M CH DAO Đ NG T O XUNG TA GIÁC Ạ
E (11.3) Cú hai d ng xung tam giỏc c b n: ạơ ả
11.4 M CH T O XUNG TAM GIÁC DÙNG TRANSISTOR Ạ
– S đ m ch đi n: M ch t o xung ơ ồ ạ ệ ạ ạ tam giỏc dựng transistor nh hỡnhư 11.2, hỡnh 11.3. ho c hỡnh 11.4.ặ
Xột m ch đ n gi n (hỡnh 11.2)ạ ơ ả
Ban đ u khi Uầ v = 0 (ch a cú xung đi u khi n)ư ề ể
T m bóo hoà nh ch n giỏ tr Rở ờ ọ ị B. Đi n ỏp ra ệ Ur =UC=UCEbh 0V.
Trong th i gian cú xung vuụng, c c tớnh õm đi u khi n đ a t i c cờ ự ề ể ư ớ ự baz , transistor Tơ 1 khoỏ, t C đụ ược n p t ngu n +Eạ ừ ồ CC qua R làm đi n ỏp trờnệ t tăng d n theo quy lu t: ụ ầ ậ
−
= − i / RC
C CC
U (t) E (1 e ) (11.8)
Đi n ỏp này ệ U (t) U (t)C = r g n đỳng b c nh t tăng tuy n tớnh theo t v iở ầ ậ ấ ế ớ h s phi tuy n:ệ ố ế V i sai s : ớ ố ε = 0− q = m 0 CC I I(t ) U I E (11.9) v i ớ I(0)= E R và = CC− m q E U I(t ) R là cỏc dũng n p ban đ u và cu i.ạ ầ ố
Khi h t xung đi u khi n T m l i, t đi n C phúng đi n nhanh qua T: ế ề ể ở ạ ụ ệ ệ
Ur =UC=0V
M ch tr v tr ng thỏi ban đ u.ạ ở ề ạ ầ
T bi u th c sai s ừ ể ứ ố ε = 0− q = m
0 CC
I I(t ) U
I E (11.10)
Ta th y rừ: Mu n sai s bộ c n ch n ngu n Eấ ố ố ầ ọ ồ CC l n và biờn đ ra c aớ ộ ủ xung răng c a Uư m nh . Đõy cũng chớnh là nhỏ ược đi m c b n c a m ch t oể ơ ả ủ ạ ạ xung răng c a đ n gi n.ư ơ ả
11.5 M CH DÙNG PH N T N DềNG Ạ Ầ Ử Ổ
Hỡnh 11.3
Transistor T2 m c ki u B chung (hỡnh 11.3), cú tỏc d ng nh m tắ ể ụ ư ộ ngu n n dũng (cú bự nhi t nh dũng ngồ ổ ệ ờ ược qua diode n ỏp Dổ z), cung c pấ dũng IE2 n đ nh n p cho t trong th i gian cú xung vuụng c c tớnh õm đi uổ ị ạ ụ ờ ự ề khi n Tể 1 khoỏ. V i đi u ki n g n đỳng, dũng colect Tớ ề ệ ầ ơ 2 khụng đ i thỡ:ổ
= = q t C2 C 0 I 1 U (t) Idt C C (11.11) Trong đú t là quan h b c nh t.ệ ậ ấ
M ch đi n cho phộp t n d ng toàn b ngu n đi n E t o xung răng c aạ ệ ậ ụ ộ ồ ệ ạ ư v i biờn đ nh n đớ ộ ậ ượ ốc t i đa: Um E.
Nhược đi m c a m ch: Khi cú t i Rể ủ ạ ả t m c song song tr c ti p v i C thỡắ ự ế ớ cú phõn dũng qua Rt, do đú h s mộo phi tuy n ệ ố ế ε tăng.
Đ s d ng m ch cú hi u qu t t, c n cú bi n phỏp nõng cao Rể ử ụ ạ ệ ả ố ầ ệ t hay gi m nh hả ả ưởng c a Rủ t đ i v i m ch raố ớ ạ c a s đ . ủ ơ ồ
11.6 M CH BÙ Cể KHU CH Đ I BÁM Ạ Ế Ạ
11.6.1 M ch đi nạ ệ
S đ m ch dao đ ng t o xung tam giỏc cú b khu ch đ i bỏm đơ ồ ạ ộ ạ ộ ế ạ ược trỡnh bày trờn hỡnh 11.4.
Hỡnh 11.4. M ch dao đ ng t o xung tam giỏc cú b khu ch đ i bỏmạ ộ ạ ộ ế ạ
11.6.2 Tỏc d ng linh ki n ụ ệ
Trong m ch đi n: Tạ ệ 1 là ph n t khoỏ thầ ử ường m nh Rở ờ B và ch khoỏ khiỉ cú xung vuụng c c tớnh õm đi u khi n.ự ề ể
T2 là ph n t khu ch đ i đ m ch đ đúng m (K< 1).ầ ử ế ạ ệ ế ộ ở
11.6.3 Nguyờn lý ho t đ ngạ ộ
T1 m nh dũng đi n trờn Rở ờ ệ B ch n trờn m c Iọ ứ Bbóo hoà CC 1 E . β Diode D thụng, qua R cú dũng Io + CC D o I E /(R R ) V i: ớ UC=UCE1bh 0 T2 b khoỏ ta nh n đị ậ ược: Ur 0.
Trong th i gian cú xung vào, Tờ 1 b khoỏ, t C đị ụ ược n p đi n qua diodeạ ệ D và đi n tr R làm cho đi n th t i đi m M (cũng là đi n th trờn c c bazệ ở ệ ế ạ ể ệ ế ự ơ T2) dương d n, Tầ 2 thụng m nh, s gia ạ ố ∆UC qua T2 và C0 (cú giỏ tr đi n dungị ệ l n), g n nh đớ ầ ư ược đ a toàn b v đi m N bự thờm v i giỏ tr s n cú t i Nư ộ ề ể ớ ị ẵ ạ (đang gi m d n theo giỏ tr dũng n p) gi n đ nh dũng trờn R n p cho t C.ả ầ ị ạ ữ ổ ị ạ ụ
Chỳ ý: Khi dũng h i ti p qua Cồ ế 0 v N cú tr s b ng E/R thỡ khụng cúề ị ố ằ dũng n p qua D, d n t i cõn b ng đ ng, ngu n Eạ ẫ ớ ằ ộ ồ CC dường nh c t kh i m chư ắ ỏ ạ và t đi n C đụ ệ ược n p nh đi n th Eạ ờ ệ ế CC đó được n p trạ ước trờn C0.
Cỏc s đ hỡnh 11.2, 11.3, 11.4 cú th s d ng v i xung đi u khi n c cơ ồ ể ử ụ ớ ề ể ự tớnh ngược l i khi khoỏ, Tạ 1 được thi t k dế ế ưới d ng thạ ường ng t m chắ ạ (khụng cú RB).
u đi m: Ư ể
– Biờn đ Uộ m đ t giỏ tr x p x giỏ tr ngu n E; trong khi h s mộo ạ ị ấ ỉ ị ồ ệ ố ε gi m (1–k) l n.ả ầ
– nh hẢ ưởng c a Rủ E và Rt iả m c t i c c emit c a Tắ ạ ự ơ ủ 2 thụng qua t ngầ đ m phõn cỏch Tệ 2 t i Uớ C(t) r t y u.ấ ế