007),"Review Article Industrial Silicon
Wafer Solar Cells," Hindawi Publishing Corporation, no. (24521), pp. 1-15. [6] Honsberg C, Bowden S. PVCDROM. [Internet]. Available from:
http://www.pveducation.org/.
[19] Hussein MG et al., ( 2007),"Optimization of plasma enhanced chemical vapour deposition silicon oxynitride layer for intergrated optics application,"
ScienceDirect, no. (517), pp. 3779-3786.
[16] Iacona F et al., ( 2001),"Structural properties of SiO film sprepared by plasma- enhanced chemical vapor deposition," Pergamon, pp. 43-46.
[21] Kerr MJ et al., ( 2001),"Surface Passivation of Silicon Solar Cells Using Plasma Silicon Nitride Films and Thermal Silicon Oxide/Plasma Silicon Nitride Stacks,"
IOP Sience, vol. 16, no. (3), pp. 483-493.
[13] Stenzel O, ( 2005), The Physics of Thin film optical spectra, Springer, Berlin. [9] Jef Poortmans, Vladimir Arkhipov, ( 2006), Thin film solar cell fabrication,
characterization and application, John Wiley & Son, UK.
[22] M. Rossnagel S, J. Cuomo J, D.WestWood W, editors, ( 1990), Hand book of Plasma Processing Technology, Noyes Publication, USA.
[14] SCI, ( 2006), Filmtek operation manual, SCI.
[18] Sernelius B. TFYY67, Electrodynamics. [Internet]. Available from:
[17] Wright DN et al., ( 2005),"Double layer antireflective coatings for Silicon Solar cells," IEEE, pp. 1237-1240.
[8] Zeghbroeck BV. Principles of Semiconductor Devices. [Internet]. 2011 Available from: http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter4/ch4_8.htm#4_8_2.
[7] Hiền ĐS, ( 2007), Linh kiện bán dẫn, ĐHQG TP. Hồ Chí Minh, Việt Nam.
[4] Phùng H, Phan Quốc P, ( 2007), Giáo trình Vật lý Bán dẫn, NXB Khoa học và kỹ thuật, Hà Nội, Việt Nam.
[11] Brébec JM, ( 2006), Quang học sóng, NXB Giáo Dục, Việt Nam.
[10] Lan H, Đổng PV, ( 2004), Giáo trình Điện động lực học, Đại học Sư Phạm TP Hồ Chí Minh, Việt Nam.
[20] Alayo MI et al., ( 2002),"On the nitrogen and oxygen in corporation in plasma- enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiON films," Elsevier, no. (402), pp. 154-164.
[12] Bates R, Roelkens G, ( 2010), Fotonica Photonics, Department of Information Technology (INTEC)- Universiteit GENT, Belgium.
[15] Boogaard A, ( 2011), Plasma enhace chemical deposition of Silicon dioxide, University of Twente, Neitherland.
[23] Emery K. Reference Solar Spectral Irradiance. [Internet]. 2002 Available from:
http://rredc.nrel.gov/solar/spectra/am1.5/.
[3] Fujiwara H, ( 2007), Spectrocopic Ellipsometry Principles and applications, John Wiley & Son.
[5] Goetzberger A, Knobloch J, Voss B, ( 1998), Crystalline Silicon Solar cells, John Wiley & Son, England.
[1] Hiệp LC, ( 2009), Solar energy and solar photovoltaics in Viet Nam, Berlin. [2] Holger Neuhaus D and Munzer A, ( 2007),"Review Article Industrial Silicon
Wafer Solar Cells," Hindawi Publishing Corporation, no. (24521), pp. 1-15. [6] Honsberg C, Bowden S. PVCDROM. [Internet]. Available from:
[19] Hussein MG et al., ( 2007),"Optimization of plasma enhanced chemical vapour deposition silicon oxynitride layer for intergrated optics application,"
ScienceDirect, no. (517), pp. 3779-3786.
[16] Iacona F et al., ( 2001),"Structural properties of SiO film sprepared by plasma- enhanced chemical vapor deposition," Pergamon, pp. 43-46.
