KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
§4-1 KHÁI QUÁT CHUNG VỀ MẠCH KHUẾCH ĐẠI NHỎ SỬ DỤNG BJT
1. Giới thiệu
Các kiểu phân cực đã được giới thiệu ở chương 3 sẽ được sử dụng để phân tích tín hiệu xoay chiều nhỏ. Các mạch được phân tích sau đây là những mạch điện thực tế thường được sử dụng. Để phân tích bộ khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT người ta thường dùng sơ đồ tương đương để phân tích. Khi vẽ sơ đồ tương đương đối với tín hiệu xoay chiều cần chú ý hai điểm sau:
- Thiết lập tất cả các nguồn cung cấp một chiều ở mức điện thế 0V. Điện trở của nguồn cung cấp một chiều đối với thành phần xoay chiều là rất nhỏ có thể bỏ qua (Ngắn mạch nguồn cung cấp)
- Dung kháng của tụ điện là rất bé so với tần số của tín hiệu nên khi phân tích cũng có thể bỏ qua (Ngắn mạch tất cả các tụ điện)
2. Sơ đồ tương đương của mạch CB (OB)
Trên hình H4-1 là sơ đồ của cách mắc CB của transistor lưỡng hạt loại N-P-N. Do transistor được tạo thành bởi hai tiếp giáp P-N vì vậy có thể coi tiếp giáp P-N giữa cực Bvà E là một diode. Ngoài ra vì IC .IE nên giữa cực B và cực C được thay bằng một nguồn dòng có giá trị là .IE. Với sự thay thế đó ta có thể vẽ được sơ đồ tương đương như hình H4-2
Khi transistor được phân cực hoạt động ở vung tích cực thì tiếp giáp emitter phân cực thuận, khi đó diode D1 (trong sơ dồ tưong đương) tương đưong với một điện trở có giá trị băng điện trở thuận của diode, điện trở này được ký hiệu là re và đựoc tính theo công thức:
Như vậy sơ đồ tương đương của cách mắc CB được vẽ lại như sơ đồ H4-3. Với sơ đồ tương đương của hình H4-3 ta có thể tính được trở kháng vào và trở kháng ra của mạch CB như sau:
ZV = re
Giá trị của re rất nhỏ, tối đa là 50
Trở kháng ra được tính khi cho tín hiệu vào bằng không, vì thế IE = 0 nên IC .IE 0, nghĩa là đầu ra của mạch H4-3 hở mạch, do đó r Z E C B