Phũng thớ nghiệm trọng điểm Quốc gia, Viện Khoa học Vật liệu, Viện Khoa học & Cụng nghệ Việt Nam (hỡnh 2.6) chụp ảnh bề mặt của mẫu thụng qua cơ chế tương tỏc giữa cỏc điện tử chiếu tới bề mặt mẫu và cỏc nguyờn tử trờn bề mặt
Hỡnh 2.4. Thiết bị phõntớch nhiệt vi sai
Hỡnh 2.6. Kớnh hiển vi điện tử quột S-4800 S-4800
Hỡnh 2.5. Thiết bị phõntớch cấu trỳc tinh thể trỳc tinh thể
mẫu. Cỏc điện tử thứ cấp bị bật ra sẽ được ghi nhận, xử lý và cho những thụng số và hỡnh ảnh cấu trỳc tế vi của mẫu.
- Kớch thước hạt của mẫu nghiờn cứu cũng được nghiờn cứu bằng kớnh hiển vi điện tử truyền qua (TEM) JEM1011 - Jeol - Nhật Bản cú độ phõn giải 3Å đặt tại Viện Vệ sinh Dịch tễ Trung ương (hỡnh 2.7). Hệđo TEM sử
dụng một chựm điện tử hẹp chiếu xuyờn qua mẫu, và tạo ảnh của vật thể trờn phim ảnh.
2.5. Phộp đo cỏc thụng sốđiện và nhiệt điện
2.5.1. Đo sự phụ thuộc nhiệt độ của điện trở
Mẫu đó gia cụng được phủ bạc để tạo cực, nối mạch đo với Keithley- 197A và đo sự phụ thuộc nhiệt độ của điện trở của mẫu trong dải nhiệt độ từ
nhiệt độ phũng đến 500K. Sau đú khảo sỏt đường cong ρ(T), lnρ(1000/T) và xỏc
định năng lượng kớch hoạt Ea.
2.5.2. Đo hệ số Seebeck
Hệ số Seebeck được đo trờn hệ đo lắp đặt tại bộ mụn Vật lý Chất rắn, Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học Tự nhiờn, ĐHQG Hà Nội.
2.6. Phộp đo tớnh chất từ
Mẫu chế tạo được đo tớnh chất từ trờn hệ đo từ kế mẫu rung DMS-880 của hóng Digital Measurement Systems (Mỹ) với từ trường cực
đại cú thểđạt 13.5kOe (hỡnh 2.8), tại Trung tõm Khoa học Vật liệu, trường Đại học Khoa học Tự nhiờn, Đại học Quốc gia Hà nội.