Làm sạch đế: Qúa trình làm sạch đế là rất quan trọng để đảm bảo mẫu không còn bụi bẩn, hoặc cảm quang dư còn bám dính trên bề mặt đế. Nung nhiệt để chắc chắn rằng bất kỳ phân tử nước nào trong đế đều bay hết ra ngoài. Điều này là đặc biệt quan trọng cho những đế là vật liệu dễ bị oxi hóa (ví dụ silicon). Ôxi sau đó sẽ liên kết với hơi nước có sẵn trong không khí. Khi cảm quang được phủ trên đế, cảm quang sẽ bám chặt vào nước chứ không phải vào đế.
Sau quá trình nung nhiệt những đế này sẽ được phủ bằng mồi HMDS. Mồi HMDS sẽ liên kết với các nhóm oxit để chặn hơi ẩm từ bên ngoài. Thêm vào đó, những nhóm Si(CH3)3tương thích với cảm quang, tạo độ bám dính giữa đế và cảm quang. Lượng HMDS phủ phải vừa đủ để không còn HMDS dư thừa sau phản ứng, nó làm giảm sự nhạy sáng của cảm quang.
[Type text] Trang 33 trên bề mặt đế. Độ dày của cảm quang (TPR ) sau khi quay phủ tỉ lệ với tốc độ quay phủ (trong RPM).
Sấy sơ bộ (solf bake): Sấy sơ bộ tạo ra vùng cảm quang nhạy cảm với tia UV bằng
cách loại bỏ các thành phần dung môi của cảm quang. Trong quá trình này đa số dung môi đã bị loại bỏ nên độ dày lớp cảm quang giảm khoảng 25%.
Chiếu xạ (exposure): Bước tiếp theo là chiếu xạ mẫu bằng tia UV, sử dụng một mặt nạ để tạo cả vùng bị chiếu xạ và vùng không được chiếu xạ của cảm quang. Những vùng được chiếu xạ sẽ có phản ứng hóa học như hình 2.10.
Nước dùng trong phản ứng này được thu từ độ ẩm không khí. Nếu không khí không đủ độ ẩm các liên kết cacbon còn lại sẽ liên kết với resin tạo ra một chất không tan. Điều quan trọng là giữ cho mặt nạ càng gần mẫu càng tốt. Điều này làm giảm sự nhiễu xạ ánh sáng gây ra bởi khoảng cách giữa mặt nạ và mẫu, do đó cải thiện độ phân giải. Điều này tạo ra một sự phân bố ổn định của tia UV trên bề mặt được chiếu sáng.
Rửa trôi chất cảm quang dương: Sau khi mẫu được rửa trôi bằng dung dịch develop, cảm quang còn lại trên bề mặt mẫu sẽ có cấu trúc như hình 2.11
[Type text] Trang 34 Hình 2.10: Sự thay đổi tính chất lớp cảm quang dương khi bị chiếu xạ
Cấu trúc của cảm quang có độ dốc là do sự nhiễu xạ của tia UV, nguyên nhân gây ra bởi khoảng cách giữa mặt nạ và mẫu, cảm quang xung quanh các cạnh của mẫu mặt nạ sẽ nhận được ánh sáng với cường độ thấp hơn so với khu vực trung tâm của mẫu, do vậy sẽ khó rửa trôi hơn.
[Type text] Trang 35 quang còn lại và làm tăng sự bám dính giữa cảm quang và đế. Đây là một bước quan trọng cần làm trước khi khắc mẫu để chắc chắn rằng cảm quang sẽ không bị trôi bởi quá trình khắc.