Lý thuyêt transistor phađn tử được xađy dựng tređn cơ sở Toán hĩc, Vaơt lý lượng tử và Tin hĩc rât chaịt chẽ. Tuy nhieđn, kêt quạ mođ phỏng lối transistor phađn tử vòng benzene lieđn kêt 1-4 với các nguyeđn tô thuoơc nhóm Halogen phú thuoơc vào các tham sô được xác laơp từ phaăn meăm mođ phỏng Hóa hĩc CAChe. Kêt quạ mođ phỏng các transistor phađn tử này cho thây dáng đường đaịc trưng tái UG = 0 V có cùng dáng với các giá trị UG từ 0,1 V đên 0,5 V. Các phađn tử C6H4F2; C6H4Cl2; C6H4Br2 ở các tráng thái khí, lỏng, raĩn trong dại nhieơt đoơ khođng quá cao cũng như quá thâp neđn deê có khạ naíng kieơm chứng baỉng thực nghieơm. Hình 3.17 là đeă xuât cụa tác giạ. Ta hãy dùng moơt kính hieơn vi đường haăm có đaău kim và đê được má Vàng. Đieău chưnh cho khoạng cách giữa đaău kim và đê baỉng kích thước dài trung bình cụa phađn tử như Bạng 2.2.
Hình 3.17: Đeă xuât thực nghieơm đeơ kieơm chứng kêt quạ mođ phỏng transistor keđnh phađn tử C6H4F2
Baĩt moơt trong sô bôn lối phađn tử đã khạo sát tređn vào vị trí giữa đaău kim và đê. Do dòng IDS đã được khạo sát khođng ạnh hưởng bởi kích thước dài cụa phađn tử neđn những sai sô veă khoạng cách cụa đaău kim với đê trong khoạng cho phép như Bạng 3.1 đôi với C6H4Cl2 là khođng quan trĩng. Đieău chưnh thê cung câp đeơ đo dòng đường haăm qua phađn tử.
Như moơt sô nhà nghieđn cứu đã nhaơn định [5], các linh kieơn đieơn tử nanođ mà cú theơ là transistor phađn tử có theơ được chê táo trong các phòng thí nghieơm hóa hĩc.
KÊT LUAƠN
Từ lý thuyêt transistor phađn tử cùng phaăn meăm mođ phỏng hóa hĩc CAChe và MATLAB, tác giạ đã mođ phỏng và nghieđn cứu chi tiêt lối transistor phađn tử có câu trúc như cụa MOSFET truyeăn thông, trong đó, keđnh dăn là các phađn tử C6H4F2; C6H4Cl2; C6H4Br2; C6H4I2. Kích thước cụa lối transistor này ở dại nanođmét. Moêi transistor với keđnh dăn baỉng các phađn tử neđu tređn đeău được khạo sát ạnh hưởng cụa các yêu tô lieđn quan nhaỉm đánh giá khạ naíng ứng dúng cụa nó và là cơ sở đeơ kieơm chứng veă maịt thực nghieơm trong tương lai.
1. Phaăn meăm mođ phỏng hóa hĩc CAChe đã được tác giạ sử dúng đeơ thiêt kê các phađn tử C6H4F2; C6H4Cl2; C6H4Br2; C6H4I2 và tôi ưu hóa câu trúc. Từ đađy, tác giạ đã xác định được các tham sô caăn thiêt: kích thước, mức naíng lượng đáp ứng đaăy đụ vieơc cháy chương trình tính dòng IDStrong MATLAB.
2. Trong lúc chờ đợi sự tiên boơ veă maịt cođng ngheơ đeơ táo ra moơt transistor phađn tử như đã được mođ phỏng trong luaơn án thì nhu caău veă hĩc taơp, nghieđn cứu, nađng cao đoơ chính xác cụa các sô lieơu cho lối linh kieơn này là rât chính đáng và caăn thiêt. Chính vì vaơy, tác giạ đã táo neđn hai định dáng file tính dòng IDS
khác nhau. Các chương trình tính dòng IDS dưới định dáng *.m file cho phép so sánh kêt quạ khạo sát các transistor với vaơt lieơu keđnh dăn khác nhau tređn cùng moơt heơ trúc tĩa đoơ.
