Kỹ thuật cắt lát phổ là kỹ thuật mà theo đó, phổ đầu ra của các nguồn sáng băng rộng được chia tách ra thành những lát phổ có độ rộng nhỏ hơn dải phổ ban đầu. các phổ đầu ra của các nguồn BLS này sẽ được đan xen với nhau như hình vẽ dưới đây. Khoảng cách kênh trong hệ thống phải được lựa chọn sao cho xuyên âm tối thiểu. Hơn nữa, việc cắt lát phổ này cũng không đạt hiệu quả trong việc dự trữ công suất khi chỉ có duy nhất một phần phổ công suất của mỗi nguồn được ghép thông qua bộ ghép kênh.
Hình 2.15 Phổ của nguồn BLS sau khi được cắt lát bằng bộ WDM
Bằng cách chia dải phổ của nguồn băng rộng BLS thành các lát phổ thông qua một bộ lọc quang băng hẹp, do đó chỉ có duy nhất một bước sóng
cho mỗi kênh WDM được sử dụng. Việc kết hợp một số nguồn quang băng rộng và bộ lọc quang đã được thử nghiệm như LED, SLED, LDFP hoặc các nguồn nhiễu xạ tự phát được khuếch đại (ASE) được tạo ra bởi bộ khuếch đại EDFA được sử dụng như các nguồn quang trong khi đó các bộ lọc Fabry- Perot, bộ AWG được dùng như các bộ lọc quang. Vì chỉ có một phần phổ hẹp của nguồn quang ban đầu được dùng nên nguồn này thường có công suất thấp vì vậy cần phải có thêm một khuếch đại quang trong hệ thống.
Hình 2.16 Sơ đồ khối của nguồn ASE được tạo ra từ bộ EDFA
Xét nguồn quang băng rộng có phổ cắt lát là nguồn ASE được tạo bởi bộ EDFA (hình 2.16) được đặt tại CO, dành cho truyền dẫn đường xuống. Ví dụ dưới đây là sơ đồ khối của nguồn quang khuếch đại sợi EDF hai tầng có phổ của ASE phù hợp với một dải phổ tự do của bộ định tuyến cách tử ống dẫn sóng WGR (Waveguide Grating Router).
Nguyên lý hoạt động tạo ra nguồn nhiễu xạ tự phát được khuếch đại ASE như sau: Khi các ion Er3+ được kích thích từ trạng thái nền thông qua việc hấp thụ ánh sáng từ Laser bơm, nó sẽ phân rã không phát xạ từ các mức năng lượng cao hơn cho tới khi tiến sang trạng thái siêu bền 4I13/2. Tín hiệu quang sẽ đi đến các Erbium đã được kích thích. Trong quá trình bức xạ kích thích, nó tạo ra các photon có cùng pha, cùng hướng với photon tới, như vậy là đã tạo ra được quá trình khuếch đại trong EDFA. Các ion đã được kích thích mà không tương tác với ánh sáng tới sẽ phân rã tự phát tới trạng thái nền với hằng số xấp xỉ 10ms. Bức xạ tự phát sẽ tạo ra các photon cùng pha và hướng ngẫu nhiên, điều này gây ra nhiễu trong EDFA gọi là nhiễu bức xạ SE. Ở đầu bộ khuếch đại, do nhiễu này cũng được khuếch đại nên tạo thành những bức xạ tự phát được khuếch đại ASE. Hình 2.17 Phổ của nguồn ASE được tạo ra từ EDFA được cắt lát bằng AWG.
ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP CHƯƠNG II
Ưu điểm của phương pháp này là giá thành rẻ, không cần nguồn sáng băng rộng cung cấp từ bên ngoài vào. Nhược điểm của phương pháp này là tốc độ hệ thống thấp và khoảng cách truyền dẫn ngắn.
Hình 2.17 Phổ của nguồn ASE được tạo ra từ EDFA được cắt lát bằng AWG