Cỏc đặc tớnh nhiễm bẩn lờn cỏch đ iện polime

Một phần của tài liệu Báo cáo: ĐÁNH GIÁ KHẢ NĂNG PHỤC HỒI CÁCH ĐIỆN BỀ MẶT CỦA SILICON SỬ DỤNG TRONG CÁCH ĐIỆN CAO ÁP CHẾ TẠO BẰNG VẬT LIỆU COMPOSITE PHỦ SILICONE SAU KHI CHỊU TÁC ĐỘNG PHÁ HUỶ BỀ MẶT (PHÓNG ĐIỆN/PLASMA) potx (Trang 48 - 50)

Cú thể núi giỏn tiếp rằng cả hai loại nhiễm bẩn cụng nghiệp và nhiễm bẩn ở

vựng biển tạo thành cỏc lớp nhiễm bẩn giống nhau lờn bề mặt cỏch điện SIR . Điều kiện sương muối tạo ra trờn cỏch điện khụng hoạt động một ESDD là ~0,02 mg/cm2 sau khi đặt chỳng vào sương muối 3mS/cm trong một khoảng thời gian ≤ 2 giờ và bằng 0,02 đến 0,05 mg/cm2 khi vận hành tại 0,4 kV trong 10 và 120 phỳt. Cỏch điện SIR của đường dõy truyền tải sau một số

năm vận hành thỡ cú độ dầy lớp nhiễm bẩn từ 8àm (ESDD là 0,05 mg/cm2)

đến 23 àm ( ESDD là 0,026 mg/cm2). Nhiễm bẩn tự nhiờn là bụi cỏc bon ở

trờn cỏc cỏch điện trờn đường dõy ở gần đường cao tốc và bụi, phõn chim từ

Đối với nhiễm bẩn nhõn tạo như Tonoko, cao lanh và Aerosil đều được tớnh

đến . Bột Tonoko, hay là đất sột, chứa đựng hỗn hợp SiO2 (58 đến 76%), Al2O3 (14 đến 30%) và Fe2O3 (từ 2 đến 6%) với nước cũng đó được sử

dụng rộng rói . Cỡ phần tử là 6,2 àm và mật độ bột là 2,76 g/cm3 . Đối với cao lanh cỡ phần tử là 5,8àm, mật độ là 2,6 g/cm3 và cấu tạo chủ yếu là SiO2 (46%), Al2O3 (37%), Fe2O3 (0,9%) . Nguyờn liệu chủ yếu tạo thành Tonoko là mutcovit (KAl2Si3Al10(OH)2) và thạch anh. Cao lanh được cấu tạo từ thành phần chớnh là kaolinite (Al2Si3O5(OH)4) và thạch anh . Cú thể

ghi chỳ rằng cú cỏc dạng khỏc nhau của cao lanh bao gồm Brasil, Rogers, Mexican, Georgian và Italian . Cỏc bề mặt nhiễm bẩn cao lanh thỡ tương đối

đồng nhất hơn. Điều này là do cao lanh cú tớnh dớnh nước trong khi Tonoko cú hàm lượng SiO2 cao hơn thỡ cú tớnh chống dớnh nước .

Điện ỏp phúng điện DC của nhiễm bẩn cao lanh của SIR thấp hơn 15% so với Tonoko, và với nhiễm bẩn Aerosil thỡ thấp hơn cả hai loại trờn bởi vỡ nú cú tớnh hỳt nước và cú dạng lớp trờn bề mặt dầy hơn nhiều . Sau 7 năm vận hành gần bờ biển, khụng cú sự khỏc biệt đỏng kể vào về ESDD cú thể quan sỏt được trờn cỏch điện sứ và composit . Cỏc giỏ trị độ tin cậy 95% của ESDD đối với SIR, EVA và sứ lần lượt là 0,107; 0,087 và 0,116 mg/cm.

Một phần của tài liệu Báo cáo: ĐÁNH GIÁ KHẢ NĂNG PHỤC HỒI CÁCH ĐIỆN BỀ MẶT CỦA SILICON SỬ DỤNG TRONG CÁCH ĐIỆN CAO ÁP CHẾ TẠO BẰNG VẬT LIỆU COMPOSITE PHỦ SILICONE SAU KHI CHỊU TÁC ĐỘNG PHÁ HUỶ BỀ MẶT (PHÓNG ĐIỆN/PLASMA) potx (Trang 48 - 50)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(118 trang)