Phương phỏp nhiễu xạ tia X (XRD) được sử dụng rất phổ biến để xỏc định, phõn tớch cấu trỳc tinh thể và khảo sỏt độ sạch pha của vật liệu. (XRD) là hiện tượng chựm tia X bị nhiễu xạ trờn cỏc mặt tinh thể của vật rắn do tớnh
tuần hoàn của cấu trỳc tinh thể. Khi chiếu chựm tia X vào tinh thể thỡ cỏc nguyờn tử trở thành tõm phỏt súng thứ cấp. Do sự giao thoa của cỏc súng thứ cấp, biờn độ của cỏc súng đồng pha sẽ được tăng cường trong khi đú cỏc súng ngược pha sẽ triệt tiờu nhau, tạo lờn ảnh nhiễu xạ với cỏc đỉnh cực đại và cực tiểu. Điều kiện nhiễu xạ được xỏc định từ phương trỡnh Bragg:
n
Sin
dhkl
2 (2.1)
Trong đú dhkl là khoảng cỏch giữa cỏc mặt phẳng mạng tinh thể, n = 1,2,3,… là số bậc phản xạ, θ là gúc tới và λ là bước súng của tia X.
Mối liờn hệ giữa dhkl với cỏc chỉ số Miler và hằng số mạng được thể hiện trong biểu thức sau:
2 2 2 2 2 2 2 1 c l b k a h dhkl (2.2) Trong đú h,k và l là cỏc chỉ số Miler. a, b và c là cỏc hằng số mạng.
Hỡnh 2.3. Minh họa về mặt hỡnh học của định luật nhiễu xạ Bragg.
Giản đồ XRD của cỏc mẫu NC CdTeSe nhận được khi sử dụng nhiễu xạ kế D5000 (Siemens) với nguồn tia X là Cu Kα cú bước súng 1,5406 Å, cú khả năng phõn giải 0,01o với thời gian đếm xung tựy chọn, tại Viện Khoa học vật liệu - Viện Hàn lõm Khoa học và Cụng nghệ Việt Nam. Từ giản đồ nhiễu xạ tia X của cỏc mẫu chế tạo được, chỳng tụi xỏc định được cấu trỳc tinh thể và hằng số mạng của cỏc NC CdTeSe.