Điều kiện chế tạo: Người ta đã tiến hành khảo sát đường đặc trưng I-V của linh kiện ZnO:Al / Alq3 /Al. Màng ZnO:Al được chế tạo bằng phương pháp phún xạ magnetron trên đế thủy tinh [40]. Sau đó, màng Alq3 được phủ lên bằng phương pháp bốc bay [41]. Cuối cùng, màng Al được phủ lên trên màng Alq3 cũng bằng phương pháp bốc bay [42]. Khối lượng Alq3 được sử dụng để bốc bay là 5, 10 và 15 mg.
Dưới đây là kết quả của từng trường hợp. Hình 2.19 mô tả đường đặc trưng I-V của linh kiện ZnO:Al /Alq3 / Al với trường hợp khối lượng Alq3
được dùng để bốc bay tạo màng là 5 mg.
Hình 2.19: Đường đặc trưng I-V của linh kiện với khối lượng Alq3 dùng để bốc bay 5 mg.
Đối với linh kiện ZnO:Al /Alq3 / Al trong trường hợp khối lượng Alq3
được dùng để bốc bay tạo màng là 10 mg, người ta khảo sát đặc trưng I-V của hệ tại các vị trí khác nhau trên cùng đế mẫu [13] (trên một mẫu có 8 tổ hợp linh kiện) (minh hoạ trên Hình 2.20).
Hình 2.20: Những vị trí (linh kiện) của hệ đa lớp ZnO: Al /Alq3 / Al được khảo sát.
Hình 2.21 mô tả đường đặc trưng I-V trong trường hợp khảo sát tại vị trí tượng trưng A, B và C.
Hình 2.21: Đường đặc trưng I-V của hệ đo tại vị trí tượng trưng A, B và C.
Đường đặc trưng I-V của linh kiện ZnO:Al /Alq3 / Al trong trường hợp khối lượng Alq3 được dùng để bốc bay tạo màng là 15 mg được mô tả trên Hình 2.22. Trước khi đo đường đặc trưng I-V của linh kiện này, người ta tiến hành khảo sát điện trở thuận và nghịch bằng đồng hồ VOM và thấy rằng có sự khác nhau giữa hai trở này (khác biệt vài trăm kΩ). Điều này cho thấy linh kiện thể hiện tính phân cực như một LED nhưng không rõ ràng. Ở những vị trí khảo sát (linh kiện) khác nhau trên hệ đa lớp ZnO:Al /Alq3 / Al, sự khác biệt giữa điện trở thuận và nghịch càng lớn thì khi đo đường đặc trưng I-V sẽ nhận được độ dốc của đường I-V lớn. Ngược lại, đặc trưng I-V thể hiện sự dẫn tuyến tính (hoặc không dẫn).
Hình 2.22: Đường đặc trưng I-V của linh kiện có khối lượng Alq3 dùng để bốc bay 15mg.
Từ những kết quả trên, nhận thấy những hệ đa lớp ZnO:Al /Alq3 / Al với khối lượng Alq3 dùng để bốc bay là 5 mg thì cường độ dòng qua linh kiện khá lớn (35 mA/cm2 ở điện áp 10 V). Đường đặc trưng I-V trong trường hợp này thể hiện tuyến tính. Khảo sát điện trở thấy trở nhỏ so với các trường hợp khác. Điều này có thể giải thích do độ dày màng Alq3 nhỏ nên có thể lớp Al bốc bay sau đó dễ dàng khuếch tán qua lớp hữu cơ và tiếp xúc với lớp ZnO:Al.
Đối với linh kiện ZnO:Al /Alq3 / Al có khối lượng Alq3 dùng để bốc bay là 10 mg, đường đặc trưng I-V thể hiện khá giống đường đặc trưng I-V của một LED (Hình 2.21). Cường độ dòng đi qua linh kiện có sự tăng vọt trong khoảng thế 2 - 6 V, điện thế này được gọi là điện thế kích. Trên cùng một đế người ta tạo được 8 tổ hợp linh kiện, nhưng những đường đặc trưng I- V của những vị trí khác nhau này không hoàn toàn giống nhau. Sự khác biệt rõ nhất là ở thế kích của chúng. Hình 2.21 cho thấy sự khác biệt còn thể hiện ở độ dốc của đường đăc trưng. Những sự khác biệt này có thể giải thích do sự không đồng nhất về độ dày của lớp Alq3 trên cùng một đế và quá trình khuếch tán của Al vào lớp Alq3 chưa được kiểm soát tốt trên toàn đế.
Trong trường hợp khối lượng Alq3 dùng để bốc bay là 15 mg, nhận thấy rằng cường độ dòng qua linh kiện nhỏ (vào cỡ nA/cm2) và đường đặc trưng I-V gần như là tuyến tính. Điều này có lẽ do màng quá dày đã làm nó trở nên cách điện với thế áp vào tương đối nhỏ.
Như vậy trong ba trường hợp được khảo sát ở trên ta nhận thấy rằng với khối lượng Alq3 dùng để bốc bay là 10 mg cho kết quả tốt nhất với hệ đa lớp ZnO:Al /Alq3 / Al.