[21] Kerr MJ et al., ( 2001),"Surface Passivation of Silicon Solar Cells Using Plasma Silicon Nitride Films and Thermal Silicon Oxide/Plasma Silicon Nitride Stacks,"
IOP Sience, vol. 16, no. (3), pp. 483-493.
[13] Stenzel O, ( 2005), The Physics of Thin film optical spectra, Springer, Berlin. [9] Jef Poortmans, Vladimir Arkhipov, ( 2006), Thin film solar cell fabrication,
characterization and application, John Wiley & Son, UK.
[22] M. Rossnagel S, J. Cuomo J, D.WestWood W, editors, ( 1990), Hand book of Plasma Processing Technology, Noyes Publication, USA.
[14] SCI, ( 2006), Filmtek operation manual, SCI.
[18] Sernelius B. TFYY67, Electrodynamics. [Internet]. Available from:
http://www.ifm.liu.se/courses/TFYY67/.
[17] Wright DN et al., ( 2005),"Double layer antireflective coatings for Silicon Solar cells," IEEE, pp. 1237-1240.
[8] Zeghbroeck BV. Principles of Semiconductor Devices. [Internet]. 2011 Available from: http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter4/ch4_8.htm#4_8_2.
PHỤ LỤC
Thí nghiệm khảo sát
Mẫu SiOx-rat1: Thickness Layer #1 = 314.92 nm
Mẫu SiOx-rat4: Thickness Layer #1 = 347.13 nm
Mẫu SiOx-rat6: Thickness Layer #1 = 357.40 nm
Mẫu SiOx-rat8: Thickness Layer #1 = 308.52 nm
Mẫu SiOx-pres-10:
Mẫu SiOx-pres-13
CODE SỬ DỤNG TRONG LUẬN VĂN
Code 1: moviewavepropagation3.m.
dùng để xác định mô tả toán học sóng điều hòa theo thời gian và không gian ( mục 3.1.1) clear all,clc
% Viet lai moviewavepropagation.m duoi truong hop bieu dien phuc cua song.
% Thong so co ban cua song.
f=1; % chon tan so la 1
n = 1.5 % chiet suat
c = 3*10^8 % m/s
% Thong so phat sinh cua song
lambda =c/f;% buoc song trong chan khong
v= f*lambda/n ;% toc do pha truyen song. % nho lai rang lambda = v*T = v*f
omega = 2*pi*f; % tan so goc
k=2*pi*n/lambda; % vecto song
% Tien hanh khao sat.
% cho bien do song la 1. % Dang mo ta song thuc :
y=cos(omega*t-k*x);
% Dang mo ta song phuc :
yp = exp(i*(omega*t-k*x));% yp tuc la y_phuc (complex number) % Plot the graphs
subplot(1,2,1)
plot(x,y), grid on % xac nhan chu ky khong gian cua song truyen la lambda
xlabel('Chieu khong gian') ylabel('Amplitude')
title('Real wave described') subplot(1,2,2)
plot(x,yp), grid on % xac nhan chu ky khong gian cua song truyen la lambda
xlabel('Chieu khong gian') ylabel('Amplitude')
title('Complex wave described')
%% Mo ta song truyen trong khong gian
direction = input('Nhap vao so hoac duong hoac am de mo ta song truyen
theo khong gian :');
figure time = 1
T=(2*pi/omega);
for t=0:0.1*T:2*T % cho thoi gian (t) chay
y=cos(omega*t+sign(direction)*k*x);% -k*x la song truyen sang phai, +k*x la song truyen sang trai
x1=(xin*lambda)*(1/3)*ones(1,2);
% y1=[0 cos(omega*t-k*x1(2))];% doan thang mo ta 1 diem tren phuong truyen song.
y1=[0 cos(omega*t+sign(direction)*k*x1(2))];% doan thang mo ta 1 diem tren phuong truyen song.