3. Tác giạ đã sử dúng GUI trong MATLAB đeơ thiêt kê moơt giao dieơn đoă hĩa nhaỉm mođ tạ câu trúc cụa transistor, hieơn thị các tham sô cơ bạn cụa phađn tử và khạo sát hĩ đaịc trưng dòng - thê DS ( DS)U const
G U f I
=
= dưới ạnh hưởng cụa sự lượng tử hóa kích thước, thay đoơi nhieơt đoơ, thay đoơi thê coơng thođng qua các Slider.
4. Nhaỉm đơn giạn hóa và thực hieơn chính xác, nhanh chóng bước nhaơp sô lieơu, tác giạ đã sử dúng GUI cụa MATLAB (định dáng *.fig file) đeơ táo neđn moơt giao dieơn có tính trực quan nhaỉm khạo sát lối transistor này thođng qua toơ hợp chaơp cụa 5 yêu tô:
a) Vaơt lieơu làm keđnh dăn tùy chĩn từ các phađn tử C6H4F2, C6H4Cl2, C6H4Br2, C6H4I2 thođng qua moơt Pop-up Menu.
b) Nhieơt đoơ thay đoơi bởi sáu bước cách nhau 40 K trong khoạng từ 193 K đên 393 K (– 80 oC đên 120 oC) thođng qua Slider.
c) Thê coơng UG thay đoơi bởi sáu bước cách nhau 0.1 V trong khoạng từ 0 V đên 0,5 V thođng qua Slider.
d) Kích thước roơng W cụa phađn tử thay đoơi sáu bước theo đúng như mức lượng tử hóa đo được từ mođ phỏng hóa hĩc CAChe.
e) Kích thước dài L cụa phađn tử thay đoơi sáu bước theo đúng như mức lượng tử hóa đo được từ mođ phỏng hóa hĩc CAChe.
5. Kêt quạ khạo sát hĩ đaịc trưng dòng - thê cụa bôn lối transistor phađn tử vòng benzene lieđn kêt 1-4 với các nguyeđn tử cụa nhóm Halogen (F, Cl, Br, I) có UG thay đoơi từ 0 V đên 0,5 V cho thây đoă thị có dáng giông như cụa MOSFET truyeăn thông. Hĩ đaịc trưng phađn thành hai vùng rõ reơt. Vùng có đoơ dôc lớn (dòng IDS taíng rât nhanh) khi UDS < 0,2 V và vùng bão hòa (dòng IDS taíng rât chaơm) khi UDS > 0,2V. Nguoăn nuođi cho các lối transistor này chư khoạng 1V. 6. Khạo sát ạnh hưởng cụa nhieơt đoơ từ -80 oC đên +120 oC cho thây dáng đaịc
trưng dòng - thê khođng thay đoơi đôi với cạ 4 lối phađn tử làm keđnh dăn. Mức đoơ ạnh hưởng cụa nhieơt đoơ leđn giá trị dòng IDS có sự khác nhau giữa 4 lối
phađn tử làm keđnh dăn. Dại nhieơt đoơ làm vieơc cụa lối transistor phađn tử neđu tređn roơng hơn so với sử dúng vaơt lieơu Si hay Ge truyeăn thông.
7. Khạo sát ạnh hưởng cụa sự lượng tử hóa kích thước roơng và dài cụa phađn tử leđn đaịc trưng dòng - thê cho thây đoơ roơng taíng thì dòng IDS cũng taíng theo. Ngược lái, giá trị đoơ dài cụa phađn tử khođng ạnh hưởng leđn dòng IDS.
8. Trong cùng moơt đieău kieơn nhieơt đoơ, đieơn áp VD và VG thì dòng IDS qua transistor sử dúng keđnh phađn tử C6H4F2, C6H4Cl2, C6H4Br2, C6H4I2 có giá trị khác nhau. Đieău này có lieđn quan đên khạ naíng cung câp cođng suât ở lôi ra cụa mách đieơn cú theơ khi sử dúng các transistor phađn tử. Trong bôn lối đã xét, khạ naíng cung câp cođng suât lớn nhât thuoơc veă transistor sử dúng keđnh phađn tử C6H4I2; thâp hơn tiêp theo là transistor sử dúng keđnh phađn tử C6H4Br2; thâp nhât là transistor sử dúng keđnh phađn tử C6H4Cl2.
