Mạch mắc theo kiể uE chung (E-C: Emitter Common)

Một phần của tài liệu Giáo trình Điện tử cơ bản (Nghề: Điện công nghiệp - Cao đẳng): Phần 2 - Trường CĐ nghề Việt Nam - Hàn Quốc thành phố Hà Nội (Trang 72 - 75)

e. Ứng dụng của SCR

4.1.1. Mạch mắc theo kiể uE chung (E-C: Emitter Common)

Mụ tả mạch khuếch đại cực phỏt chung (E-C).

Hỡnh 4.1: Mạch khuếch đại E-C

Sở dĩ người ta gọi là tầng emitơ chung là vỡ nếu xột về mặt xoay chiều thỡ tớn hiệu đầu vào và đầu ra đều cú chung một chất đất là cực E của tranzito.

Trong đú :

Cp1, Cp2 là cỏc tụ nối tầng, nú ngăn cỏch điện ỏp một chiều trỏnh ảnh hưởng lẫn nhau

R1, R2, RC để xỏc định chế độ tĩnh của tầng khuếch đại.

RE điện trở hồi tiếp õm dũng điện một chiều cú tỏc dụng ổn định nhiệt, CE tụ thoỏt thành phần xoay chiều xuống đất ngăn hồi tiếp õm xoay chiều.

126

Đặc điểm của tầng khuếch đại EC là tầng khuếch đại đảo pha, tớn hiệu ra ngược pha với tớn hiệu vào.

Nguyờn lý làm việc của tầng EC như sau: khi đưa điện ỏp xoay chiều tới đầu vào xuất hiện dũng xoay chiều cực B của tranzito và do đú xuất hiện dũng xoay chiều cực C ở mạch ra của tầng.

Dũng này gõy sụt ỏp xoay chiều trờn điện trở RC. Điện ỏp đú qua tụ CP2 đưa đến đầu ra của tầng tức là tới Rt. Cú thể thực hiện bằng hai phương phỏp cơ bản là phương phỏp đồ thị đối với chế độ một chiều và phương phỏp giải tớch dựng sơ đồ tương đương đối với chế độ xoay chiều tớn hiệu nhỏ.

Cỏc thụng số kĩ thuật của mạch: - Tổng trở ngừ vào: Ri = Ii Vi = Ib Vbe (4.1) - Tổng trở ngừ ra: Ro = Io Vo = Ic Vce (4. 2) - Độ khuếch đại dũng điện:

Ai = Ii Io

= Ib Ic

=  (4. 3) - Độ khuếch đại điện ỏp:

Av = Vi Vo = Vbe Vce = - . Ri Rc (4. 4) Mạch này cú một số tớnh chất sau:

Tớn hiệu được đưa vào cực B và lấy ra trờn cực C. Tớn hiệu ngừ vào và ngừ ra ngược pha (đảo pha)

Hệ số khuếch đại dũng điện 1và khuếch đại điện ỏp  < 1. Tổng trở ngừ vào khoảng vài trăm Ohm đến vài K.

127 Mạch tương đương kiểu E-C:

Hỡnh 4.2: Mạch tương đương kiểu E-C

Cỏc tham số của mạch EC tớnh gần đỳng như sau:

+ Điện trở vào của tầng: Rv = R1 // R2 // rv . rV= rB + (1+β).rE. (4. 5) + Hệ số khuếch đại dũng điện:

/ /t C t C i t R R K R   (4. 6)

Như vậy tầng EC cú hệ số khuếch đại dũng tương đối lớn, và nếu như RC>> Rt thỡ nú gần bằng hệ số khuếch đại β của tranzito.

+Hệ số khuếch đại điện ỏp:

/ /t C t C u n V R R K R R     (4. 7) (dấu trừ thể hiện sự đảo Pha)

+ Hệ số khuếch đại cụng suất : KP = Ku . Ki =

r

P

v

P ; (4. 8) KP rất lớn khoảng từ (0,2 ữ 5).103 lần . KP rất lớn khoảng từ (0,2 ữ 5).103 lần .

+ Điện trở ra của tầng: Rr= RC // rC ; Vỡ rC(E) >> RC nờn Rr = RC. (4. 9) Tầng EC cú hệ số khuếch đại điện ỏp và dũng điện lớn nờn thường được sử dụng nhiều.

128

Một phần của tài liệu Giáo trình Điện tử cơ bản (Nghề: Điện công nghiệp - Cao đẳng): Phần 2 - Trường CĐ nghề Việt Nam - Hàn Quốc thành phố Hà Nội (Trang 72 - 75)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(135 trang)