2.2. Anten vi dải
2.2.3. Các phương pháp cấp nguồn
Cĩ nhiều phương pháp cấp ngu vi dải. Bốn phương pháp ph nguồn bằng probe đồng trục, c phương pháp ghép khe.
a. Cấp nguồn bằng Probe đ Cấp nguồn qua probe là mộ suất cao tần. Với cách tiếp đi ngồi nối với mặt phẳng đấ kế, cĩ khả năng feed tại m
kháng. Tuy nhiên cách này cĩ các như Thứ nhất, vì dùng đầ
hồn tồn phẳng và m Thứ hai, khi cần cấp ngu
tăng lên và như thế vi
Thứ ba, khi cần tăng băng thơng c cũng như chiều dài c
lên
ộng hưởng thì điện trường xung quanh các cạ ng bức xạ sẽ lớn nhất tại tần số cộng hưởng.
Hình 2-11: Sĩng phản xạ của anten vi dải
Các phương pháp cấp nguồn
p nguồn (tiếp điện) hay truyền năng lượng đi n phương pháp phổ biến nhất là: cấp nguồn bằng đường truy
c, cấp nguồn bằng phương pháp ghép gần, c
ng Probe đồng trục
ột trong những phương pháp cơ bản nhất để
p điện này, phần lõi của đầu cáp được nối với patch, cịn ph ất. Ưu điểm của cách này là đơn giản trong quá trình thi i mọi vị trí trên tấm patch do đĩ dễ dàng cho ph
y cĩ các nhược điểm là:
ầu feed nên cĩ phần ăn ra phía ngồi làm cho anten khơng ng và mất đi tính đối xứng.
p nguồn đồng trục cho một dãy sẽ địi hỏi số việc chế tạo sẽ khĩ khăn và độ tin cậy giảm đi. n tăng băng thơng của anten thì địi hỏi phải tăng b u dài của probe. Kết quả là bức xạ rị và điện cảm c
ạnh cĩ biên độ
ng điện từ cho anten truyền vi dải, cấp n, cấp nguồn bằng
truyền tải cơng i patch, cịn phần n trong quá trình thiết dàng cho phối hợp trở
n ăn ra phía ngồi làm cho anten khơng
ố lượng đầu nối m đi.
i tăng bề dày lớp nền m của probe tăng
Hình 2-12: Anten vi dả
b. Cấp nguồn bằng đường truy Việc tiếp điện cho anten vi d cách lựa chọn tự nhiên vì m và cả hai cĩ thể được thiết k
chế; đĩ là sự phát xạ khơng mong mu điện là đáng kể so với patch (ví d Hiện tượng này sẽ gây ra ả méo dạng búp sĩng của anten.
Hình 2-13: Anten vi dải v
ải với đường tiếp điện đồng trục và mạch tương đương
ng truyền vi dải
n cho anten vi dải bằng đường truyền vi dải trên cùng một l nhiên vì mặt bức xạ cĩ thể được xem là một đường truy
t kế trên cùng một mạch. Tuy nhiên, kỹ thuật này cĩ vài h khơng mong muốn từ đường tiếp điện khi kích thư
i patch (ví dụ trong trường hợp L đủ nhỏ đối với kho ảnh hưởng tương hỗ gây sai lệch tần số tính tốn c a anten.
i với đường truyền tiếp điện vi dải và mạch tương đương ch tương đương
t lớp nền là một ng truyền vi dải hở t này cĩ vài hạn n khi kích thước đoạn tiếp i khoảng vài mm). tính tốn cũng như
Hình 2-14: Các kỹ
c. Cấp nguồn bằng phương pháp ghép khe Phương pháp cấp nguồn này c
cần thiết của đường microstrip gồm 2 lớp điện mơi. Mặt b được khoét 1 khe hở nhỏ, đư thường thì miếng điện mơi hằng số điện mơi cao để nh phương thức cấp nguồn này khĩ th độ dày của anten yêu cầu thi cho băng hẹp (narrow bandwith).
Hình 2-15: Anten vi d
thuật phối hợp trở kháng bằng đường truyền vi d
ng phương pháp ghép khe
n này cũng thường được sử dụng nhằm loại bỏ sự ng microstrip line. Cấu trúc chính của anten cấp nguồ
t bức xạ được đặt trên cùng, đất ở giữa hai l , đường tiếp điện nằm ở lớp điện mơi dướ n mơi ở trên cĩ hằng số điện mơi thấp, lớp điện mơi
nhắm mục đích tối ưu hĩa sự bức xạ của anten. Tuy nhiên, n này khĩ thực hiên chế tạo do phải làm nhiều lớ
u thiết bị kỹ thuật hiện đại. Phương pháp cấp ngu p (narrow bandwith).
: Anten vi dải với kỹ thuật ghép khe và mạch tương đương n vi dải ự bức xạ khơng ồn dạng này bao a hai lớp chất nền và ới cùng. Thơng n mơi ở dưới cĩ a anten. Tuy nhiên, ớp, và làm tăng p nguồn này thì
d. Cấp nguồn bằng phương pháp ghép g Anten với phương pháp cấ
miếng điện mơi phía trên, đư ưu điểm đĩ loại bỏ tối đa s thơng rộng (khoảng 13%).
Hình 2-16: Anten vi d
Phương pháp này cũng đượ điện dung giữa patch và đư chọn để cải thiện băng thơng và gi vì lí do này, bề dày của lớp đi
này sẽ lớn hơn. Tuy nhiên phương pháp này ph