Tia X tương tác với các nguyên tử silíc để tạo ra một mức trung bình của cặp điện tử -lỗ trống, năng lượng mất đi 3.62eV trong silíc này.Tùy thuộc vào năng lượng của bức xạ đến, mất mát này được chi phối bởi hiệu ứng quang điện hoặc tán xạ Compton. Xác suất hoặc hiệu quả của máy dò để “dừng” một tia X và tạo ra sự tăng cặp điện tử -lỗ trống với bề dày của Silíc.
Để tạo ra sự thuận lợi cho quá trình tập hợp cặp điện tử -lỗ trống một điện áp hiệu dụng 100-200V được áp dụng ngang qua Silíc phụ thuộc vào bề dày của máy dò. Điện áp này quá cao cho hoạt động ở nhiệt độ phòng, vì nó gây ra sự rò rỉ quá nhiều và cuối cùng là sự cố. Kể từ khi phát hiện trong các XR – 100CR được làm mát bằng nước, các rò rỉ trong dòng là đáng kể,do đó cho phép điện áp hiệu dụng cao. Điều này làm giảm điện áp cao hơn điện dung của máy dò, để làm giảm tiếng ồn của hệ thống. Bộ phận làm mát nhiệt điện làm mát cho cả hai: Máy dò Silíc và tranzitor FET đầu vào tới sự tích nạp cảm ứng tiền khuếch đại. Việc làm mát FET giảm bớt dòng rò rỉ của nó và tăng độ hộ dẫn, cả hai đều giảm bớt nhiễu điện tử của hệ thống. Sự lắp đặt quang học không thực tế khi phát hiện ra một phôtôđiốt, XR- 100CR kết hợp một phương pháp phản hồi mới cho sự khởi động càm biến điện tích tiền khuếch đại. Các tranztor được đặt quay lại mà thường được sử dụng trong hầu hết các hệ thống khác được loại bỏ. Thay vào đó, sự thiết lập lại được thực hiện thông qua việc kết nối điện áp để dò tìm bằng cách phun một xung điện tích chính xác thông qua máy dò điện dung cho FET đầu vào.Phương pháp này giúp loại bỏ sự đóng góp nhiễu của tranzitor quay trở lại và cải tiến thêm bộ phân giải năng lượng của hệ thống.
Một nhiệt độ màn hình chíp điốt được gắn trên bề mặt làm mát bằng nước để cung cấp cách ly giải trực tiếp nhiệt độ những thành phần bên trong, trong
không thay đổi với một sự thay đổi khoảng vài độ. Từ đây, sự kiểm soát không mở của nhiệt độ mạch không cần thiết khi sử dụng XR – 100 CR.