- Thụng số kỹ thuật * Điện ỏp ngừ ra : 12VDC
b. Đặc tớnh đúng cắt của Tranzito
2.5.5. So sỏnh tương đối cỏc phần tử bỏn dẫn cụng suất
Hỡnh 2.15 . So sỏnh tương đối cỏc phần tử bỏn dẫn cụng suất
(số liệu ở đõy được lấy từ năm 1995)
Hỡnh 2.15 thể hiện một cỏch hỡnh ảnh so sỏnh tương đối giữa cỏc phần tử cụng suất bỏn dẫn theo khả năng đúng cắt(Trong pham vi của khoỏ luận ta chỉ so sỏnh 4 phần tử: GTO, BJT, MOSFET, IGBT). Từ đú ta thấy được phạm vi ứng dụng của từng phần tử theo cỏc dải điện ỏp, dũng điện và cỏc tần số khỏc nhau.
*) GTO (Gate Turn Off TIRISTO): Là phần tử làm việc ở dải tần số thấp nhất, dưới 4KHz. Nú được chế tạo cho khả năng đúng cắt về điện ỏp, dũng điện 1 chiều lớn nhất. GTO được ứng dụng trong cỏc bộ biến tần với cụng suất hàng trăm KW đến
Hỡnh 2.15 thể hiện một cỏch hỡnh ảnh so sỏnh tương đối giữa cỏc phần tử cụng suất bỏn dẫn theo khả năng đúng cắt(Trong pham vi của khoỏ luận ta chỉ so sỏnh 4 phần tử: GTO, BJT, MOSFET, IGBT). Từ đú ta thấy được phạm vi ứng dụng của từng phần tử theo cỏc dải điện ỏp, dũng điện và cỏc tần số khỏc nhau.
*) GTO (Gate Turn Off TIRISTO): Là phần tử làm việc ở dải tần số thấp nhất, dưới 4KHz. Nú được chế tạo cho khả năng đúng cắt về điện ỏp, dũng điện 1 chiều lớn nhất. GTO được ứng dụng trong cỏc bộ biến tần với cụng suất hàng trăm KW đến
cụng suất cực lớn hàng MW. Tuy nhiờn GTO cú nhược điểm lớn đú là khả năng chịu điện ỏp ngược rất thấp, hầu như khụng chịu được điện ỏp ngược.
*) Tranzito MOSFET: Với tần số làm việc lớn nhất (hơn 100KHz). Tuy nhiờn do điện trở thuận khi dẫn dũng điện lớn nờn MOSFET chỉ phự hợp với dũng điện cỡ 200A trở xuống và điện ỏp dưới 1000V MOSFET cú khả năng đúng cắt dũng điện một chiều lớn như vậy mà nú lại được điều khiển bằng điện ỏp với dũng cực nhỏ. Đõy là ưu điểm rất lớn của MOSFET, nhờ vậy cỏc mạch điều khiển đơn giản rất phự hợp với cỏc mạch điều khiển cho cụng suất nhỏ (dưới 200A).
*) Tranzito lưỡng cực, BJT: BJT cú ưu thế hơn MOSFET ở khả năng chịu dũng lớn hơn tới 750A và khả năng chịu dũng ỏp lớn hơn ( tới 1500V). Tuy nhiờn để cú thể điều khiển dũng lớn như vậy thỡ BJT cũng cần cú dũng điều khiển khỏ lớn.
với Kbh = 1,2ữ1,5V
Hệ số khuyếch đạiβ rất thấp khoảng hàng chục lần.Vỡ thế nhược điểm rừ nhất là khi dựng BJT cho đúng cắt cụng suất lớn thỡ mạch điều khiển lớn, phức tạp, tổn hao năng lượng.
*) IGBT( Insulated Gate Bipolar Tranzitor): Cú khả năng đúng cắt dũng điện tới 2000A và điện ỏp dưới 2000V. IGBT cú cực điều khiển bằng điện ỏp, tần số đúng cắt cao hơn nhiều so với GTO (100KHz) qua đú IGBT là phần tử cú tớnh ưu việt, nú kết hợp được điểm mạnh của MOSFET đú là khả năng đúng cắt nhanh và được điều khiển dễ dàng, cộng với ưu điểm của BJT là khả năng đúng cắt dũng điện lớn. Nhờ thế IGBT ngày nay được sử dụng rộng rói trong cỏc bộ biến tần, tạo xung với cụng suất lớn. Tuy nhiờn ở thị trường Việt Nam thỡ việc tỡm IGBT khụng phải là đơn giản.
Đối với cỏc linh kiện cụng suất thỡ việc toả nhiệt cho nú là một vấn đề phải được tớnh đến, do đú ta cần xem xột vấn đề này.