Quá trình hấp thụ các bức xạ khả kiến và tử ngoại gây ra biến đổi năng lượng điện tử của phân tử gắn liền với kích thích điện tử từ một orbital bền chuyển sang một orbital không bền. Đối với phần lớn những biến đổi này, ta không thể biểu diễn chính xác cấu trúc của trạng thái kích thích bằng các liên kết thông thường, bởi vì điện tử ở trạng thái kích thích không ở vào một orbital bình thường nào cả. Khi điện tử ở trạng thái cơ bản E1 chuyển sang trạng thái kích thích E2 thì kèm theo biến thiên năng lượng quay và dao động phân tử. Thông thường không thể phân giải các băng (dải) hấp thụ thu được đến mức có thể thấy rõ cấu trúc tinh vi do sự chuyển dịch dao động quay gây ra. Vì vậy các băng hấp thụ do kích thích điện tử là tương đối rộng [111, 112].
50
thông số kỹ thuật và điều kiện vận hành sau:
- Chuẫn bị mẫu: dung môi thích hợp: nước cất. Sau đó pha loãng D lần.
- Chế độ đo Blank: dung môi là nước cất được cho vào cuvet, đo chế độ Blank. - Chế độ đo mẫu: thay cuvet dung môi bằng cuvet chứa dung dịch pha mẫu 4-NP,
NaBH4, đo ở chế độ quét bước sóng cực đại từ 800 nm xuống 200 nm.
- Mẫu trước khi đo được pha loãng 8,10 hoặc 20 lần tùy thuộc độ đậm và độ màu của
chất pha mẫu sao cho nồng độ < 10-3 M để giá trị độ hấp phụ quang nhỏ hơn 1,5.
- Giá trị bước sóng cực đại của 4-NP đo ở 317 nm và trong môi trường kiềm có dạng
4-NP- nên đo ở bước sóng cực đại 400 nm.
- Độ chuyển hóa tính theo công thức:
Độ chuyển hóa = (1-A)/Ao
Trong đó:
A: độ hấp phụ quang của 4-NP- tại thời điểm đo
Ao: độ hấp phụ quang của 4-NP- tại thời điểm ban đầu
Mẫu được đo trên máy UV-Vis của hãng Agilent tại phòng thí nghiệm Viện Kỹ thuật Hóa học, trường Đại học Bách khoa Hà Nội.