DANH MÚC BÀI BÁO, COĐNG TRÌNH ĐÃ COĐNG BÔ
1. Đinh Sỹ Hieăn, Bùi An Đođng, Traăn Tiên Phức (2006), “Phát trieơn mođ hình 3D: châm lượng tử”, Báo cáo khoa hĩc, Hoơi nghị khoa hĩc laăn thứ 5, Trường Đái hĩc Khoa hĩc Tự nhieđn, Đái hĩc Quôc gia Thành phô Hoă Chí Minh,tr. 117. 2. Đinh Sỹ Hieăn, Traăn Tiên Phức (2006), “Boơ mođ phỏng linh kieơn lượng tử
NEMO-VN”, Báo cáo khoa hĩc, Hoơi nghị khoa hĩc laăn thứ 5, Trường Đái hĩc Khoa hĩc Tự nhieđn, Đái hĩc Quôc gia Thành phô Hoă Chí Minh,tr. 118.
3. Đinh Sỹ Hieăn, Traăn Tiên Phức (2006), “Cođng ngheơ chê táo linh kieơn đieơn tử nanođ”, Báo cáo khoa hĩc, Hoơi nghị khoa hĩc laăn thứ 5, Trường Đái hĩc Khoa hĩc Tự nhieđn, Đái hĩc Quôc gia Thành phô Hoă Chí Minh,tr. 119.
4. Đinh Sỹ Hieăn, Leđ Hữu Phúc, Traăn Tiên Phức, Phám Thành Trung, Bùi An Đođng, Đinh Vieơt Nga (2006), “Xađy dựng phaăn meăm mođ phỏng NEMO-VN cho linh kieơn đieơn tử nanođ”, Đeă tài nghieđn cứu câp Boơ, Trường Đái hĩc Khoa hĩc Tự nhieđn, Đái hĩc Quôc gia Thành phô Hoă Chí Minh,Mã sô: B2005-18- 06.
5. Traăn Tiên Phức (2007), “Transistor phađn tử C6H4Br2, C6H4F2 và C6H4Cl2”,
Tuyeơn taơp các báo cáo tại Hoơi nghị Vaơt lý Chât raĩn toàn quôc laăn thứ 5, Hội Vật lý Việt nam, tr. 768 - 772.
6. Traăn Tiên Phức (2008), “Transistor phađn tử”, Táp chí Phát trieơn Khoa hĩc và Cođng ngheơ, Đái hĩc Quôc gia Tp. Hoă Chí Minh, Taơp 11, Sô 02, tr. 50 - 59. 7. Dinh Sy Hien, Tran Tien Phuc, Pham Thanh Trung, Bui An Dong, Huynh Lam
Thu Thao, Nguyen Van Le Thanh, Thi Tran Anh Tuan, Huynh Hoang Trung and Nguyen Thi Thanh Nhan (2008), “A quantum device simulator - NEMO- VN” The Eleventh Vietnamese-German Seminar on Physics and Engieering (VGS11). p. 5.
8. Tran Tien Phuc (2007), “Molecular transistor C6H4Br2, C6H4F2 and C6H4Cl2”,
Advances in Natural Sciences, Vol. 8, No. 3&4, p. 459-468.
9. Tran Tien Phuc (2008), “Some research results on the single-molecule transistor”, APCTP – ASEAN Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology, Nhà xuât bạn Khoa hĩc Tự nhieđn và Cođng ngheơ, p. 565-573.
10. Đinh Sy Hien, Nguyen Thi Luong, Le Hoang Minh, Tran Tien Phuc, Pham Thanh Trung, Bui An Dong, Huynh Lam Thu Thao, Nguyen Van Le Thanh, Thi Tran Anh Tuan, Huynh Hoang Trung, Nguyen Thi Thanh Nhan, Dinh Viet Nga, (2008) “Development of quantum device simulator, NEMO-VN1”,
APCTP – ASEAN Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology, Nhà xuât bạn Khoa hĩc Tự nhieđn và Cođng ngheơ, p. 1070 - 1079.
