Do hàng rào thế thấp cho cỏc hạt tải trong giếng lượng tử, thừa số giam giữ quang cao là quan trọng cho laser hoạt động trong vựng súng dài hơn, bởi vậy cấu
lớn. Tuy nhiờn do bước súng ngắn gúc phõn kỳ thường là 400 cho cỏc lớp dẫn súng dày, và khoảng 200 cho cỏc lớp dẫn súng từ 30 nm đến 40 nm.
2.1.2. Laser bỏn dẫn cấu trỳc Taper.
Buồng cộng hưởng của laser Taper (vuốt thon) được chế tạo cú cấu trỳc lớp epitaxy HMG (high modal gain) và LMG (low modal gain) [6]. Hỡnh 2.2 chỉ ra một cấu trỳc hỡnh hỡnh học của laser Taper. Ở mặt hẹp, cỏc rónh được chế tạo bằng ăn mũn khụ tạo ra bộ lọc mốt ngang để cải thiện chất lượng chựm tia. Một Taper cú gúc 6o (gúc vuốt thon) cựng với chiều dài 2 mm tạo ra một khẩu độ phỏt cú độ rộng 200 àm. Mặt laser lối ra cú diện tớch lớn làm giảm được mật độ cụng suất quang trờn bề mặt laser. Cỏc mặt được phủ màng chống phản xạ (R=0.05%) và màng phản xạ cao (R= 90 %) để đạt được cụng suất tối đa ở mặt chống phản xạ. Giống với laser dải rộng cỏc mặt được phủ bằng phương phỏp phỳn xạ magnetron của Si với oxy và nitơ. Cỏc màng phản xạ cao bao gồm hai cặp lớp Si/SiO2. Linh kiện được hàn bằng indium để cho phộp hoạt động ở dũng cao.
.
Hỡnh 2.2 : Cấu trỳc Taper, với L1 là độ dài phần tạo dao động, L2 chiều dải của Taper, w1
2.2. Phương phỏp đo cỏc đặc trưng của Laser bỏn dẫn cụng suất cao 2.2.1. Đặc trưng I-V , P-I 2.2.1. Đặc trưng I-V , P-I
Những ưu điểm quan trọng nhất để ứng dụng laser CSC đú là hiệu suất biến đổi cao và khả năng điều chỉnh trực tiếp cụng suất ra bằng cỏch thay đổi dũng cung cấp. Ở dưới dũng ngưỡng, ta thấy chỉ cú cỏc photon phỏt xạ tự phỏt ở cụng suất quang rất thấp. Ở trờn dũng ngưỡng, cụng suất ra tăng tuyến tớnh với dũng cung cấp. Hiệu suất độ dốc phụ thuộc vào hiệu suất lượng tử nội, sự phản xạ ở cỏc bề mặt, sự hấp thụ bờn trong vật liệu bỏn dẫn, và phụ thuộc vào bước súng của photon phỏt.
Khi tăng dũng qua laser, thế sụt trờn chuyển tiếp nhanh chúng tăng đến một giỏ trị ngưỡng, bờn trờn giỏ trị ngưỡng này thế sụt trờn laser tăng rất chậm. Sự tăng này là rất nhỏ trong cỏc laser diode mới nhất.
Đặc trưng I-V, P-I của laser được đo sử dụng cỏc thiết bị chớnh dưới đõy: - Nguồn dũng một chiều 0ữ2A
- Đầu đo cụng suất dải rộng 0ữ2W - Đồng hồ đo thế
- Bộ điều khiển nhiệt độ sử dụng pin peltier.