Đánh giá độ cao xung cung cấp sự phân bố năng lượng của xung được tạo ra trong ô đầu dò. Các khoảng năng lượng (bin) F8 tương ứng với năng lượng toàn phần của hạt bỏ lại trong đầu dò tại một kênh xác định. Trong thực nghiệm, giả sử một nguồn phát ra 100 photon năng lượng 10 MeV và 10 photon trong số này đi đến được đầu dò. Giả sử tiếp rằng photon đầu tiên bỏ lại năng lượng 1 keV trong đầu dò trước khi thoát ra ngoài, photon thứ hai bỏ lại 2 keV và cứ thế photon thứ 10 bỏ lại 10 keV. Khi đó, phổ độ cao xung của đầu dò sẽ là một xung ở bin năng lượng 1 keV, một xung ở bin năng lượng 2 keV, cứ thế, sẽ có một xung ở bin năng lượng 10 keV [13], [30].
Tương tự, trong đánh giá độ cao xung F8 của MCNP, ô nguồn được cung cấp năng lượng nhân với trọng số của hạt nguồn. Khi một hạt đi qua bề mặt, năng lượng nhân với trọng số của hạt sẽ bị trừ đi trong ô mà nó đi ra đồng thời được cộng vào ô mà nó đi đến. Ở cuối quá trình, số liệu ghi nhận trong ô sẽ được chia cho trọng số nguồn. Năng lượng ghi nhận được sẽ xác định được bin năng lượng nào được ghi
Các dòng thông tin mô tả (tùy ý) (dòng trống)
Tiêu đề bài toán mô phỏng Cell cards (định nghĩa ô mạng) -
-
(dòng trống)
Surface cards (định nghĩa các mặt) -
-
(dòng trống)
Data cards (định nghĩa dữ liệu) -
nhận. Giá trị của số đếm là trọng số nguồn cho trường hợp sử dụng đánh giá F8 hoặc trọng số nguồn nhân với năng lượng cho trường hợp sử dụng đánh giá F8. Giá trị của số đếm bằng không trong trường hợp không có hạt nào vào trong ô trong suốt quá trình [13], [30]. Nếu số đếm âm hoặc số đếm 0 do các hạt đi qua ô độ cao xung mà không bỏ năng lượng thì MCNP xử lý bằng cách đếm các sự kiện này và bỏ vào bin năng lượng 0 và một bin năng lượng nhỏ do vậy các số đếm này được loại ra. Trong mô tả phân bố độ cao xung ở trên, dạng phổ thu được là phổ vạch tương ứng với số đếm thu được trong từng bin năng lượng tương ứng. Thực tế, các quá trình tương tác của hạt với đầu dò còn chịu ảnh hưởng bởi các hiện tượng khác: hiệu ứng thu gom điện tích, đóng góp của nhiễu từ hệ điện tử, thăng giáng thống kê số lượng hạt mang điện. Như vậy, phân bố thu được có dạng Gauss, trong MCNP sẽ có khai báo GEB và tính toán hàm bề rộng một nửa. Hàm phân bố Gauss có dạng như công thức (1.21), (1.22), trong đó hàm bề rộng một nửa có dạng như công thức 2.1 [30],
2
FWHM a b EcE (2.1)
kết quả xác định các hệ số a, b, c và đường chuẩn năng lượng của đầu dò GMX – 4076PL được trình bày tại chương 3.