plot(x,y,x1,y1,'-o');grid on
S= sprintf('cos(%0.2f*%.2f-%.2f*%.2f)',omega,t,k,x1(2)) text(0.8,0.44,S)
title('Song truyen trong khong gian theo thoi gian') xlabel('x')
ylabel('Amplitude') %hold on
M(time)= getframe; % lay frame
time=time +1;
end
movie(M,35,8) % trinh chieu cac frame. %% su suy giam cua song
n=1.5-i*0.3 ; % chiet suat phuc cua moi truong co excinton
k=2*pi*n/lambda;
% Dang mo ta song phuc :
yp(1:length(x)/5)=exp(i*(omega*t-(2*pi/lambda)*x(1:length(x)/5))); yp(length(x)/5:length(x)) = exp(i*(omega*t-k*x(length(x)/5:length(x)))); figure plot(x,real(yp)) grid on %---- Code 2: wave4.m
dùng để xác định mô tả toán học sóng điều hòa theo thời gian và không gian ( mục 3.1.1)
% Bieu dien song theo thoi quen cua Optic % khong xet toi extinction coefficience
clear all, clc
lambdain0 = input('Nhap vao buoc song vaccum wave khao sat (nanomet):'); n = input('Nhap vao chiet suat cua moi truong khao sat dao dong: '); lambdain = lambdain0/n ; % buoc song cua song trong moi truong khao sat.
vp = c/n; % toc do pha cua song trong moi truong.
f= vp/lambdain; % tan so cua song.
k=2*pi/lambdain; omega=2*pi*f;
T =1/f ;% chu ky cua song
tin = input('Nhap vao so chu ky thoi gian can khao sat:'); % tai moi diem tren phuong truyen
xin = input('Nhap vao chu ky khong gian tren phuong truyen:')% don vi la chu ky. t= linspace(0,tin*T,100); x=linspace(0,xin*lambdain,100); A=2; [x,t]=meshgrid(x,t); phi = A*cos(k*x-omega*t); u= mesh(x,t,phi) hold on plot3(x(1,:),t(1,:),phi(1,:)) %%
vtri = input('song tai vi tri (of array):') plot3(x(:,vtri),t(:,vtri),phi(:,vtri),'r') m= find(phi(:,vtri)==max(phi(:,vtri)))
% m =round(( T/2)/((tin*T)/100));
plot3(x(m,vtri),t(m,vtri),phi(m,vtri),'o')
text(x(m,vtri),t(m,vtri),phi(m,vtri),'ham tuan hoan theo thoi gian')
%S= sprintf('n= %0.2f, buoc song trong chan khong= %.2f nm',n,lambdain0) %text(x(m,vtri),t(m,vtri),phi(m,vtri),S)
box on
hold off
title('Mo ta toan hoc song lan truyen trong moi truong theo khong gian-
thoi gian')
xlabel('chieu khong gian (nm)') ylabel('chieu thoi gian (s)') zlabel('bien do')
get(u);
set(u,'EdgeColor',[0.6,0.6,0.6],'FaceAlpha',0.5,'EdgeAlpha',0.5) axis tight
%---
Code 3: Brewster2.m
dùng để khảo sát sự phản xạ của sóng phân cực thẳng s và p giữa hai môi trường (mục 3.2.4)
% goc brewster % critial angle ung voi cac song s-polarise va p-polarise % tai be mat phang tuyet doi
% Cong thuc lay tu thin film optical spectra
clear all, clc n1 = 1 n2 = 5-3.7*i theta = linspace(.1,90,500);% .1:.2:90 = theta1 = ((theta*pi)./180); theta2= asin((n1.*sin(theta1))./n2); % Song TE va TM rTE = (n1.*cos(theta1)- n2.*cos(theta2))./(n1.*cos(theta1)+n2.*cos(theta2)); rTM = (n2.*cos(theta1)- n1.*cos(theta2))./(n2.*cos(theta1)+n1.*cos(theta2));
% xac dinh goc phan xa toan phan : critical angle % Cach 1 dung dao ham
absR =abs(rTE); Rdiff = diff(absR); Rdiff = [0,Rdiff];
thetacotRdiff = find(Rdiff == max(Rdiff));
% Cach 2 : su dung cong thuc Snell
critical_angle = asin(n2/n1)*(180/pi);
% xac dinh goc Brewster :