(9) và (10) đã được thođng báo xác nhaơn đaíng ở Journal of Physics Conference series by IOP publisher, UK. Link: http://jpcs.iop.org
TÀI LIEƠU THAM KHẠO
TÀI LIEƠU TIÊNG VIEƠT
1. Vũ Đình Cự, Nguyeên Xuađn Chánh (2004), Cođng ngheơ nanođ đieău khieơn đên từng phađn tử, nguyeđn tưû, Nhà xuât bạn Khoa hĩc và Kỹ thuaơt, Hà Noơi. 2. Đinh Sỹ Hieăn (2005), Đieơn tử nanođ linh kieơn và cođng ngheơ, Nhà xuât bạn
Đái hĩc Quôc gia Thành phô Hoă Chí Minh, Thành phô Hoă Chí Minh.
3. Đinh Sỹ Hieăn, Leđ Hữu Phúc, Traăn Tiên Phức, Phám Thành Trung, Bùi An Đođng, Đinh Vieơt Nga (2006), Xađy dựng phaăn meăm mođ phỏng NEMO-VN cho linh kieơn đieơn tử nanođ, Đeă tài nghieđn cứu câp Boơ, Đái hĩc Quôc gia Thành phô Hoă Chí Minh, Thành phô Hoă Chí Minh, Mã sô: B2005-18-06. 4. Traăn Tiên Phức (2008), “Transistor phađn tử, Tạp chí Phât triển Khoa học vă
Cơng nghệ, Đái hĩc Quôc gia Thành phô Hoă Chí Minh, Thành phô Hoă Chí Minh, Tập 11 (2), tr. 50.
5. Ngúy Hữu Tađm (2004), Cođng ngheơ nanođ hieơn tráng, thách thức và những sieđu ý tưởng, Nhà xuât bạn Khoa hĩc và Kỹ thuaơt, Hà Noơi.
6. Trương Vaín Tađn (2008), Quạ bóng đá C60 và ông Nano Carbon, Tạp chí
Tia sâng, Bộ Khoa học vă Cơng nghệ, số 18.
7. Trương Văn Tđn (2008), Vật liệu tiín tiến: từ polyme dẫn điện đến ống than nano, Nhă xuất bản Trẻ, Tp. Hồ Chí Minh.
TÀI LIEƠU TIÊNG ANH
8. B. Q. Wei, R. Vajtai and P.M. Ajayan (2001), Reliability and current carrying capacity of carbon nanotubes, Appl. Phys. Lett., Vol.79, p.1172. 9. B. Yu et al. (2001), IEDM Tech Digist, p. 937.
10. C. W.j. Beenaker (1991), Phys. Rev., Vol. B44, p.1644. 11. C. Joachim, J. K. Gimzewski (2000), Nature, Vol.408, p.541.
12. D. L. Klein et al (1996), “An approach to Electrical Studies of Single Nanocrystals”, Appl. Phys. Lett., Vol. 68, p. 2574-2576.
13. David M. Cardamone,* Charles A. Stafford, and Sumit Mazumdar (2006), “Controlling Quantum Transport through a Single Molecule”, Nano letters, Vol. 6 (11), p. 2422-2426.
14. Ferdows Zahid, Magnus Paulsson and Supriyo Datta (2003), Electrical Conduction through Molecules, Purdue University, USA.
15. Greg Y. Tseng, James C. Ellenbogen (1999), Architectures for molecular electronic computers: 3. Design for a memory cell built from molecular electronic devices, MITRE McLean, Virginia.
16. H. Ahmed and K. Nakazoto (1996), “Single Electron Devices”,
Microelectronic Engineering, Vol.32, p. 297-315.
17. J. C. Ellenbogen, J. Christopher Love (2000), “Architectures for Molecular Electronic Computers”, Proc. IEEE, Vol88 (3), 386–426.
18. L.A. Bumm et al. (1996), “Are Single Molecular Wires Conducting?”
19. M. Derogi et al. (1995), “Room Temperature Coulomb Blockade from a self-Assembled Molecular Nanostructure”, Phys. Rev. B, Vol.52 (12), p. 9071-9077.
20. M. Ono et al (1995), “A 40 nm Gate Length n-MOSFET”, IEEE Transactions On Electron Devices, Vol. 42, p. 1822-1830.
21. M. P. Samanta, W. Tian, and S. Datta (1996), “Electronic conduction through organic molecules”, physical review B, Vol. 53 (12).
