Trong chương này, các giải pháp liên quan đến cải tiến đặc tuyến bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần đã được đề xuất và áp dụng vào các thiết kế cụ thể để đánh giá. Trước hết là cải tiến cấu trúc để cải tiến độ rộng băng tần ghép giữa hai hốc cộng hưởng liền kề. Cấu trúc này mang tính điện cảm, được bổ sung đường kim loại nối giữa hai trụ cộng hưởng (resonator). Độ rộng băng thông ghép tăng khi tăng chiều dài hoặc chiều cao của đường kim loại này. Do CBW tăng, sẽ giúp giảm độ gợn của đặc tuyến hoặc giảm bậc bộ lọc khi giữ nguyên yêu cầu về độ gợn. Thứ hai là đề xuất cải tiến độ dốc của bộ lọc. Bổ sung thêm ốc tinh chỉnh có 1 đầu gắn vào nắp cavity, 1 đầu đặt trong rãnh của miếng PTFE, tạo thành một phần C phân bố mới. Từ đó tăng CBW giữa hai hốc chéo nhau. Do cấu trúc này mang tính điện dung C, do đó áp dụng tạo thành các điểm TZ0 của đường truyền, giúp tăng độ dốc của bộ lọc. Tuy nhiên, các giải pháp này vẫn có các giới hạn về cấu trúc cơ khí. Do đó, chúng được áp dụng trong các thiết kế bộ lọc băng thông hẹp.
Việc so sánh các chỉ tiêu kỹ thuật của cấu trúc đề xuất mới với những kết quả nghiên cứu tương tự là khó khăn vì các công trình liên quan đến cải tiến cấu trúc của bộ lọc hốc cộng hưởng dạng đồng trục, của Duplexer,… với cùng dải tần là không có hoặc rất ít được công bố. Việc so sánh giữa kết quả nghiên cứu và các đề xuất trước đó chỉ
91
mang tính chất tương đối nhằm minh chứng cho tính đúng của đề xuất đã đáp ứng được các chỉ tiêu kỹ thuật của các hệ thống ngày nay. Đối với chỉ tiêu hệ số phản xạ, theo tiêu chuẩn chung S11 ≤ -10dB, các thiết kế trong luận án đều đáp ứng được. Ở những bộ lọc thương mại hóa, S11 thường dưới -18dB, S11 trong luận án kém hơn -6dB nhưng sẽ đạt tốt hơn khi tinh chỉnh trong thực tế sau lắp ráp. Kết quả nghiên cứu đạt được công bố trong [HC2], [TC3,TC4].
92
CHƯƠNG 4. CẢI TIẾN CẤU TRÚC HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC