Sĩng phản xạcủa anten vi dải

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu và thiết kế anten băng kép cho công nghệ 4g và bluetooth (Trang 36 - 37)

2.2.3. Các phương pháp c

Cĩ nhiều phương pháp cấp ngu vi dải. Bốn phương pháp ph nguồn bằng probe đồng trục, c phương pháp ghép khe.

a. Cấp nguồn bằng Probe đ Cấp nguồn qua probe là mộ suất cao tần. Với cách tiếp đi ngồi nối với mặt phẳng đấ kế, cĩ khả năng feed tại m

kháng. Tuy nhiên cách này cĩ các như  Thứ nhất, vì dùng đầ

hồn tồn phẳng và m  Thứ hai, khi cần cấp ngu

tăng lên và như thế vi

 Thứ ba, khi cần tăng băng thơng c cũng như chiều dài c

lên

ộng hưởng thì điện trường xung quanh các cạ ng bức xạ sẽ lớn nhất tại tần số cộng hưởng.

Hình 2-11: Sĩng phản xạ của anten vi dải

Các phương pháp cấp nguồn

p nguồn (tiếp điện) hay truyền năng lượng đi n phương pháp phổ biến nhất là: cấp nguồn bằng đường truy

c, cấp nguồn bằng phương pháp ghép gần, c

ng Probe đồng trục

ột trong những phương pháp cơ bản nhất để

p điện này, phần lõi của đầu cáp được nối với patch, cịn ph ất. Ưu điểm của cách này là đơn giản trong quá trình thi i mọi vị trí trên tấm patch do đĩ dễ dàng cho ph

y cĩ các nhược điểm là:

ầu feed nên cĩ phần ăn ra phía ngồi làm cho anten khơng ng và mất đi tính đối xứng.

p nguồn đồng trục cho một dãy sẽ địi hỏi số việc chế tạo sẽ khĩ khăn và độ tin cậy giảm đi. n tăng băng thơng của anten thì địi hỏi phải tăng b u dài của probe. Kết quả là bức xạ rị và điện cảm c

ạnh cĩ biên độ

ng điện từ cho anten truyền vi dải, cấp n, cấp nguồn bằng

truyền tải cơng i patch, cịn phần n trong quá trình thiết dàng cho phối hợp trở

n ăn ra phía ngồi làm cho anten khơng

ố lượng đầu nối m đi.

i tăng bề dày lớp nền m của probe tăng

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu và thiết kế anten băng kép cho công nghệ 4g và bluetooth (Trang 36 - 37)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(62 trang)