22. O. Kwon et al. (1999), Chem. Phys. Lett., Vol.343, p.321.
23. Paul Alan Freshney (2006), Aardvark Digital Periodic Table v.2.8.
24. Prashant Damle, Titash Rakshit, Magnus Paulsson and Supriyo Datta, (2002), “Current–Voltage Characteristics of Molecular Conductors: Two Versus Three Terminal”, IEEE Transactions on nanotechnology, Vol. 1 (3), p. 145 - 153.
25. Prashant Subhash Damle (2003), Nanoscale device modeling: from mosfets molecules, Purdue University.
26. R. Notzel et al (1996), “Self-Organized Growth of Quantum Dot Structures”, Solid State Electron., Vol. 40, p. 777-783.
27. R. Saito, M. Fujita (2001), Carbon Nanotubes, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York.
28. R.F. Service (1996), “Mixing Nanotube Structure to Make a Tiny Switch”,
Science, Vol. 217, p. 1232,
29. R.M. Metzger et al. (1998), Thin Solid Films, Vol.327, p.326. 30. R.M. Metzger et al., J. Am. (1997) Chem. Soc., Vol.119, p.10455,.
31. S. Tarucha et al (1996), “Shell Filling and Spin Effects in a Few Electron Quantum Dot”, Phys. Rev. Lett. Vol. 77, p. 3613-3616.
32. S.J. Tans et al. (1998), Nature, Vol.393, p.49.
33. Sergey Edward Lyshevski (2007), Nano and molecular electronics handbook, CRC Press, Boca Raton – London - New York.
34. Supriyo Datta (2005), Quantum Transport: Atom to Transistor, Cambridge University Press.
TÀI LIEƠU INTERNET
35. http://webbook.nist.gov/cgi/cbook.
36. http://www.clippercontrols.com/info/dielectric_constants.html#S
37. https://www.nanohub.org/
PHÚ LÚC
PHÚ LÚC A: CODE MATLAB CỤA CHƯƠNG TRÌNH TRONG LUAƠN ÁN PLA1. Code MATLAB cụa giao dieơn chính trong chương trình mođ phỏng transistor phađn tử
function varargout = TTP_TRANSISTOR_PHAN_TU(varargin)
gui_Singleton = 1;
gui_State = struct('gui_Name', mfilename, ...
'gui_Singleton', gui_Singleton, ... 'gui_OpeningFcn', @TTP_TRANSISTOR_PHAN_TU_OpeningFcn, ... 'gui_OutputFcn', @TTP_TRANSISTOR_PHAN_TU_OutputFcn, ... 'gui_LayoutFcn', [] , ... 'gui_Callback', []);
if nargin && ischar(varargin{1})
gui_State.gui_Callback = str2func(varargin{1}); end if nargout [varargout{1:nargout}]=gui_mainfcn(gui_State, varargin{:}); else gui_mainfcn(gui_State, varargin{:}); end function TTP_TRANSISTOR_PHAN_TU_OpeningFcn(hObject,
eventdata, handles, varargin) axes(handles.axes9_anhBTH); subplot(handles.axes9_anhBTH);
BTH=imread('Bang tuan hoan.bmp');
hold on axis off handles.output = hObject; guidata(hObject, handles); function varargout = TTP_TRANSISTOR_PHAN_TU_OutputFcn(hObject, eventdata, handles) varargout{1} = handles.output;
function edit1_Callback(hObject, eventdata, handles)
function edit1_CreateFcn(hObject, eventdata, handles)
if ispc && isequal(get(hObject,'BackgroundColor'),
get(0,'defaultUicontrolBackgroundColor'))
set(hObject,'BackgroundColor','white');
end
function edit2_Callback(hObject, eventdata, handles)
function edit2_CreateFcn(hObject, eventdata, handles)
if ispc && isequal(get(hObject,'BackgroundColor'),
get(0,'defaultUicontrolBackgroundColor'))
set(hObject,'BackgroundColor','white');
end
%Chon phan tu lam kenh dan: C6H4F2 C6H4Cl2 C6H4Br2 C6H4I2
function popupmenu1_Callback(hObject, eventdata,
handles)
function popupmenu1_CreateFcn(hObject, eventdata,
handles)
if ispc && isequal(get(hObject,'BackgroundColor'),
get(0,'defaultUicontrolBackgroundColor'))
set(hObject,'BackgroundColor','white');
function popupmenu1_ButtonDownFcn(hObject, eventdata, handles)
function pushbutton14_Callback(hObject, eventdata,
handles)
%Khao sat transistor
str=get(handles.popupmenu1,'String'); val=get(handles.popupmenu1,'Value'); switch str{val}; case 'C6H4F2' VT_TTP_TPHTUC6H4F2 case 'C6H4Cl2' VT_TTP_TPHTUC6H4Cl2 case 'C6H4Br2' VT_TTP_TPHTUC6H4Br2 case 'C6H4I2' VT_TTP_TPHTUC6H4I2 end
function pushbutton15_Callback(hObject, eventdata,
handles) %Thoat close
PLA2. Code MATLAB cụa chương trình mođ phỏng transistor keđnh phađn tử C6H4F2
function varargout = VT_TTP_TPHTUC6H4F2(varargin)
gui_Singleton = 1;
gui_State = struct('gui_Name', mfilename, ...
