Thanh ghi tắc độ BAUD UAR T:

Một phần của tài liệu Thiết kế thiết bị lưu trữ và truy xuất đĩa CD tự động (Trang 78 - 79)

| Bộ phận ấn định tốc độ baud dùng cho UART là một bộ phận lưu trữ số chia

tần số, quy định mức độ nhanh chậm đối với việc truyền và nhận dữ liệu.

Bảng 2.7 : Công thức tính toán tốc độ Baud -

Equation Tor

Equation for Calculating Calculaing UBRR

Operating Mode Baud Ratø?? Value

Ä #nchionous Normal Miode £ £

* J “TC + TỚSG

ÖU2x =0 841D = .ả——_ÙBRNÑ 8S mm]

) 18{L8RR +1) 188.100

A #nchronous Doubie Speed Mode U2Xe=1 BHIUD g ————— | CRRÑ # ———— ÓC & + JSC +

[ ì Đ(UBRR + 1) BBI1UD

Synchronous Master Mode fyyc lược

BAID = —— | UBHRR # ——= Ì 7 2UBRR+T) Ễ 2B1UD

> Bộ nhớ dữ liêu EEPROM:

Tất cả các bộ điều khiển AVR đều có một bộ nhớ EEPROM trên chip. Dung lượng bộ nhớ EEPROM thay đổi từ 64 byte trên bộ điều khiển AT90S1200, Tiny lượng bộ nhớ EEPROM thay đổi từ 64 byte trên bộ điều khiển AT90S1200, Tiny

10/12 đến 4kbyte trên Mage103. Bộ nhớ EEPROM được truy nhập wa các thanh

ghi truy nhập EEPROM, cụ thể là thanh ghi địa chỉ EEPROM (EEAR), thanh ghi đữ liệu EEPROM (EEDR), và thanh ghi điều khiển EEPROM (EECR).

Đối với các bộ điều khiển có bộ nhớ EEPROM trên 256byte, thanh ghi

EEAR trên thực tế là 2 thanh ghi:EEARL và EEARH. Thanh ghi EEAR được sử

dụng để đặt địa chỉ của bộ nhớ EEPROM mà đữ liệu cần ghi vào đó hoặc cần đọc ra từ đó. Thanh ghi EEAR là một thanh ghi đọc ghi, nghĩa là thanh ghi có thể được đọc để xem cái gì đã được đặt vào địa chỉ của EEPROM.

Thanh ghi EEDR là thanh ghi dữ liệu bộ nhớ EEPROM và là một thanh ghi

đọc /ghi. Khi ta muốn ghi dữ liệu vào bộ nhớ EEPROM, ta nạp các đữ liệu cân

| thiết vào thanh ghi EEDR. Khi ta muốn đọc đữ liệu từ bộ nhớ EEPROM, thì phải

chờ sau khi quá trình ghi được thực hiện xong, ta đọc thanh ghi EEDR dùng cho

| dữ liệu.

Thanh ghi eecrcó các bit điều khiển cần thiết cho việc đọc và ghi vào bộ nhớ | EEPROM. Việc ghi vào bộ nhớ EEPROM trên các bộ điều khiên AVR nằm

"NREDDDDDDDDTTTEDTTT00000n0000NDNHNHUADDE---G-G-OF. TINH TTTTTPTEEPEETTETESESEIANOTTTTOOOGGEGG-G-G-ỌGỌGGGHỚGGGGG--Ọ-Ọ-S-SSSBOARAIAAIGIADE

LUẬN ÁN TÓT NGHIỆP CBHD: Th.S Trần Đình Huy

==———.. .——.---nnnn

trong khoảng 2.5ms đến 4.0ms, tùy thuộc vào điện áp nguồn nuôi. Bit điều khiển EEWE trong thanh ghi EECR cho phép người dùng phát hiện khi một lượng dữ liệu được yêu cầu trước đó đã được ghi vào bộ nhớ EEPROM và dữ liệu 1 byte

mới có thê được ghi.

Atmegal6ó gồm 512 bytes bộ nhớ data EEPROM, gồm 3 thanh ghi điều

khiển : EEPROM Address, EEPROM Data and EEPROM Control. - Thanh ghi EEPROM Address - EEARH và EEARL :

l6 14 18 12 H lÔ $ 8

= ——— To = BE An | EEAPh

LAN | EEANG | EEANG | CEAHA | CCANG | CCÁNG | EHÁN | KCÁNG | EEARL

? § š 4 3 # ‡ ö

Bit 8....0 - EEARS..0 : địa chỉ EEPROM, địa chỉ trong EEPROM có giá trị từ 0 đên 511 (0x0000 — 0x01).

Một phần của tài liệu Thiết kế thiết bị lưu trữ và truy xuất đĩa CD tự động (Trang 78 - 79)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(118 trang)