Cấu tạo – kớ hiệu
92
Hỡnh 3.51: Cấu tạo – kớ hiệu MOSFET kờnh liờn tục loại P.
Gate (G): cực cửa (cực cổng) Drain (D): cực thoỏt (cực mỏng)
Source (S): cực nguồn Substrate (Sub): đế (nền) Cấu tạo MOSFET kờnh liờn tục loại N
Trờn nền chất bỏn dẫn loại P, người ta pha hai vựng bỏn dẫn loại N với nồng độ cao (N+) được nối liền với nhau bằng một vựng bỏn dẫn loại N pha nồng độ thấp (N). Trờn đú phủ một lớp mỏng SiO2 là chất cỏch điện.
Hai vựng bỏn dẫn N+ tiếp xỳc kim loại (Al) đưa ra cực thoỏt (D) và cực nguồn (S). Cực G cú tiếp xỳc kim loại bờn ngoài lớp oxit nhưng vẫn cỏch điện với kờnh N cú nghĩa là tổng trở vào cực là lớn.
Để phõn biệt kờnh (thụng lộ) N hay P nhà sản xuất cho thờm chõn thứ tư gọi là chõn Sub, chõn này hợp với thụng lộ tạo thành mối nối P-N. Thực tế, chõn Sub của MOSFET được nhà sản xuất nối với cực S ở bờn trong MOSFET.
Đặc tuyến
VDS là hiệu điện thế giữa cực D và cực S. VGS là hiệu điện thế giữa cực G và cực S. Xột mạch như hỡnh 3.52
Khi VGS = 0V: điện tử di chuyển tạo dũng điện ID, khi tăng điện thế VDS thỡ dũng ID tăng, ID sẽ tăng đến một trị số giới hạn là IDsat (dũng ID bóo hũa). Điện thế VDS ở trị số IDsat được gọi là điện thế nghẽn VP0 giống như JFET.
Khi VGS < 0: cực G cú điện thế õm nờn đõ̉y điện tử ở kờnh N vào vựng P làm thu hẹp tiết diện kờnh dẫn điện N và dũng ID sẽ giảm xuống do điện trở kờnh dẫn điện tăng.
93
Khi điện thế cực G càng õm thỡ dũng ID càng nhỏ, và đến một trị số giới hạn dũng điện ID gần như khụng cũn. Điện thế này ở cực G gọi là điện thế nghẽn – VP0. Đặc tuyến chuyển này tương tự đặc tuyến chuyển của JFET kờnh N.
Khi VGS > 0, cực G cú điện thế dương thỡ điện tử thiểu số ở vựng nền P bị hỳt vào kờnh N nờn làm tăng tiết diện kờnh, điện trở kờnh bị giảm xuống và dũng ID tăng cao hơn trị số bóo hũa IDsat. Trường hợp này ID lớn dễ làm hư MOSFET nờn ớt được dựng.
Hỡnh 3.52: Mạch khảo sỏt đặc tuyến của MOSFET kờnh liờn tục loại N.
Tương tự JFET, ta khảo sỏt hai dạng đặc tuyến của MOSFET kờnh liờn tục: - Đặc tuyến truyền dẫn ID(VGS) ứng với VDS = const.
- Đặc tuyến ngừ ra ID(VDS) ứng với VGS = const.
Cỏch khảo sỏt tương tự như khảo sỏt JFET nhưng đến khi cần VGS > 0, ta đổi cực của nguồn VDC nhưng lưu ý chỉ cần nguồn dương nhỏ thỡ ID đó tăng cao. Ta cú hai dạng đặc tuyến
94
Hỡnh 3.54: Họ đặc tuyến ngừ ra I (V ) của MOSFET kờnh liờn tục loại N.