Linh kiện Jsc (mA.cm-2) Voc (mV) FF (%) PCE (%)
ITO/MEH-PPV:PCBM/Al 0.016 720 34.375 0.532
ITO/P3HT:PCBM/Al 0.024 1800 32.962 1.917
Từ các thông số hệ số điền đầy (FF) và hiệu suất chuyển đổi năng lượng (PCE) của pin cấu trúc đơn lớp thấy rằng linh kiện sử dụng vật liệu tổ hợp P3HT:PCBM làm chất hoạt quang có thông số FF thấp hơn thông số FF của linh kiện sử dụng vật liệu tổ hợp MEH-PPV:PCBM làm chất hoạt quang không nhiều (32,962% so với 34,375%), tuy nhiên PCE của linh kiện sử dụng chất hoạt quang P3HT:PCBM lại lớn hơn đáng kể (cao hơn xấp xỉ 4 lần) so với linh kiện sử dụng chất hoạt quang MEH-PPV:PCBM. Điều này cho thấy vật liệu tổ hợp chuyển tiếp dị chất khối P3HT:PCBM và MEH- PPV:PCBM đều có đặc tính hoạt quang tốt nhưng tổ hợp P3HT:PCBM có sự phân tách hạt tải tốt hơn hẳn tổ hợp MEH-PPV:PCBM. Điều đó dẫn đến cường độ dịch
chuyển về hai điện cực của các dòng hạt tải sinh ra trong quá trình chiếu sáng lên pin sẽ cao hơn, tạo ra hiệu suất chuyển đổi năng lượng tốt hơn.
3.3.2. Pin mặt trời hữu cơ đa lớp
Các màng dẫn nano trên cơ sở CNTs và TiO2 được ứng dụng làm lớp tiếp xúc điện cực (buffer layer) trong cấu trúc của pin mặt trời hữu cơ đa lớp. Màng vật liệu tổ hợp PEDOT-PSS:CNTs và TiO2 nano cluster được sử dụng làm lớp tiếp xúc điện cực dương. Cấu trúc của pin mặt trời hữu cơ đa lớp gồm:
ITO/ TiO2/P3HT:PCBM/Alq3/Al
ITO/ PEDOT-PSS:CNTs/P3HT:PCBM/Alq3/Al ITO/ TiO2/MEH-PPV:PCBM/Alq3/Al
ITO/ PEDOT-PSS:CNTs/MEH-PPV:PCBM/Alq3/Al
Bảng 3.3 trình bày kết quả đo giá trị của dòng điện (I) và điện áp (V) của các linh kiện pin đa lớp đã chế tạo.