CHƢƠNG 4 : THIẾT BỊ SVC
4.1. Các thành phần của SVC:
4.1.3. Thyristor controlled reactor:
Thyristor controlled reactor (TCR) đƣợc mô tả trên hình. Bằng cách điều khiển các khóa thyristor liên tục, điện kháng của cuộn dây cũng thay đổi liên tục.
Các khóa thyristor đƣợc điều khiển liên tục bằng cách điều khiển góc kích , nhờ vào đó thay đổi điện kháng của cuộn dây cũng nhƣ lƣợng công suất phản kháng mà cuộn dây tiêu thụ.
Góc kích nằm trong khoảng từ 900 đến 1800. Ta giả sử TCR có dải điện cảm là đƣợc nối vào nguồn AC có điện áp:
Điện áp này cảm ứng lên cuộn dây một dòng điện đƣợc mô tả qua phƣơng trình vi phân:
Từ phƣơng trình trên ta có:
∫ ∫
Hai khoảng dẫn của khóa thyristor là:
Trong đó là nửa chu kỳ dƣơng, là nửa chu kỳ âm Ta tính đƣợc dòng điện qua TCR nhƣ sau:
42
Hình 4.4 minh họa cho dòng điện qua TCR ứng với 3 góc kích khác nhau. Thyristor dẫn hoàn toàn khi và dòng điện càng giảm khi tăng. Có thể dễ dàng nhận ra điều này khi nhìn vào dòng điện qua TCR ứng với các góc kích 900
, 1200 và 1500.
Hình 4.4: Dòng điện chạy qua TCR với các góc kích tƣơng ứng
4.1.3.1. Nguyên lý vận hành của TCR:
Hình 4.5: Đƣờng đặc tính V – I của TCR
Điện nạp của TCR là một hàm phụ thuộc vào góc kích :
Sử dụng phƣơng trình trên, ta có thể tính đƣợc lƣợng công suất phản kháng bộ TCR tiêu thụ từ lƣới:
Dải làm việc của TCR đƣợc tính toán bởi điện nạp và phụ thuộc vào góc kích của thyristor. TCR có thể hoạt động trong vùng có nét đứt trong hình 4.5. Nó đƣợc giới hạn bởi điện áp định mức và dòng điện định mức của các khóa thyristor ( và
43
ích trong bộ SVC. Bởi vì TSC chỉ hoạt động rời rạc, trong khi đó TCR có thể vận hành liên tục giữa các tụ.