a, Cấu tạo và chức năng
2.12.Khả năng hoạt động của cỏc linh kiện
Khảnăng hoạt động của cỏc linh kiện bỏn dẫn cụng suất được so sỏnh theo hai khớa cạnh cụng suất mang tải và tốc độđúng ngắt được minh họa trờn hỡnh … và …. Dựa theo số liệu tra cứu năm 98-99 của hang EUPEC
33
Linh kiện GTO cụng suất lớn được sản xuất với khảnăng chịu được điện ỏp và dũng điện từ 2,5-kkV/1- 6kA. GTO cũn được chế tạo chứa diode ngược với tổn hao thấp, khả năng chịu
điện ỏp/dũng điện của nú đạt đến 4,5kV/3kA.
Linh kiện GCT được chế tạo gần đõy cú khả năng chịu được điện ỏp/dũng điện 6kV/6kA với khảnăng chuyển mạch gần như toàn bộdũng điện sang mạch cổng khi kớch ngắt, cảm khỏng mạch cổng cú thể giảm đến 1/100 so với loại GTO thụng thường, cho phộp tốc độtăng dũng điện cổng khi ngắt đến diG/dt = 6000A/us. Thời gian tớch trữ giảm cũn khoảng 1/10 so với của GTO. Cỏc tớnh chất cho phộp GTC rất thuận tiện khi mắc song song hoặc nối tiếp và khả năng điều khiển đúng ngắt cụng suất lớn ngay cả khi khụng sử dụng mạch bảo vệ.
Cỏc diode cho nhu cầu thụng thường được chế tạo với khảnăng chịu được điện ỏp thay đổi từ400V đến 12kV và dũng điện từ1000A đến 5kA. Đối với nhu cầu đúng ngắt nhanh dũng đạt
đến 800-1700A và điện ỏp 2800- 6000V
Cỏc thyristor cho nhu cầu thụng thường được chế tạo với khảnăng chịu được điện ỏp thay
đổi từ 400-12kV và dũng đạt từ 1000A đến 5kA. Đối với nhu cầu đúng ngắt nhanh khả năng dũng đạt đến 800-1500A và điện ỏp 1200-1500V.
Cỏc linh kiện IGBT dang module được chế tạo với khảnăng chịu được điện ỏp/dũng điện 1,7-3,3kV/400-1200A. Khả năng chịu điện ỏpcao của IGBT gần đõy đó đạt đờn 6kV. Cỏc linh
kiện chế tạo dưới dạng module tạo thuận lợi cho việc lắp đặt, kết nối mạch và làm giảm kớch
34
Bài 2. CHỈNH LƯU
1. Mạch chỉnh lưu khụng điều khiển (theo từng loại tải)