nhanh, (2) bộ khuếch đại quang sợi, (3) cỏc node chuyển mạch quang nhanh và
(4) bộ thu quang hoạt động chế độ thu chựm dữ liệu.
a. Cỏc bộ phỏt điều chỉnh nhanh
Bộ phỏt điều chỉnh nhanh là thành phần chủ chốt trong cỏc mạng OBS. Cỏc laser điều chỉnh nhanh được sử dụng trong cỏc phần định tuyến của node biờn, nú thực hiện tinh chỉnh bước súng phỏt ra theo bước súng sử dụng truyền chựm dữ liệu. Ngoài ra, cũn sử dụng kết hợp cỏc bộ chuyển đổi bước súng để giải quyết xung đột. Với mạng OBS, thời gian tinh chỉnh yờu cầu nằm trong khoảng cỡ μs. Cỏc phương phỏp điều chỉnh bước súng phỏt của laser bỏn dẫn bao gồm: thay đổi chiết suất mụi trường trong khoang cộng hưởng (thay đổi nhiệt độ hay dũng lối vào) hoặc thay đổi độ dài khoang cộng hưởng (về mặt cơ khớ, sử dụng hệ vi cơ điện tử MEMS). Do hằng số thời gian lớn, nờn cỏc hệ thống thường sử dụng phương phỏp điều chỉnh dũng điện lối vào để điều chỉnh bước súng lối ra.
Cỏc laser điều chỉnh nhanh cú thể được chia làm hai loại: đầu tiờn cũng là loại chiếm phần lớn là cỏc laser sử dụng nhiều tầng cỏc phần tử phản xạ Bragg phõn tỏn (DBR), theo cơ chế này thỡ bước súng phỏt được thay đổi theo dũng lối vào của hệ cỏch tử Bragg. Loại thứ hai là laser sử dụng khoang cộng hưởng ngoài (ECL). Trong cỏc phần tử đa tầng DBR, thời gian gần đõy đó phỏt triển laser cấu tạo gồm một bộ cỏch tử nối với phần tử phản xạ (GCSR). Trong laser GCSR, một phần tử phản xạ Bragg được thiết kế gồm một tập cỏc đỉnh răng lược, bằng cỏch chọn một đỉnh ta cú thể thực hiện điều chỉnh thụ giỏ trị của bước súng. Việc tinh chỉnh được thực hiện bằng cỏch thay đổi dũng điện đặt lờn khoang điều chỉnh pha. Hệ số tốc độ tinh chỉnh được xỏc định bởi tốc độ của vũng lặp điều khiển [5].
Một phương phỏp thực thi khỏc, sử dụng nhiều tầng DBR được gọi là laser DBR sử dụng cỏch tử mẫu (SGDBR). Về cấu trỳc, hệ được bổ xung thờm một hệ cỏch tử thứ hai với sắp xếp khỏc một chỳt. Kết quả thu được ta cú hai hệ răng lược với độ lệch nhất định. Chỉ cần một điều chỉnh nhỏ đối với cỏc hệ răng lược sẽ dẫn tới thay đổi bước súng cộng hưởng. Trong cỏc hệ DBR tiờu chuẩn, sự thay đổi về chỉ số chiết suất đạt được bằng cỏch thay đổi dũng lối vào của cỏc hệ cỏch tử trước, sau và phần pha. Hiện nay trờn thị trường, cỏc laser SGDBR được tớch hợp đơn khối bao gồm phần điều biến điện (EAM) và phần khuếch đại quang bỏn dẫn (SOA), cho tớn hiệu lối ra cú cụng suất lớn cũng như mức cụng suất ổn định đối với tất cả cỏc kờnh và với mức phỏt bằng khụng trong thời gian xử lý. Laser này cú thể thực hiện với tốc độ dữ liệu lờn tới 2.5 Gb/s. Một sơ đồ đơn giản của một bộ phỏt quang đa tầng gồm bốn tầng SGDBR được tớch hợp thờm một bộ khuếch đại bỏn dẫn và bộ điều chế được chỉ ra trong hỡnh 2.23 (a).