c. Giản đồ phổ TPD-O (khử hấp phụ oxi theo chương trình nhiệt độ Temperature Programmed Desorption of Oxygen)
3.2.Kỹ thuật phản ứng oxi hóa xúc tác bề mặt xylen trên vật liệu CoOx/AC
Từ hình 3.6 quan sát thấy một pic khử hấp phụ oxi khá lớn trong khoảng nhiệt độ 150 - 2500C (cực đại 1980C). Píc khử này chính là quá trình khử của dạng oxi hấp phụ trên vật liệu CoOx/AC. Mặt khác, trên hình 11b píc khử hấp phụ dạng oxi hấp phụ trên CoOx/Al2O3 không rõ ràng. Nhiệt độ khử hấp phụ này dự đoán khoảng 300-4000C.
Theo [17], cơ chế của quá trình hấp phụ-oxi hóa BTX (benzen, toluen, xylen) trên vật liệu than hoạt tính tẩm oxit kim loại chuyển tiếp xảy ra theo cơ chế Langmuir-Hinshelwood nên quá trình khử hấp phụ O2 xảy ra trên CoOx/AC ở nhiệt độ thấp 150 - 2500C là rất tạo thuận lợi cho quá trình tương tác với BTX hấp phụ trên AC, tức là tạo thuận lợi cho quá trình hấp phụ-oxi hóa m-xylen.
3.2. Kỹ thuật phản ứng oxi hóa xúc tác bề mặt xylen trên vật liệuCoOx/AC CoOx/AC
3.2.1. Nguyên lý
Kỹ thuật oxi hóa xúc tác bề mặt là một dạng của kỹ thuật hấp phụ-xúc tác được ứng dụng để xử lý các hợp chất VOCs nhằm tạo ra CO2, H2O với hiệu suất xử lý 100% ở nhiệt độ không cao (≤
200oC) chỉ trong một đơn vị thiết bị (vừa hấp phụ vừa hoàn nguyên).
Nguyên lý của kỹ thuật này được hiểu như sau: vật liệu hấp phụ đã hấp phụ bão hòa xylen thì khi hoàn nguyên, phản ứng :
(xylen)HP + (O2)HP → CO2 + H2O (h)
(Trong đó (xylen)HP và (O2)HP : xylen và O2 hấp phụ trên bề mặt vật liệu HP-XT, MeOx: các tâm của oxit kim loại chuyển tiếp trên bề mặt chất HP-XT).
Không thể chuyển hóa xylen thành CO2 + H2O với hiệu suất 100% một cách tức thì mà phải cần thời gian và không gian phản ứng cần thiết tùy thuộc vào bản chất xúc tác và chất bị hấp phụ).