6. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của luận văn
2.2. Nguyên lý mô phỏng số
Trong sự phát triển của các linh kiện quang điện, đặc biệt là pin mặt trời màng mỏng chuyển tiếp dị chất thì phương pháp mô phỏng trong nghiên cứu pin mặt trời nhằm giải quyết những hạn chế mà phương pháp thực nghiệm không thể khắc phục. Trong khi các phương pháp thực nghiệm có ích và cần thiết để chứng minh các giả định lý thuyết thì chúng lại gặp phải khó khăn để điều chỉnh một biến số mà không ảnh hưởng nhiều biến số khác.
Với mô hình số, các tham số riêng biệt như: độ rộng vùng cấm, chiều dày,… có thể thay đổi mà không cần thiết tác động các tham số khác. Điều này cho phép người nghiên cứu khảo sát các ảnh hưởng liên quan đến một tham số. Ngoài ra, mô hình số cho phép biến số thay đổi trong một phạm vi rộng, có thể lớn hơn rất nhiều lần khả năng thiết lập trong phòng thí nghiệm. Hơn thế nữa, mô hình số cung cấp sự hiểu biết bên trong sự vật vào ảnh hưởng của một biến số, thậm chí các tham số này là phi hiện thực hoặc không thực tế. Một thuận lợi khác nữa của các mô hình số là khả năng thiết lập chính xác các dữ liệu ghi lại trước đó của các thực nghiệm, thể hiện chính xác quá trình thay đổi của mỗi trường hợp. Do đó, một kết quả xác định có nghi ngờ thì dễ dàng xem xét lại các tham số đầu vào và suy luận được nguyên nhân của kết quả trên cơ sở thay đổi các tham số.
Có thể nói rằng, phương pháp thực nghiệm và phương pháp mô phỏng là hai phương pháp bổ sung lẫn nhau đầy hiệu quả. Quy trình mô hình hóa và mô phỏng số được mô tả theo sơ đồ như hình 2.5.
Ngoài những thuận lợi trên thì mô hình số cũng có nhiều sự bất lợi như là không có khả năng xây dựng mô hình chính xác. Mô hình số chính xác cũng là một mô hình, do đó mọi kết quả đạt được phải được xem xét trong phạm vi hạn chế của mô hình đó. Để áp dụng các kết quả mô phỏng cho các pin mặt trời thực tế thì cần phải xác định được mối tương quan giữa mô hình và các linh kiện thực. Tóm lại, việc sử dụng mô hình số và mô phỏng đối với pin mặt trời chuyên tiếp dị chất là một phương thức quan trọng để phân tích các quá trình vật lý trong pin mặt trời và dự đoán ảnh hưởng của các thay đổi đó lên hiệu suất của pin và trên cơ sở đó có thể đề ra các giải pháp để cải thiện hiệu suất của pin.