S Đ M CH DAO Đ NG BA ĐI M ĐI N DUNG Ệ

Một phần của tài liệu Giáo trình kỹ thuật mạch điện tử 2 (Trang 92 - 95)

M CH DAO Đ NG BA ĐI ĐI N DUNG Ệ

7.3 S Đ M CH DAO Đ NG BA ĐI M ĐI N DUNG Ệ

7.3.1 S  đ  m chơ ồ ạ  

Hỡnh 7.3. M ch dao đ ng ba đi m đi n dungạ

7.3.2 Tỏc d ng linh ki n 

Khung dao đ ng g m cú t  Cộ ồ ụ 1, C2 và cu n c m L. ộ ả

R1, R2: B  phõn ỏp làm nhi m v  cung c p đi n ỏp cho c c B c a T.ộ ệ ụ ấ ệ ự ủ

RC: Đi n tr  cung c p đi n ỏp m t chi u cho c c C c a T.ệ ở ấ ệ ộ ề ự ủ

RE,CE: B   n đ nh đi m cụng tỏc cho T, m c   c c E c a T.ộ ổ ị ể ắ ở ự ủ

CB: T  d n h i ti p dụ ẫ ồ ế ương.

Đi n ỏp h i ti p l y trờn Cệ ồ ế ấ 2 qua t  Cụ B v  đ u vào c a transistor. Đi mề ầ ủ ể   gi a hai t  n i mỏt nờn tớn hi u h i ti p luụn ngữ ụ ố ệ ồ ế ược pha v i tớn hi u ra (cựngớ ệ   pha v i tớn hi u vào) nờn m ch luụn luụn đ m b o đi u ki n cú h i ti pớ ệ ạ ả ả ề ệ ồ ế   dương. Đ  đ m b o đi u ki n v  biờn đ  ngể ả ả ề ệ ề ộ ười ta thường ch n:ọ

=

1 BE

2 CE

C U

C U        (7.1)

 Trong đú khung dao đ ng g m cu n dõy L và t  Cộ ồ ộ ụ 1, C2 cú  92

0

1

CC C

C c ự E qua t  Cụ e  được m c vào đi m gi a Cắ ể ữ 1, C2. C c ự B qua t  Cụ b ti pế   mỏt. C c C qua t  Cự ụ C  m c v i đ u trờn khung do đú Zắ ớ ầ eb=Xc2; Zce=Xc1  và  Zcb=XL. Cỏc t  Cụ b, Ce, Cc cú đi n dung l n đ  Xệ ớ ể c=0, R1R2 m ch phõn ỏp t oạ ạ   +Ub0 = UR2. R3,R4 h n ch  dũng xoay chi u iạ ế ề C,ie đ  chỳng ớt  nh hể ả ưởng sang  khung dao đ ng.ộ

7.3.3 Nguyờn lý ho t đ ng c a m ch đi nạ ộ

Khi c p ngu n m t chi u, trong m ch xu t hi n dũng m ch Iấ ồ ộ ề ạ ấ ệ ạ C bi n đ iế ổ   t  0 ừ  IC 0 ch y theo chi u:ạ ề

+EC����RC T RE −EC

Dũng IC bi n đ i ch y qua đi n tr  Rế ổ ạ ệ ở C làm cho đi n ỏp t i c c C c a Tệ ạ ự ủ   thay đ i, t c là đi n trổ ứ ệ ường trờn hai t  Cụ 1, C2 bi n đ i, nghĩa là khung daoế ổ   đ ng độ ược cung c p năng lấ ượng; quỏ trỡnh trao đ i năng lổ ượng dướ ại d ng từ  trường WE  (trờn t  đi n Cụ ệ 1,C2) và đi n trệ ường WH (trờn hai đ u cu n dõy L)ầ ộ   di n ra quỏ trỡnh trao đ i năng lễ ổ ượng:

WH   WE 

Do đú, t o ra dao đ ng hỡnh sin. Ph n năng lạ ộ ầ ượng trờn t  Cụ 2 thụng qua  t  Cụ B h i ti p dồ ế ương được đ a v  baz  c a T. Đi n ỏp này ph i cú chi uư ề ơ ủ ệ ả ề   cựng pha v i đi n ỏp vào (ngớ ệ ược pha v i đi n ỏp ra) vỡ T m c emit  chung.ớ ệ ắ ơ

H i ti p dồ ế ương tr  v  đ u vào qua Cở ề ầ B cú tỏc d ng bự năng lụ ượng cho  khung dao đ ng đỳng lỳc, đỳng lộ ượng t n hao trong khung. ổ

Vỡ v y, dao đ ng ra là dao đ ng duy trỡ cú biờn đ  dao đ ng khụng đ i.ậ ộ ộ ộ ộ ổ   M ch dao đ ng ba đi m đi n dung thạ ộ ể ệ ường hay dựng   t n s  cao hàng trămở ầ ố   MHz. Trong trường h p đú, cỏc t  ợ ụ C1, C2 cú th  thay b ng đi n dung ký sinhể ằ ệ   gi a cỏc c c c a transistor.ữ ự ủ

Do đi u ki n Zề ệ ce+Zeb+Zcb= 0 nờn n u Cế 1,C2,L, đó c  đ nh thỡ ch  cú m tố ị ỉ ộ   t n s  đỏp  ng đầ ố ứ ược đi u ki n trờn nờn t i t n s  đú m ch s  dao đ ng.ề ệ ạ ầ ố ạ ẽ ộ   M ch dao đ ng ki u này cú đ   n đ nh h n m ch dao đ ng ghộp bi n ỏp.ạ ộ ể ộ ổ ị ơ ạ ộ ế

M t m ch dao đ ng ba đi m đi n dung – m ch Colpitts dựng JFETộ ạ ộ ể ệ ạ   trong th c t  nh  hỡnh ự ế ư 7.4. So sỏnh v i s  đ  t ng quỏt ta cú ớ ơ ồ ổ Z1, Z2 là ph n tầ ử  dung khỏng, Z3 là ph n t  c m khỏng, b  khu ch đ i đ o dựng FET, RFC làầ ử ả ộ ế ạ ả   cu n ch n cao t n (ộ ặ ầ Radio–Frequency Coil).

Hỡnh 7.4. M ch t o dao đ ng Colpitts dựng JFETạ

7.3.5 Ph m vi đi u ch nh t n s     

V i giỏ tr  c a ớ ị ủ Z1, Z2, Z3  l n lầ ượt nh  sau:ư

Z1=− ω 1 1 j C    (7.2)        Z2 =− ω 2 1 j C    (7.3) Z3 = j Lω      (7.4)

Thay vào phương trỡnh: Z1+Z2+Z3=0 ta tớnh đượ ầ ốc t n s  dao đ ng:ộ

f0 =  π T 1 2 LC     (7.5) v iớ = + 1 2 T 1 2 C .C C C C   (7.6)

Đi u ki n v  biờn đ :ề ệ ề ộ

K0

− 2 = − 1

1 2

Z C

Z C    (7.7)

H  s  khu ch đ i khi h  t i c a m ch khu ch đ i trong trệ ố ế ạ ở ả ủ ạ ế ạ ường h pợ   này là:      

K0 = –gm.rd

gm.rd  1 2

CC C

Một phần của tài liệu Giáo trình kỹ thuật mạch điện tử 2 (Trang 92 - 95)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(186 trang)