'gui_Singleton', gui_Singleton, ...
'gui_OpeningFcn',
'gui_OutputFcn',
@VT_TTP_TPHTUC6H4F2_OutputFcn, ...
'gui_LayoutFcn', [] , ...
'gui_Callback', []);
if nargin && ischar(varargin{1})
gui_State.gui_Callback = str2func(varargin{1}); end if nargout [varargout{1:nargout}] = gui_mainfcn(gui_State, varargin{:}); else gui_mainfcn(gui_State, varargin{:}); end function VT_TTP_TPHTUC6H4F2_OpeningFcn(hObject,
eventdata, handles, varargin) axes(handles.axes1_anh); subplot(handles.axes1_anh); transistorpt=imread('Transistor C6H4F2.bmp'); image(transistorpt); hold on axis off handles.output = hObject; figure(handles.figure1); guidata(hObject, handles); function varargout = VT_TTP_TPHTUC6H4F2_OutputFcn(hObject, eventdata, handles) varargout{1} = handles.output;
function slider1_Callback(hObject, eventdata, handles)
set(handles.edit1_L,'String',NewVal)
function slider1_CreateFcn(hObject, eventdata, handles)
if isequal(get(hObject,'BackgroundColor'),
get(0,'defaultUicontrolBackgroundColor'))
set(hObject,'BackgroundColor',[.9 .9 .9]);
end
function edit1_L_Callback(hObject, eventdata, handles)
set(handles.slider1,'Value',str2double(get(handles.edit1
_L,'String')));
function edit1_L_CreateFcn(hObject, eventdata, handles)
if ispc &&
isequal(get(hObject,'BackgroundColor'),get(0,'defaultUic
ontrolBackgroundColor'))
set(hObject,'BackgroundColor','white');
end
function slider2_Callback(hObject, eventdata, handles)
NewVal = get(hObject, 'Value');
set(handles.edit2,'String',NewVal)
function slider2_CreateFcn(hObject, eventdata, handles)
if isequal(get(hObject,'BackgroundColor'),
get(0,'defaultUicontrolBackgroundColor'))
set(hObject,'BackgroundColor',[.9 .9 .9]);
end
function edit2_Callback(hObject, eventdata, handles)
set(handles.slider2,'Value',str2double(get(handles.edit2
,'String')));
function edit2_CreateFcn(hObject, eventdata, handles)
if ispc && isequal(get(hObject,'BackgroundColor'),
set(hObject,'BackgroundColor','white');
end
function slider3_Callback(hObject, eventdata, handles)
NewVal = get(hObject, 'Value');
set(handles.edit3,'String',NewVal)
function slider3_CreateFcn(hObject, eventdata, handles)
if isequal(get(hObject,'BackgroundColor'),
get(0,'defaultUicontrolBackgroundColor'))
set(hObject,'BackgroundColor',[.9 .9 .9]);
end
function edit3_Callback(hObject, eventdata, handles)
set(handles.slider3,'Value',str2double(get(handles.edit3
,'String')));
function edit3_CreateFcn(hObject, eventdata, handles)
if ispc &&
isequal(get(hObject,'BackgroundColor'),get(0,'defaultUic
ontrolBackgroundColor'))
set(hObject,'BackgroundColor','white');
end
function slider4_Callback(hObject, eventdata, handles)