brewster_angle = atan(n2/n1 )*(180/pi);
% Ve hinh
subplot(2,1,1)
plot(theta,abs(rTE),theta,abs(rTM),'--','linewidth',1.5) legend('rTE','rTM')
% grid on,
xlabel ('theta (degree)') ylabel('abs(r)')
title('Fresnel reflective coefficient')
hx = graph2d.constantline(theta(thetacotRdiff),'LineStyle',':'); changedependvar(hx,'x');
hx = graph2d.constantline(brewster_angle,'LineStyle',':'); changedependvar(hx,'x');
S= sprintf('tu n1:%0.2f toi n2: %.2f',n1,n2) text(10,0.8,S)
S1= sprintf('CRIT angle:%0.2f',critical_angle) text(critical_angle,1.2,S1)
S2= sprintf('Brewster angle:%0.2f',brewster_angle) text(brewster_angle,.52,S2) subplot(2,1,2) plot(theta,abs(angle(rTE)),theta,abs(angle(rTM)),'--','linewidth',1.5) legend('rTE','rTM') hx = graph2d.constantline(critical_angle,'LineStyle',':'); changedependvar(hx,'x'); hx = graph2d.constantline(brewster_angle,'LineStyle',':'); changedependvar(hx,'x'); % grid on,
title('Phase diffirent') xlabel ('theta (degree)') ylabel('abs(angel_r)') set(gca,'YTick',0:pi/2:pi)
set(gca,'YTickLabel',{'0','pi/2','pi'})
title('Phase diffirent') xlabel ('theta (degree)') ylabel('abs(angel_r)') set(gca,'YTick',0:pi/2:pi)
set(gca,'YTickLabel',{'0','pi/2','pi'})
print -djpeg -r500 fresnel1 % in ra thanh file fresnel1.jpeg
%---
Code 4: Check_transfermatrix_type2.m
dùng để xác định hệ số phản xạ biên độ cho cấu trúc màng đa lớp cũng như đơn lớp ( mục 4.2.1, 4.2.2, 5.1.1)
clear all
clc
% Cac gia thiet ban dau.
dr = input('nhap vao so layer:'); d= sym('d',[1 dr]); % so layer
r=sym('r',[1 dr+1]);% he so phan xa Fresnel tuong ung voi cac interface.
t = sym('t',[1 dr+1]); % he so truyen qua Fresnel tuong ung voi cac interface.
n = sym('n',[1 dr+1]); % chiet suat phuc( bao gom ca substrate)n1 tuong ung voi layer tren cung.
n0 = sym('n0','real');% chiet suat thuc.
% Tim hien thi cong thuc he so phan xa Fresnel tai cac giao dien.
% he so Fresnel r(ij) giua 2 layer ni va nj duoc chap nhan la phuc va co % dang : voi song TE
% r(ij)=(ni*cos(theta(i)-nj*cos(theta(j)))/(ni*cos(theta(i)- nj*cos(theta(j))).
rnormal(1)= (n0-n(1))/(n0+n(1)); % he so Fresnel-chieu toi vuong goc.
for k=2:dr+1
rnormal(k)= (n(k-1)-n(k))/(n(k-1)+n(k));
% tu layer ben tren n(k-1) toi layer ben duoi n(k)
end
fprintf('He so fresnel r ung voi truong hop normal incident:'); fprintf('Ung voi tung interface tu ngoai khong khi vao :') u = rnormal.';
Mnormal(:,1) = r; Mnormal(:,2) = u;
Mnormal % xuat ra bang cong thuc tinh he so r Fresnel
% Tim hien thi cong thuc he so phan xa Fresnel tai cac giao dien.
for k=1:dr+1
t(k) = 1 + r(k); % he so truyen qua
end
% Tim hien thi cong thuc thanh phan pha tuong ung cac layer :
syms lambda real
for k=1:dr% chi xet toi moi truong thu dr
delta_layer(k) = (2*pi*d(k).*n(k))./lambda;
end
fprintf('thanh phan pha truong hop normal incident:'); fprintf('Ung voi tung layer tu ngoai khong khi vao :') delta_layer.'
%% Xay dung ma tran truyen tong quat
Mtlayer = eye(2,2);
delta = sym('delta',[1 dr]); % thanh phan pha tuong ung cac layer