2.2.2.1. Giới thiệu
Tín hiệu thu từ vệ tinh về rất yếu, thường khoảng -150 dBW trên nền tạp âm lớn, vì vậy bộ khuếch đại tạp âm thấp LNA có một vai trò quan trọng trong trạm mặt đất để vừa khuếch đại tín hiệu vừa không làm giảm chất lượng tín hiệu.
Vị trí lắp đặt LNA càng gần đầu thu càng có lợi về mức tín hiệu vì giảm tạp âm và suy hao do giảm được chiều dài ống dẫn sóng.
44
2.2.2.2. Các loại khuếch đại tạp âm thấp LNA
- Khuếch đại GaAs-FET: khuếch đại dùng transistor trường loại bán dẫn hỗn tạp Gali-Arsenic (GaAs-FET) được sử dụng rộng rãi ở vùng tần số cao với đặc tính băng rộng, hệ số khuếch đại và độ tin cậy cao.
-Khuếch đại thông số: Nguyên tắc hoạt động của loại này là khi một tín hiệu kích thích đặt lên một điốt điện dung, các thông số mạch điện của nó thay đổi và tạo ra một điện trở âm, do đó khuếch đại tín hiệu vào. Như vậy, từ sự biến đổi điện dung của điốt do tín hiệu kích thích được dùng cho khuếch đại. Việc giảm nội trở
của điốt sẽ tạo ra các đặc tính tạp âm thấp.
Bộ khuếch đại thông số có một hạn chế so với bộ khuếch đại GaAs-FET như
sau:
+ Cần có một mạch tạo ra tín hiệu kích thích.
+ Khó điều chỉnh và không phù hợp với việc sản xuất hàng loạt. +Băng tần hẹp, bất lợi vềđộ tin cậy và bảo dưỡng.
- Khuếch đại Transistor có độ linh động điện tử cao HEMT (High Electron Mobility Transistor): nguyên lý của bộ khuếch đại này là lợi dụng chất khí điện tử
hai chiều với độ linh động cao phù hợp đối với khuếch đại tạp âm thấp tín hiệu tần số cao. Ưu điểm của nó là băng thông rộng, kích thước nhỏ, dễ bảo dướng và thuận lợi cho sản xuất hàng loạt.