NewVal = get(hObject, 'Value');
set(handles.edit4,'String',NewVal)
function slider4_CreateFcn(hObject, eventdata, handles)
if isequal(get(hObject,'BackgroundColor'),
get(0,'defaultUicontrolBackgroundColor'))
set(hObject,'BackgroundColor',[.9 .9 .9]);
end
function edit4_Callback(hObject, eventdata, handles)
set(handles.slider4,'Value',str2double(get(handles.edit4
function edit4_CreateFcn(hObject, eventdata, handles)
if ispc &&
isequal(get(hObject,'BackgroundColor'),get(0,'defaultUic
ontrolBackgroundColor'))
set(hObject,'BackgroundColor','white');
end
function pushbutton1_Callback(hObject, eventdata,
handles) hbar=1.055e-34; q=1.602e-19; eps0=8.854E-12; epsr=4; m=0.25*9.11e-31; I0=q*q/hbar; L1=str2double(get(handles.edit1_L,'String')); L=L1*1e-9; W1=str2double(get(handles.edit2,'String')); W=W1*1e-9; T=str2double(get(handles.edit4,'String')); k=1.38e-23; kT=k*T/q; t=1.5e-9; Cg=epsr*eps0*W*L/t; Cs=0.05*Cg; Cd=0.05*Cg; CE=Cg+Cs+Cd;
U0=q/CE; alphag=Cg/CE; alphad=Cd/CE; mu=0; ep=0.2; v=1e5; g1=hbar*v/(q*L); g2=g1;g=g1+g2;
NE=24; E=linspace(-0.332,0,NE); dE=0.014; D0=m*q*W*L/(pi*hbar*hbar);
D=D0*[zeros(1,12) ones(1,12)]; f0=1./(1+exp((E+ep-mu)./kT));
N0=2*dE*sum(D.*f0); ns=N0/(L*W*1e4);
IV=63;VV=linspace(0,1.0,IV); for iV=1:IV Vg=str2double(get(handles.edit3,'String')); Vd=VV(iV); mu1=mu; mu2=mu1-Vd; UL=-(alphag*Vg)-(alphad*Vd); U=0; dU=1; while dU>1e-6 f1=1./(1+exp((E+UL+U+ep-mu1)./kT)); f2=1./(1+exp((E+UL+U+ep-mu2)./kT)); N(iV)=dE*sum(D.*((f1.*g1/g)+(f2.*g2/g))); Unew=U0*(N(iV)-N0); dU=abs(U-Unew); U=U+0.1*(Unew-U); end I(iV)=dE*I0*(sum(D.*(f1-f2)))*g1*g2/g; end axes(handles.axes2_dothi); subplot(handles.axes2_dothi); h=plot(VV,I,'r'); set(h,'linewidth',[2.0]) set(gca,'Fontsize',[13]) xlabel(' Dien ap (V)')
ylabel(' Dong dien (A) ')
grid on
function pushbutton3_Callback(hObject, eventdata,
handles)
cla(handles.axes2_dothi);
function pushbutton2_Callback(hObject, eventdata,
handles) Close
PLA3. Code MATLAB cụa chương trình transistor keđnh phađn tử C6H4Cl2
function varargout = VT_TTP_TPHTUC6H4Cl2(varargin)
gui_Singleton = 1;
gui_State = struct('gui_Name', mfilename, ...
'gui_Singleton', gui_Singleton, ... 'gui_OpeningFcn', @VT_TTP_TPHTUC6H4Cl2_OpeningFcn, ... 'gui_OutputFcn', @VT_TTP_TPHTUC6H4Cl2_OutputFcn, ... 'gui_LayoutFcn', [] , ... 'gui_Callback', []);
if nargin && ischar(varargin{1})
gui_State.gui_Callback = str2func(varargin{1}); end if nargout [varargout{1:nargout}] = gui_mainfcn(gui_State, varargin{:}); else gui_mainfcn(gui_State, varargin{:}); end function VT_TTP_TPHTUC6H4Cl2_OpeningFcn(hObject,
eventdata, handles, varargin) axes(handles.axes1_anh);
subplot(handles.axes1_anh);
image(transistorpt); hold on