Bốc bay bằng xung laser là phương pháp bốc bay gián đoạn. Khi chùm laser công suất lớn bắn lên bia thì pha hơi của vật liệu được hình thành bốc bay một vùng mỏng của bề mặt bia. Vùng hoá hơi của bia chỉ sâu khoảng vài trăm đến 1000 Å. Khi ấy trên bề mặt của bia hình thành một khốí plasma hình ellip của pha hơi. Tốc độ đặc trưng của các phần tử bốc bay đạt giá trị khoảng 3×105 cm/s, tương ứng với động năng 3eV. Phương pháp PLD được biết đến như là công nghệ chế tạo BLT phức tạp nhất và độ lặp lại không cao trên diện tích lớn khiến cho việc khó ứng dụng công nghiệp.
Ưu và nhược điểm của phương pháp:
Ưu điểm:
- Năng suất bốc bay cao và tốc độ mọc màng nhanh.
- Màng mỏng hình thành với cấu trúc và thành phần đúng hợp thức của bia.
Nhược điểm:
- Hệ thống trang thiết bị và vận hành có giá thành cao. Để vận hành cần điện áp tạo xung rất lớn, có thể lên tới 30 kV.
- Năng lượng xung không ổn định, suy hao trong quá trình truyền dẫn và theo thời gian. - Chỉ thích hợp cho các bia vật liệu xốp, cách nhiệt, hấp thụ ánh sáng mạnh, nên chi phí bia vật liệu đắt.
- Độ dày màng không đồng đều nếu màng có kích thước lớn. - Tia laser nguy hiểm đối với người sử dụng, đặc biệt là mắt.
1.5.2. Phương pháp phún xạ RF
Phún xạ cathode là một phương pháp chế tạo màng mỏng bằng lắng đọng pha hơi vật lý. Đây là kỹ thuật dựa trên nguyên lý truyền động năng bằng cách sử dụng các ion khí hiếm năng lượng cao, hình thành nhờ sự phóng điện từ trạng thái plasma, bắn phá lên bia vật liệu, làm cho các nguyên tử vật liệu bị bật ra khỏi bia, lắng đọng trên bề mặt đế và hình thành lớp màng mỏng.