Sơ đồ cấu tạo tổng quát của hệ đo nhạy khí

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu thiết kế và chế tạo cảm biến đo khí NH3 bằng phương pháp in phun 002 (Trang 48 - 50)

Nguyên lý hoạt động hệ đo như sau:

Cảm biến hoàn chỉnh, gắn vào buồng kim loại bằng hai chân điện cực dung để cung cấp điện. Thổi khí Ni-tơ vào và ổn định độ ẩm 5%, sau 5 phút thổi khí NH3 vào lúc này độ ẩm sẽ tăng và điện trở giảm đáng kể, tuy nhiên qua nhiều lần khảo sát, cố định thời gian thổi khí NH3 vào buồng kim loại là 2 phút. Sau đó, tiến hành cung cấp điện và bộ phận thu tín hiệu, xử lý và có kết quả.

CHƯƠNG 3. KẾT QUẢ VÀ BÀN LUẬN 3.1 Kết quả tạo màng mỏng SiO2 bằng phương pháp oxi hóa 3.1 Kết quả tạo màng mỏng SiO2 bằng phương pháp oxi hóa

Sử dụng những điều kiện thí nghiệm như được trình bày trong quá trình oxi hóa tạo lớp cách điện SiO2. Chúng tôi đưa ra điều kiện tối ưu cho quá trình oxi hóa tạo lớp SiO2 500 nm như bảng 3.1.

Bảng 3.1. Điêù kiện tối ưu cho quá trình oxi hóa

Thời gian nung

Thời gian

oxi hóa

Lưu lượng của khí Nitơ

Lưu lượng của khí Oxi

Nhiệt độ của nước

8 giờ 3 giờ 20 psi 25 ln/h 100ºC

3.2 Đánh giá chất lượng của lớp điện cực

3.2.1 Nghiên cứu độ phân giải của máy in phun

Đường dẫn điện được in bằng cách giảm khoảng cách giữa tâm hai giọt mực để chúng hợp lại với nhau tạo thành một đường liên tục. Khoảng cách giữa hai giọt mực được điều chỉnh khi thay đổi thông số độ phân giải. Trong máy in phun DMP, mỗi độ phân giải phải tương ứng với một góc in và khoảng cách giữa các tâm giọt mực, điều này được thể hiện rõ hơn trong bảng 3.2. Độ phân giải được định nghĩa là số chấm (dot) có trên một inch (dpi: dot per inch). Từ đó, ta suy ra được mối quan hệ giữa khoảng cách hai giọt mực hay hai chấm (dot) với độ phân giải là:

Bảng 3.2. Độ phân giải ứng với góc in và khoảng cách giọt mực

Độ phân giải (dpi) Góc đầu in so với phương chuyển động (độ) Khoảng cách giữa tâm các giọt mực (µm) 5080.00 1.1 5 2540.00 2.3 10 1693.33 3.4 15

1270.00 4.5 20 1016.00 5.6 25 846.67 6.8 30 725.71 7.9 35 635.00 9.1 40 564.44 10.2 45 508.00 11.4 50 461.82 12.5 55 423.33 13.7 60

Trong phần này, chúng tôi cài đặt nhiệt độ của đế Si trong suốt quá trình ở nhiệt độ phòng (ở 230C) và chỉ dùng một vòi phun để in, lần lượt điều chỉnh độ phân giải sao cho khoảng cách giữa các giọt mực giảm từ 60µm xuống 5µm.

60 µm 55 µm 45 µm 15 µm 5 µm

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu thiết kế và chế tạo cảm biến đo khí NH3 bằng phương pháp in phun 002 (Trang 48 - 50)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(73 trang)