P o= uccieo (1.8) Từ (1.7) và (1.8) xỏc định hiệu suất cực đại của mạch
1.4.7. Một số biện phỏp nhằm cải thiện đặc tớnh của mạch
Trong tầng cụng suất kết cấu theo sơ đồ tải emito dễ xuất hiện nguy cơ quỏ tải (quỏ dũng) nếu trở khỏng tải quỏ nhỏ. Để khắc phục hiện tượng đú, cú thể mắc thờm một mạch hạn dũng vào sơ đồ như trờn hỡnh 1.22.
Bỡnh thường T3 và T4 ngắt, điện ỏp bazo emito của chỳng phụ thuộc vào hạ ỏp trờn RE. Khi dũng điẹn ra quỏ lớn, hạ ỏp trờn RE tăng làm cho T3 và T4 dẫn, thỡ điện ỏp bazo-emito của T1, T2 giảm và dũng điện ra giảm. Điện trở RE được chọn sao cho dũng điện ra bị hạn chế trong trường hợp nú vượt quỏ trị số thụng thường đó tớnh toỏn (trong khu vực làm việc).
Để cú điện ỏp ra lớn, thay cho một tranzistor cụng suất cú điện ỏp ra lớn cú thể dựng một số tranzistor cú điện ỏp cho phộp nhỏ hơn mắc nối tiếp (hỡnh 1.23). Tương tự như vậy, cú thể mắc song song một số tranzistor để tăng dũng điện ra. Lỳc đú, để giảm nhỏ tớnh tạp tỏn của đặc tuyến vào, cần phải mắc nối tiếp với mỗi tranzistor một điện trở emito sao cho dũng điện của cỏc tranzistor khụng chờnh lệch quỏ nhiều.
Hỡnh 1.22 Mắc nối tiếp một số tranzistor để tăng điện ỏp ra
Ở tần số cao hoặc khi tớn hiệu vào là xung cú độ dốc sườn lớn, cả hai tranzistor của tầng đẩy kộo cú thể mở đồng thời, vỡ quỏ trỡnh mở của tranzistor đang ngắt xảy ra nhanh hơn quỏ trỡnh đúng của tranzistor đang mở. Lỳc này để bảo vệ tranzistor của tầng đẩy kộo, người ta mắc thờm cỏc điện trở cú trị số nhỏ vào mạch colecto và emito của cỏc tranzistor.
Túm lại, cỏc sơ đồ tầng khuếch đại cụng suất tần số thấp thường được sản xuất dưới dạng vi mạch. Cho tới nay người ta múi sản xuất được cỏc vi mạch cho cụng suất ra tối đa vài trăm Watt; vỡ vấn đề toả nhiệt trong vi mạch cú gặp khú khăn.
Để cú cụng suất ra lớn hơn, phải lắp tầng cụng suất bằng cỏc linh kiện rời rạc, thường hay dựng sơ đồ Darlingtơn hơn cả, vỡ nú cho hệ số khuếch đại dũng điện lớn và yờu cầu cụng suất kớch thớch nhỏ.