2. PHỐI GHÉP VI XỬ LÍ VỚI BỘ NHỚ
2.2.2Thực hiện mạch giải mã bằng các mạch lô-gíc đơn giản
Các mạch lô-gíc đơn giản bao gồm các mạch AND, OR, NOT hay kết hợp như NAND, NOR. Bằng các mạch kiểu này ta có thể xây dựng được mạch giải mã địa chỉ đơn giản với số đầu ra hạn chế. Các mạch lô-gíc làm nhiệm vụ tổ hợp các tín hiệu địa chỉ và điều khiển đọc/ghi bộ nhớ sao cho với một tổ hợp địa chỉ cho trước sẽ sinh ra tín hiệu chọn vỏ tương ứng.
Hình 4-10 giới thiệu mạch giải mã cho mạch EPROM 2716 có dung lượng 2K ô nhớ mỗi ô chứa 8 bít, làm việc trong dải địa chỉ FF800H-FFFFFH. Do mạch nhớ có dung lượng 2K tương ứng với dải địa chỉ 0FFH-7FFH (tương ứng với A0. . . A10). Như vậy, số lượng các tín hiệu địa chỉ dùng sinh ra tín hiệu kích hoạt chíp nhớ này là A11-A19. Với dải địa chỉ cho trước FF800H-FFFFFH thì tổ hợp A11=. . . =A19=1 sẽ sinh ra tín hiệu chọn vỏ cho EPROM 2716. Bên cạnh đó, ta cần phối hợp với các tín hiệu điều khiển IO/M và RD (ở mức thấp) để tạo ra tín hiệu chọn vỏ.
Như trong hình vẽ, các tín hiệu địa chỉ và tín hiệu đảo của IO/M được liên kết trực tiếp với nhau bằng phép lô-gíc AND rồi đảo. Do tín chất của mạch AND kết quả tổ hợp là duy nhất. Đầu ra sẽ chỉ bằng 1 khi tất cả đầu vào bằng 1. Đầu ra của mạch NAND được OR với RD (mức thấp) để sinh ra tín hiệu chọn vỏ (kích hoạt). Tương tự, do tính chất của mạch OR đầu ra sẽ chỉ bằng 0 nếu tất cả các đầu vào bằng 0 nên tín hiệu chọn vỏ là tín hiệu duy nhất được sinh ra ứng với thao tác truy nhập tới dải địa chỉ FF800H- FFFFFH. Như vậy, mạch giải mã trên là mạch giải mã đầy đủ.
CHƯƠNG 4. PHỐI GHÉP VI XỬ LÍ VỚI BỘ NHỚ VÀ CÁC THIẾT BỊ VÀO/RA