Dũng ngưỡng, hiệu suất độ dốc phụ thuộc theo nhiệt độ của LD Taper 3o

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu chất lượng chùm tia laser bán dẫn công suất cao cấu trúc giếng lượng tử và module laser phát ở bước sóng 670 nm luận văn ths vật liệu và linh kiện nano (Trang 46 - 47)

T (oC) 20 25 30

th

I (mA) 380 400 420

�(W/A) 0,51 0,50 0,49

Từ bảng 3.1 ta tớnh được nhiệt độ đặc trưng To của laser là 97K và khi nhiệt độ tăng hiệu suất độ dốc của laser giảm điều này liờn quan đến sự giảm hiệu suất lượng tử nội của laser. Khi tăng nhiệt độ sự mất mỏt nội gõy ra bởi hấp thụ hạt tải tự do tăng dẫn đến sự tăng dũng ngưỡng, cũng như giảm hiệu suất độ dốc.

Hỡnh 3.4: Đặc trưng cụng suất phụ thuộc dũng bơm của laser Taper 4o

Hỡnh 3.4 là đặc trưng cụng suất quang phụ thuộc dũng bơm của laser cú cấu trỳc Taper với gúc vuốt thon 4o. Kết quả chỉ ra rằng trờn đặc trưng P(I) của laser này cú xuất hiện điểm góy khỳc (kink) trong khoảng từ 700 ữ 800 mA. Điều này cú thể cú thể được giải thớch với cỏc cơ chế như sau:

- Trường quang bờn trong buồng cộng hưởng tại một dũng bơm nào đú làm mở rộng vựng tớch cực về mặt khụng gian. Điều này làm tăng mất mỏt trong vựng tớch cực làm giảm hiệu suất lượng tử tạo nờn “kink” trờn đặc trưng P-I [7].

- Nếu sự phõn bố cường độ mode dọc là khụng đồng nhất, khi đú mật độ photon tăng tại dũng bơm lớn, hiện tượng đốt lỗ khụng gian (spatial hole burning) xảy ra, dẫn đến sự khụng đồng nhất của chiết suất và độ khuếch đại của mode. Điều này làm thay đổi phõn bố cường độ mode dọc (hệ số khuếch đại mode, mật độ hạt tải trung bỡnh và chiết suất của mode thay đổi). Kết quả là trong điều kiện tĩnh đặc trưng cụng suất quang – dũng là phi tuyến khi cụng suất quang tăng [15].

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu chất lượng chùm tia laser bán dẫn công suất cao cấu trúc giếng lượng tử và module laser phát ở bước sóng 670 nm luận văn ths vật liệu và linh kiện nano (Trang 46 - 47)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(66 trang)