- Thụng số kỹ thuật * Điện ỏp ngừ ra : 12VDC
b.Đặc tớnh đúng cắt
Khi chưa cú dũng điều khiển, nếu anot cú điện ỏp dương so với catot thỡ toàn bộ điện ỏp rơi trờn tiếp giỏp J2 ở giữa. Tuy nhiờn nếu catot cú điện ỏp dương hơn so với anot thỡ tiếp giỏp p+- n ở sỏt anot sẽ bị đỏnh thủng ngay ở điện ỏp rất thấp, nghĩa là GTO khụng chịu được điện ỏp ngược.
Mụ hỡnh điều khiển đúng, mở được biểu diễn trờn hỡnh2.4b.
GTO được điều khiển mở bằng cỏch cấp dũng vào cực điều khiển, dũng điều khiển mở cú dạng như hỡnh vẽ 2.4a. Dũng điều khiển phải duy trỡ trong thời gian đủ lớn để dũng qua GTO kịp vượt xa giỏ trị dũng duy trỡ.
Để khoỏ GTO, một xung dũng phải được lấy ra từ cực điều khiển. Xung dũng khoỏ phải cú biờn độ rất lớn khoảng 20-25% biờn độ dũng anot-catot. Một yờu cầu quan trọng nữa là xung dũng điều khiển phải cú độ dốc sườn xung cao khụng lớn hơn 1μs
Dạng xung dòng Nguyên lý điều khiển
Hỡnh2.4:Đặc tớnh đúng cắt 2.5.2. Tranzito lưỡng cực cụng suất
a. Cấu trỳc bỏn dẫn
Tranzito là phần tử bỏn dẫn cú cấu trỳc gồm 3 lớp bỏn dẫn p- n-p hoặc n- p-n, tạo nờn hai lớp tiếp giỏp p-n. Cấu trỳc này thường được gọi là Bipolar Junction Tranzito (BJT) vỡ dũng điện chạy trong chỳng bao gồm cả hai loại điện tớch õm (điện tử), dương (lỗ trống). Cấu trỳc tiờu biểu của một Tranzito cụng suất được biểu diễn như hỡnh vẽ 2.5. Trong đú lớp bỏn dẫn p-n xỏc định điện ỏp đỏnh thủng của tiếp giỏp B-C và do đú của C-E.
Hinh 2.5 Cấu trỳc bỏn dẫn
Trong chế độ tuyến tớnh, hay cũn gọi là phần tử khuyếch đại dũng điện với dũng colector IC bằng β lần dũng bazơ, trong đú β là hệ số khuyếch đại dũng điện Ic=βIB
Tuy nhiờn trong điện tử cụng suất thỡ β thường là nhỏ (khoảng hàng chục lần). Khi mở dũng điều khiển phải thoả món điều kiện:
Trong đú Kbh bằng 1,2-1,5 gọi là hệ số bóo hoà. Khi đú Tranzito sẽ ở trong chế độ bóo hoà với điện ỏp giữa colector và emitor rất nhỏ cỡ 1ữ1.5V, gọi là dũng bóo hoà (UCE.bh). Khi khoỏ dũng điều khiển IB=0, lỳc đú dũng colector gần bằng 0.
Tổn hao cụng suất trờn Tranzito bằng tớch của dũng điện colector với điện ỏp rơi trờn colector-emitor, sẽ cú giỏ trị rất nhỏ trong chế độ khoỏ.
Trong cấu trỳc bỏn dẫn của Tranzito, ở chế độ khoỏ nếu cả hai tiếp giỏp B-E và B-C đều được phõn cực ngược. BJT ở trong chế độ tuyến tớnh, nếu tiếp giỏp B-E phõn cực thuận và B-C phõn cực ngược. Trong chế độ bóo hoà cả hai tiếp giỏp B-E và B-C phõn cực thuận.
Cơ chế tạo ra dũng điện qua Tranzito là sự thõm nhập của cỏc điện tớch khỏc dấu vào vựng bazơ p, cỏc điện tử, vỡ vậy BJT cũn được gọi là cấu trỳc với cỏc hạt mang điện phi cơ bản.