Hình 2.15 Sơ đồ của một chip SIPAS
Hình 3.15 là một lược đồ của chíp SIPAS được chế tạo. SIPAS là một bộ giao
thoa sagnac với một cấu trúc khuyếch đại song song gồm một bộ giao thoa Mach- Zehnder có các bộ khuếch đại quang bán dẫn không nhạy cảm phân cực tại mỗi phía của nó. Nó được chế tạo nguyên khối bằng cách ghép các ống dẫn sóng chôn và ống dẫn sóng high-mesa. Quá trình chế tạo được mô tả ngắn gọn như sau:
Đầu tiên tầng tích cực của SOA, bao gồm một lõi InGaAsP căng 0,1% dầy 0,5 µm
(λg=1,05 µm ) và một tầng vỏ InP dầy 1,0-µm được kết nối lại. Tiếp đó viền SOA được khắc axit khô và được cấy bởi một tầng khối p-n và một tầng vỏ InP giầu p. Tầng này sẽ được phát triển trên vùng thụ động, được loại bỏ để giảm suy hao truyền dẫn của ống dẫn sóng thụ động. Cuối cùng các ống dẫn sóng thụ động high-mesa tạo nên giao thoa Sagnac và Mach-Zehnder được tạo ra bằng cách Br2-N2 tái tích cực tia axit. Suy hao truyền dẫn của ống dẫn sóng thụ động high-mesa là khoảng 5dB/cm. Suy hao kết hợp giữa SOA và vùng thụ động là khoảng 1dB bao gồm suy hao kết hợp từ tích cực sang thụ động và suy hao kết hợp từ high-mesa sang vùng chôn. SOA có chiều dài là
này tương tự như nguyên lý của SLALOM. một ánh sáng CW đầu vào được chia thành các ánh sáng thuận chiều (CLW) và ngược chiều (CCW) kim đồng hồ. Vì PAS được đặt bất đối xứng trong vòng lặp nên các ánh sáng này tiếp cận các SOA tại các thời điểm khác nhau dẫn tới điều pha vi sai (DPM) giữa chúng khi ánh sáng tín hiệu được đưa vào các SOA này. Sau khi đi qua vòng lặp các tín hiệu CLW và CCW được chồng vào nhau và truyền dẫn tới cổng ra nhờ sử dụng DPM. Đặt PAS 0,5mm để cửa sổ chuyển mạch nhờ DPM ~10ps. Điều này cho phép hoạt động tốc độ cao trên 10Gbit/s. Vì PAS được đặt trong trạng thái chéo nên tín hiệu không thể tham gia vòng lặp và tạo ra chuyển đổi bước sóng lọc hoàn toàn.