III/ CÁC KHỐI CƠ BẢN CỦA PLL:
2. Sơ đồ tương đương cua Transisto rở tần số trung bình:
Sơ đồ tương đương của Transistor ở tần số trung bình cĩ kể đến cả các điện dung hàng rào của tiến giáp Emitter – Collector, điện trở của bản thân cực Base. Sự cĩ mặt của rb làm cho điện áp vào VBE khác với điện áp VB’E’.
* Sơ đồ tương đương của Transistor ở tần số trung bình:
j T j 0
* Sơ đồ tương đương thay thế của Transistor ở tần số trung bình:
Đối với các Transistor làm việc trong bộ khuếch đại cơng suất cao tần dịng điện Emitter i’E lớn hơn dịng điện ngược Ing vài chục lần, đĩ là khi VBE > 34 thì tiếp giáp Emitter cĩ thể được biểu diễn gần đúng bởi một mơ hình đơn giản. Vì dịng Emitter phụ thuộc vào điện áp VBE theo hàm mũ, nên chỉ một sự thay đổi nhỏ của điện áp VBE cũng làm cho dịng Emitter thay đổi rất nhiều. Bởi vậy điện áp này cĩ thể coi là một tham số khơng đổi và được gọi là điện áp cắt VB’E0. Đối với loại Ge thì VB’E0 = 0,2 V, đối với transistor Si thì VB’E0 = 0,7 V. Theo đĩ, sơ đồ tương đương của tiếp giáp Emitter của một Transistor lý tưởng cĩ thể thay thế bằng một nguồn sức điện động VB’E0 và khĩa Ke. Khố Ke chỉ đĩng khi Ic chảy qua và mở khi khơng cĩ dịng i’c.
Ta cĩ VB’E = VB’E0 khi i’c > 0 dẫn đến Ke đĩng. VB’E < VB’E0 khi i’c = 0 dẫn đến Ke mở.
Tương tự ta cĩ thể dùng nguồn sức điện động VC’B’0 và khĩa K’e để thay thế cho lớp tiếp giáp Collector khi VC’B’0 thay đổi cực tính.
VC’B’ > VC’B’0 dẫn đến khĩa Kc mở và khi VC’B’ < VC’B’0 thì dẫn đến khĩa KC đĩng.