Định mức điện ỏp:
Xỏc định theo điện ỏp khoỏ cực đại cú thể lặp lại. nú bằng nhau cho cả hai hướng uDRM = uRRM. Điện ỏp cực đại khụng lặp lại khụng được biết.
Định mức dũng điện
Xỏc định theo giỏ trị hiệu dụng lớn nhất của dũng dẫn iVM. Thường được định nghĩa cho dũng hỡnh sin đối với nhiệt độcho trước và chếđộlàm mỏt cho trước.
Cỏc thụng sốcơ bản của Triac BCR5AS (Mitsubishi)
VDRM 600A Điện ỏp khúa lặp lại cực đại- repetitive peak off-state voltage
ITRMS 5A Trị hiệu dụng dũng điện dẫn- RMS on-state current IFGT,IRGT 30mA Dũng điện kớch
VDSM 720V Điện ỏp khúa khụng lặp lại cực đại- non-repetitive peak off-state voltage
ITSM 50A Dũng điện đỉnh khụng lặp lại cực đại qua linh kiện dạng sin- surge on-state current
VGM 10V Điện ỏp kớch cực đại – peak gate voltage
IGM 2A Dũng điện kớch cực đại- peak gate current
VTM Max. 1,8V Điện ỏp trờn Triac khi dẫn điện- on state voltage VFGT,VRGT Max.1,5V Điện ỏp kớch cổng
IFGT,IRGT Max. 30mA Dũng điện kớch cổng
(dV/dt)crit 5V/ sμ Độ tăng điện ỏp khúa – critical-rate of rise off-state commutating voltage
(diT/dt)crit 100A/ sμ Độtăng dũng điện qua linh kiện cực đại-Critical rate of rise of on-state current
2.6. GTO (GATE TURN-OFF Thyristor )
Cấu trỳc và ký hiệu của GTO
Thyristor khoỏ bằng cực điều khiển GTO là Thyristor cú cấu trỳc đặc biệt để cực điều khiển G cú thể thực hiện đồng thời hai chức năng kớch mở và kớch ngắt. Để thực hiện được cả hai chức năng mở và ngắt, GTO cú cấu trỳc đặc biệt như sau:
-Lớp N2 hay lớp Cathode rất mỏng và kớch tạp cao.
-Lớp P2 hay lớp điều khiển cũng tương đối mỏng và kớch tạp cao cựng với N2 hỡnh thành chuyển tiếp JK.
26
-Lớp N1 hay lớp khoỏ tương đối dày và kớch tạp thấp. Chiều dày của nú phụ thuộc điện ỏp thuận khi khoỏ. Cựng với J2 tạo nờn chuyển tiếp JC.
-Lớp P1 được thực hiện bằng việc khuếch tỏn trong N1, cú cựng tớnh chất như P2. Lớp P1 cựng với N1 tạo nờn chuyển tiếp JA.
Điểm đặc biệt của GTO là lớp N2được thực hiện bằng cụng nghệ khắc ở vị trớ tiếp xỳc với cực điều khiển G, tạo thành cathode dạng cỏc phõn đoạn xếp thành cỏc vũng trũn đồng tõm. Ký hiệu của GTO cho trờn hỡnh vẽ:
Cấu trỳc và kớ hiệu của GTO
Trờn phiến silic, cỏc đoạn cathode cú chiều rộng từ50 đến 500m, sốlượng phụ thuộc vào
dũng điện của linh kiện, cú thểhàng trăm đoạn. Cỏc đoạn này được bố trớ vũng quanh Cathode và
được nối với nhau bằng một tấm Cathode ghộp chặt lờn mặt phiến. Cần đảm bảo tốt tiếp xỳc giữa một trong cỏc phiến của lớp N2 và tấm Cathode.
Ta cú thể coi GTO như tạo nờn bởi nhiều GTO nhỏ mắc song song.
Đặc tớnh V-A
27
2.7. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transitor)