Trong thời gian gần đây, với sự phát triển của spintronics, hiệu ứng từ điện trở dị hướng lại được quan tâm mạnh mẽ trở lại với các ứng dụng sử dụng các cấu trúc nano từ tính hoạt động dựa trên vách đômen. Trong các cấu trúc nhỏ, sự xuất hiện của các vách đômen dẫn đến việc thay đổi lớn các tính chất điện do sự tán xạ của điện tử trên các vách đômen là rất lớn và được gọi là từ điện trở vách đômen. Từ điện trở vách đômen tỉ lệ thuận với từ điện trở dị hướng theo công thức[6] :
với RDW, Rsat là điện trở của mẫu khi có vách đơmen và khi ở trạng thái bão hịa từ; δρ là điện trở dị hướng, Δ là là độ dày vách đômen, w, t lần lượt là chiều rộng và độ dày của mẫu.
Ứng dụng
• AMR được sử dụng trong các sensor đo từ trường, sensor AMR rất hữu ích trong việc đo từ trường Trái Đất. • AMR trước đây sử dụng trong đầu đọc của ổ cứng máy tính, sau đó bị thay thế bởi các đầu đọc sử dụng hiệu ứng
GMR.
• Gần đây AMR lại hồi sinh trở lại với việc xây dựng các linh kiện vách đômen và sử dụng từ điện trở vách đômen. Hiệu ứng AMR đặc biệt hữu ích cho việc đo đạc vận chuyển các vách đômen trong các dây nano (xác định sự xuất hiện, đo hiệu ứng từ điện trở vách đômen, đo tốc độ chuyển động của vách đômen...).
Tài liệu tham khảo
[1] W. Thomson, On the Electro-Dynamic Qualities of Metals:--Effects of Magnetization on the Electric Conductivity of Nickel and of Iron, Proc. Roy. Soc. 8 (1857) 546-550. (http://journals.royalsociety.org/content/mn212547v04qw388/)
[2] J. Smit, Magnetoresistance of ferromagnetic metals and alloys at low temperatures, Physica 17 (1951) 612-627. (http://dx.doi.org/10. 1016/0031-8914(51)90117-6)
[3] T. R. McGuire, R. D. Hempstead, and S. Krongelb, Anisotropic magnetoresistance in ferromagnetic 3d ternary alloys, AIP Conf. Proc. -- May 1976 -- Volume 29, p. 526. (http://link.aip.org/link/?APCPCS/29/526/1)
[4] T. R. McGuire, R. I. Potter, Anisotropic magnetoresistance in ferromagnetic 3d alloys, IEEE Trans. Magn. 11 (1975) 1018-1038. (http:// ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?arnumber=1058782)
[5] G. T. Meaden, Conduction electron scattering and the resistance of the magnetic elements, Cont. Phys. 12 (1971) 313 - 337. (http://www. informaworld.com/smpp/content~content=a752575867~db=all)
[6] L. Thomas and S.S.P. Parkin, Current induced domain wall motion in magnetic nanowire, in Handbook of Magnetism and Advanced Magnetic Materials, Ed. by H. Kronmueller and S. Parkin, Vol. 2: Micromagnetism (2007) John Wiley & Sons, Ltd. ISBN:
Từ điện trở dị hướng 112 Xem thêm • Từ điện trở • Từ điện trở khổng lồ • Từ độ • Điện trở suất • Vách đơmen Từ điện trở khổng lồ
Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (tiếng Anh: Giant magnetoresistance, viết tắt là GMR) là sự thay đổi lớn của điện
trở ở các vật liệu từ dưới tác dụng của từ trường ngoài. Tên gọi gốc tiếng Anh của GMR là "Giant magnetoresistance", dịch sang tiếng Việt còn chưa thống nhất (giữa từ "lớn" hay "khổng lồ") do việc so sánh với tên gọi một hiệu ứng từ điện trở khác có tên tiếng Anh là "Colossal magnetoresistance" (Từ "Colossal" có nghĩa cịn lớn hơn với "Giant"). Vì thế, những nhà nghiên cứu khoa học vật liệu, vật lý chất rắn ở Việt Nam gọi tắt chung hiệu ứng này là GMR.
Kết quả về hiệu ứng từ điện trở khổng lồ trong các siêu mạng Fe/Cr phát hiện bởi nhóm của Albert Fert
Độ lớn của GMR được thể hiện qua tỉ số từ điện trở:
Từ điện trở khổng lồ 113